パワーデバイス セミナー GaN

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パワーデバイス セミナー GaN

パワーデバイスの最新技術を一日速習!今回は、特に「SiC-MOSFETとSi-IGBTの競争の行方」、
「SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何か」について、丁寧に解説します。

パワーデバイスセミナー:

電気自動車シフトではずみのついたパワーデバイス開発の最新技術
〜シリコン(Si)およびSiC/GaNデバイスと実装の最新技術〜

講師

国立大学法人 筑波大学
数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学) 岩室 憲幸 先生

* 希望者は講師との名刺交換が可能です

→このセミナーを知人に紹介する

日時・会場・受講料

●日時 2019年9月11日(水) 10:30-16:30
●会場 [東京・大井町]きゅりあん 5階第3講習室 →「セミナー会場へのアクセス」
●受講料 1名46,440円(税込(消費税8%)、資料・昼食付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき35,640円
      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・撮影行為は固くお断り致します。
 ●講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
 ●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
  場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。
  *PC実習講座を除きます。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

セミナーポイント

■はじめに
2017〜2018年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに、最新の実装技術についても解説する。特に「SiC-MOSFETとSi-IGBTの競争の行方」、また、「SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何か」について丁寧に解説したい。

■受講対象
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、
パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

■必要な予備知識
教養程度の工学の知識があれば十分です。

■本セミナーに参加して修得できること
パワーデバイスの最新技術動向、SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題。
SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

セミナー内容

1.パワーエレクトロニクスとは?

  1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
  1-2 パワー半導体の種類と基本構造
  1-3 パワーデバイスの適用分野
  1-4 高周波動作のメリットは?
  1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
  1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か?

2.最新シリコンIGBTの進展と課題

  2-1 IGBT開発のポイント
  2-2 初期のIGBTは全く売れなかった。なぜ?
  2-3 IGBT特性向上への挑戦
  2-4 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
  2-5 IGBT特性改善を支える技術
  2-6 薄ウェハ化の限界
  2-7 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
  2-8 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発

3.SiCパワーデバイスの現状と課題

  3-1 半導体デバイス材料の変遷
  3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
  3-3 SiCのSiに対する利点
  3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
  3-5 SiCウェハができるまで
  3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
  3-7 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
  3-8 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか?
  3-9 他の用途への展開の可能性について
  3-10 SiCのデバイスプロセス
  3-11 SiCデバイス信頼性のポイント
  3-12 最新SiCトレンチMOSFET
  3-13 SiC-MOSFET 対 Si-IGBTの競合。勝敗のポイントは?
 
4.GaNパワーデバイスの現状と課題

  4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
  4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
  4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
  4-4 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
  4-5 GaN-HEMTの課題
  4-6 Current Collapse現象メカニズム
  4-7 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
  4-8 縦型GaNデバイスの最新動向
  4-9 縦型GaNデバイス 対 縦型SiCデバイスの競合

5.高温対応実装技術

  5-1 高温動作ができると何がいいのか
  5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
  5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

6.まとめ

講師紹介

【講師略歴】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事.
1999年〜2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009 年5月〜2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月〜 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。

【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計技術

【本テーマ関連学協会での活動】
IEEE Senior Member
IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
電気学会 シリコンならびに新材料パワーデバイス・IC技術調査専門委員会 前委員長
電気学会上級会員、応用物理学会会員
パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD)2017 Steering Committee Member.
「世界を動かすパワー半導体 ‐IGBTがなければ電車も自動車も動かない‐」編集委員(電気学会出版)

セミナー番号:AC190935

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