論理回路 LSI 3D-NANDフラッシュメモリ セミナー

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論理回路 LSI 3D-NANDフラッシュメモリ セミナー

平面型トランジスタの微細化限界を克服する、新しい積層型論理回路の開発技術について第一人者が丁寧に解説します!

低コスト積層型ロジックLSI回路

原理、要素技術と開発展望

3D-NANDフラッシュメモリ製造技術を用いた微細限界克服

講師

湘南工科大学 工学部 情報工学科 教授 博士(工学) 渡辺 重佳 先生

* 希望者は講師との名刺交換が可能です

講師紹介

1979年 東芝入社。以来26年間LSIの研究開発に従事。東芝在籍中はフラッシュメモリの発明者である舛岡富士雄先生の直接の指導を受けた。
2005年10月より、湘南工科大学情報工学科に勤務。LSI、ハードウェア関連の教育、研究を行っている。
2015年以降 本セミナーで講演する積層ロジックLSIの研究に注力している。

→このセミナーを知人に紹介する

日時・会場・受講料

●日時 2019年6月24日(月) 12:30-16:30
●会場 [東京・船堀]タワーホール船堀3階303会議室 →「セミナー会場へのアクセス」
●受講料 1名41,040円(税込(消費税8%)、資料付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,240円
      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・撮影行為は固くお断り致します。
 ●講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
 ●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
  場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。
  *PC実習講座を除きます。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

セミナーポイント

 LSIは過去ムーアの法則にしたがって平面型トランジスタの微細化が進み、大容量化、低コスト化、高速化、低消費電力化が着実に進められてきた。この平面型トランジスタの微細化もショートチャネル効果等のため近年限界に近付いている。本講演ではまず現在の平面型トランジスタを用いた平面型論理回路の設計法とその課題について述べる。
 次にこの課題を解決するために提案された平面型論理回路を縦方向に積層した積層型論理回路について述べ、最後に講演者が独自に考案、提案した3D−NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型論理回路について解説する。
 新しい積層型論理回路は3D−NANDフラッシュメモリの製造技術を用いている為、低コストで、ムーアの法則、スケーリング則の限界を克服できる可能性を秘めている。本講演では講演プログラムに示した幾つかの論理回路で新しい積層型論理回路の実現可能性について説明する。

■この講座を受講して得られる情報・知見:
*ムーアの法則、スケーリング則の限界を克服できるLSIの新しい候補を知ることができる。
*新たなLSIの設計法、製造技術の可能性について知ることができる。

■想定する受講対象:
電気・IT・半導体製造装置関連企業の方、経営コンサルタント、LSIを中心とした電気電子・情報関連の研究者、教員、学生等。

セミナー内容

1 ムーアの法則の限界
 1.1 平面型トランジスタを用いたLSIの特徴
 1.2 スケーリング則によるLSIの大容量化、低コスト化

2 平面型トランジスタを用いた積層型論理回路の取り組み
 2.1 ワイヤボンディング方式
 2.2 TSV方式
 2.3 平面型トランジスタを用いた積層型論理回路の限界

3 3D−NANDフラッシュメモリの製造技術
 3.1 3D−NANDフラッシュメモリとは
 3.2 3D−NANDフラッシュメモリの製造技術の特徴

4 低コスト積層型ロジックLSI回路とは
 4.1 Fe−FETとは
 4.2 低コスト積層型ロジックLSI回路の基本構成
 4.3 低コスト積層型ロジックLSI回路による低コスト化

5 低コスト積層型ロジックLSI回路の応用
 5.1 組み合わせ回路
 5.2 順序回路
 5.3 LUT方式
 5.4 FPGAへの応用

6 将来展望
 6.1 低コスト積層型ロジックLSI回路によるムーアの法則の限界の克服
 6.2 低コスト積層型ロジックLSI回路によるスケーリング則の限界の克服

<質疑応答>

セミナー番号:AC190697

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