触媒アシストエッチング セミナー

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触媒アシストエッチング セミナー

今、注目:第三のエッチング!
極めて簡単に、半導体表面上に三次元微細構造を構築!?


触媒アシストエッチング


原理・方法と適用事例

講師

大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  准教授 博士(工学) 有馬 健太 先生

* 希望者は講師との名刺交換が可能です

講師紹介

1997年〜2000年 理化学研究所 ジュニアリサーチアソシエイト
2000年 大阪大学 工学研究科 博士後期課程修了 〔博士(工学)〕
2000年 大阪大学 助手(2007年に名称が助教に変更)
2007〜08年 米国ローレンスバークレー国立研究所客員研究員
2009年 大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻 准教授
専門は表面科学,半導体プロセス,生産工学.
・所属学会:精密工学会(関西支部 幹事)、日本表面真空学会(関西支部 委員)、応用物理学会(界面ナノ電子化学研究会 アドバイザー)

→このセミナーを知人に紹介する

日時・会場・受講料

●日時 2019年1月31日(木) 12:30-16:30
●会場 [東京・船堀]タワーホール船堀3階応接会議室 →「セミナー会場へのアクセス」
●受講料 1名41,040円(税込(消費税8%)、資料付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,240円
      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・撮影行為は固くお断り致します。
 ●講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
 ●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
  場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。
  *PC実習講座を除きます。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

セミナーポイント

■講師より
触媒アシストエッチングは、2000年以降に登場した、半導体表面に対する溶液中での新たなエッチング手法です。ウェットエッチングとドライエッチングに次ぐ、第三のエッチングとして、近年、注目が高まっています。触媒として貴金属を用い、溶液・触媒金属・半導体表面の条件を最適化することにより、極めて簡便に、半導体表面上に様々な三次元微細構造を構築できます。また、滑らかな表面の形成にも適用できることが知られています。既に、太陽電池や半導体製造プロセス、光学素子など、多様な分野に応用され始めています。また最近では、貴金属を含まない、ナノカーボン材料を触媒としたエッチングモードも報告されています。本講演では、触媒アシストエッチングの概要や他エッチング法との比較、原理からナノスケール加工の先端事例まで、分かりやすく解説します。奮ってご参加下さい!

■受講対象者
・半導体製造プロセス技術従事者
・精密加工などの生産技術担当者
・触媒技術者
・新規プロセス技術の調査・研究担当者

■受講して得られる情報・知見
・触媒アシストエッチングの基本原理と特徴
・触媒アシストエッチングによる半導体表面上への様々なナノ構造の形成例
・触媒アシストエッチングの課題と今後の展開

▽前回の同講師セミナー受講者より
「説明が分かりやすかった」(材料開発)
「興味深い内容だった。今後の動向を注視していこうと思う」(プロセス開発)

セミナー内容

1.序論:従来のエッチングと触媒アシストエッチングの比較
 1.1 半導体プロセスにおけるエッチング
  1.1.1 ドライエッチング
  1.1.2 ウェットエッチング
 1.2 触媒アシストエッチングとは
  1.2.1 金属を触媒とした“金属アシストエッチング”の歴史
  1.2.2 金属アシストエッチングの基本原理
  1.2.3 他のエッチング法と比べた利点と課題

2.Si表面における触媒アシストエッチングの反応機構
 2.1 エッチングを支配する化学反応の例
 2.2 酸化剤及び触媒金属の役割
 2.3 反応場の微視的描像
 2.4 溶液温度及び光照射がエッチングに与える影響

3.触媒アシストエッチングによるSi表面上の多様な三次元微細構造
 3.1 金属微粒子によるナノポア形成
  3.1.1 ポア形状の実験パラメータ依存性
  3.1.2 ブラックシリコンの形成
  3.1.3 超撥水Si表面の創成
 3.2 金属マスクを用いたSiナノワイヤ形成
  3.2.1 Siナノワイヤの形状及び特性評価
  3.2.2 太陽電池デバイスへの応用
 3.3 半導体製造プロセスへの展開
 3.4 X線用光学素子(ゾーンプレート)の作製
 3.5 Si以外の半導体表面に対する金属アシストエッチングの適用例

4.金属平板を用いた溶液中での半導体表面の平坦化
 4.1 触媒アシストエッチングを援用した平坦化の原理
 4.2 実験方法
 4.3 Geウエハ表面への適用例
 4.4 SiCウエハ表面への適用例
  4.4.1 SiCの結晶構造と表面
  4.4.2 原子レベルでの詳細な平坦化特性の観察
  4.4.3 予想される平坦化原理

5.ナノカーボン材料を用いた触媒アシストエッチングの新展開
 5.1 貴金属元素を含まないナノカーボン触媒への期待
 5.2 グラフェンを触媒とした半導体表面の加工例
 5.3 グラフェン・アシストエッチングの今後の展望

6.まとめ

<質疑応答・名刺交換・個別相談>

セミナー番号:AC190118

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