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CMP セミナー

★経験に頼る部分が多かったCMP工程の各種メカニズムを解き明かす!
★網羅的・体系的にわかりやすく解説しますので、技術部門以外の方も理解できます。

CMP基礎から応用まで

〜研磨メカニズムから応用工程、装置、消耗材(パッド、スラリー、ドレッサ)、プロセス・材料評価方法等〜

講師

(株)ISTL 代表取締役 博士(工学)  礒部 晶 先生

* 希望者は講師との名刺交換が可能です

講師ご略歴:

1984−2002 NECにてLSI多層配線プロセス開発、1991よりCMPの開発、量産化に従事
2002−2006 東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー
2006−20013 ニッタハースにて研究開発GM  
2013−2015 (株)ディスコにて新規事業開発
2014 九州大学より博士学位取得
2015-  (株)ISTL CMP関連を中心に技術開発、事業開発アドバイザー

→このセミナーを知人に紹介する

日時・会場・受講料

●日時 2019年11月11日(月) 10:30-16:30
●会場 [東京・大井町]きゅりあん5階第2講習室 →「セミナー会場へのアクセス」
●受講料 1名43,000円 + 税、(資料・昼食付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき33,000円 + 税
 ※消費税につきましては講習会開催日の税率にて課税致します。
      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・撮影行為は固くお断り致します。
 ●講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
 ●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
  場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。
  *PC実習講座を除きます。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

セミナーポイント

 CMPが半導体の製造工程に用いられるようになって四半世紀以上が経過しました。当初は「常識外れ」だったCMPも今や何種類もの工程で使用されるなくてはならないプロセスとなりました。また、シリコンウエハはもちろん、サファイアやSiC、GaN、LT/LNなどの様々な基板の製造にも用いられています。
 CMPはその平坦化や材料除去の理論に不明な点もあり、経験に頼っている部分が多かったですが、近年では様々な評価方法や理論に基づき、それらのメカニズムも徐々に明らかにされてきています。
 本講座では、研磨メカニズムから実際のCMP応用工程の具体的中身、用いられる装置や消耗材の構成とそれらの役割について網羅的、体系的に解説します。
 なるべくわかりやすく解説しますので、技術部門の方だけでなく、営業・マーケティング部門の方もぜひご参加ください。

○受講対象:
 ・CMP関連の装置、材料開発、営業・マーケティングに携わっている方
 ・CMPを用いて半導体、電子デバイス、各種基板製造、開発に携わっている方
 ・CMPに関して網羅的、体系的に知識を得たい方

○受講後、習得できること:
 @CMPの理論
  ・材料除去メカニズム
  ・平坦化メカニズム
  ・パッド表面変化メカニズム(ドレッシングとグレージング)
 ACMPに用いられる装置
  ・装置構成の変遷と研磨方式
  ・ヘッドの変遷
 BCMPに用いられる消耗材料
  ・研磨パッドの基礎
  ・スラリーの基礎
  ・ドレッサーの基礎
 CCMPの応用工程
  ・半導体製造工程 ILD、STI、W、Cu、トランジスタ周り
  ・基板製造 シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/LN
 D評価方法
  ・パッドの評価方法
  ・スラリーの評価方法
  ・ドレッサーの評価方法

セミナー内容

1.CMPとは
 1)CMPの構成要素
 2)CMP装置

  a) CMP装置の構成
  b) 様々なCMP方式
  c) 研磨ヘッドの構造とエッジプロファイル制御
  d) APCと終点検出技術
 3)CMPの目的〜平坦化
  a)平坦化の分類
  b)平坦化メカニズム

2.消耗材料の基礎及び評価方法
 1) スラリーの基礎及び評価方法

  a) 砥粒の種類〜アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒〜
  b) ILD用スラリーの特徴
  c) W用スラリーの特徴
  d) Cu用スラリーの特徴
  e) 砥粒の形状と研磨特性について
  f) スラリーによる平坦性の向上
  g) スラリーの評価方法
 2) 研磨パッドの基礎及び評価方法
  a) 研磨パッドの種類と特徴
  b) パッド物性と研磨特性の関係
  c) 研磨パッドの評価・解析方法
  d) パッド表面と平坦性・スクラッチへの影響
 3) ドレス条件と表面状態

3.CMP応用工程の実際
 1) CuCMP

  a) Cu配線の必要性
  b) CuCMPの必要性
  c) CuCMPのポイント
  d) CuCMPプロセスの実際と特有の課題
 2)最新のトランジスタ周りCMP
  a) トランジスタの性能向上
  b) HKRMG
  c) Fin-FET
 3) ウエハ接合技術とCMP工程
 4) CMPのプロセス評価方法
 5) 各種基板の製造工程とCMPの役割

  a) Si
  b) サファイア
  c) SiC
  d) GaN
  e) LT/LN
 6) CMP後の洗浄について
  a) 洗浄ブラシ
  b) 洗浄に用いられる薬液
  c) 乾燥方法

4.研磨メカニズム@
  :パッドの表面変化とドレッシング/グレージングのメカニズム

 1) パッド表面状態変化モデル
 2) 圧力とコンタクトエリアの関係
 3) 砥粒サイズ・砥粒濃度と表面粗さの関係
 4) モデルによる量産現場の事象説明とその改善

5.研磨メカニズムA
  :CMPの材料除去メカニズム

 1) 砥粒による材料除去メカニズムの変遷
 2) 新しい材料除去モデル
 3) 新しい材料除去モデルの検証
 4) 新しい材料除去モデルに基づく開発のヒント


  <質疑応答>

セミナー番号:AC191164

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