セミナー 薄膜 分析 評価 表面 界面

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セミナー 薄膜 分析 評価 表面 界面

★電子や光物性の基礎から、IR/ラマン分光、X線回折法、XPSやSEM、AFMほか
 様々な薄膜・界面評価技術の基本原理から得られる情報、測定のポイント、スペクトル解析までを詳解。

薄膜の各種分析・評価技術

基礎・特徴からポイントまで

〜正しく分析を知ることで

高効率化や新機能提案、トラブル対応へ活かす〜

講師

高知工科大学 システム工学群 電子光システム工学教室 教授 古田 寛 先生

* 希望者は講師との名刺交換が可能です

講師紹介

※本ページ下部に記載。

→このセミナーを知人に紹介する

日時・会場・受講料

●日時 2020年10月23日(金) 10:30-16:30
●会場 [東京・大井町]きゅりあん5階 第4講習室 →「セミナー会場へのアクセス」
●受講料 1名47,300円(税込(消費税10%)、資料・昼食付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・撮影行為は固くお断り致します。
 ●講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
 ●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
  場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。
  *PC実習講座を除きます。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

セミナー開催にあたって

■はじめに:
 本セミナーでは、薄膜材料評価に関わる電子・光物性の基盤的知識を学び、各種薄膜分析評価法を修得することを目的とする。
 物質と電子/光との相互作用(電子・光物性)を深く理解し、これを利用することで、優れた機能を持つ電子・光デバイスが開発されてきた。その中で、薄膜評価技術は、デバイスの高効率化・トラブルシューティング・新機能提案などにつながる重要な発見を助けてきた。表面改質など機械加工分野も併せれば、表面・界面の評価技術は、製造技術における課題発見の場面で重要視され、現在、産業界で広く用いられている。
 一方、表面・界面評価技術は手法が非常に多岐にわたるため、どの評価手法を選択すれば、現在直面している課題解決につながるのかを適切に選択することは難しく、外部解析に解析手法の提案も含め委託することが多いのではないかと思う。また、表面・界面評価技術の検出原理を知ることで、何を測ることができ、検出限界を知ることで何が測ることができないかを理解することは重要で、どの評価技術を選択すべきか決断する際に非常に重要となる。
 本セミナーでは、表面・界面のトラブルや改善、新機能提案を目指し、表面・界面の評価技術全般に関わる、電子物性・光物性の基礎物理を講義した後、これら基礎物理を利用した様々な表面・界面評価技術について、例示して解説する。

■受講対象者:
・薄膜デバイス関連の研究開発をはじめたばかりの方から、このような方を指導する立場にある方まで
・解析業務に活かすため、薄膜評価法全般の知識をサーベイしたいと考えている方
・解析業務に携わっているが、より基盤的知識(電子物性、光物性)の重要性を認識し必要としている方
・解析手法を用いた、発表者を含めた応用研究事例について興味のある方

■必要な予備知識:
電子、光、波についての基礎知識。大学2年レベルの物理の知識(電磁気、量子力学の基礎)、必要な知識は補足説明します。

■本セミナーで習得できること:
・主に表面の関わる製造技術(薄膜プロセス、半導体プロセス、コーティング、表面改質)などの
 技術分野において、その評価技術を概観することが出来、表面に関わるトラブルシューティングでの、
 評価手段の選択が的確に提案できるようになる。
・様々な評価手段の基礎原理(光・電子物性・光物性)について、基礎知識が身につくことにより、
 表面評価手段により得られた評価結果を正しく判断することが出来るようになる。

セミナー内容

1.電子物性基礎:物質の電気的性質
 1-1 電子の性質
 1-2 結晶構造
 1-3 バンド構造
 1-4 導体・半導体・絶縁体の電気的性質

2.光物性基礎:物質の光学的性質(透過・散乱・吸収)
 2-1 光の性質
 2-2 弾性散乱、非弾性散乱
 2-3 ブラッグ回折

3.薄膜・界面評価技術
 3-1 光学的評価法(UV/VIS分光、IR分光、ラマン分光、PL)
  a)装置の基本原理
  b)得られる情報
  c)前処理
  d)測定のポイント
  e)スペクトルの解析
 3-2 X線回折法(XRD)、X線反射率法(XRR)
  a)装置の基本原理
  b)得られる情報
  c)前処理
  d)測定のポイント
  e)スペクトルの解析
 3-3 X線光電子分光法(XPS、ESCA)
  a)装置の基本原理
  b)得られる情報
  c)前処理
  d)測定のポイント
  e)スペクトルの解析
 3-4 走査型電子顕微鏡(SEM、EDX)
  a)装置の基本原理
  b)得られる情報
  c)前処理
  d)測定のポイント
  e)スペクトルの解析
 3-5 プローブ顕微鏡(AFM、STM)
  a)装置の基本原理
  b)得られる情報
  c)前処理
  d)測定のポイント
  e)スペクトルの解析
 3-6 その他分析技術動向やナノテクノロジーへの展開事例紹介(発表者の研究紹介を含む)

<質疑応答・個別質問・講師との名刺交換>

■ご講演中のキーワード:

薄膜評価技術、表面界面、電子物性、光物性、透過、吸収、散乱、分光法、バンド理論、電子顕微鏡、プローブ顕微鏡(SPM)、カーボンナノチューブ、電界電子放出、メタマテリアル

講師紹介

■ご略歴:
平成8年4月 〜 平成11年3月 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻博士課程後期 修了(博士(理学)取得)
平成10年7月 〜 平成11年3月 日本学術振興会 特別研究員DC2
平成11年4月 〜 平成12年3月 日本学術振興会 特別研究員PD
平成12年6月 〜 平成12年9月 株式会社イオン工学研究所 研究員
平成12年10月 〜 平成13年3月 財団法人ファインセラミックスセンター研究員
平成13年4月 〜 平成14年3月 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)
産業技術者養成事業養成技術者(NEDOフェロー)
平成14年4月 〜 平成16年3月 株式会社ロデール・ニッタ 研究員
平成15年1月 〜 平成19年12月 高知県産業技術センター高知県地域結集事業研究員(兼務)
平成16年4月 〜 平成20年3月 高知工科大学 総合研究所 極限プロセスデザイン研究センター 講師
平成20年4月 〜 平成22年12月 高知工科大学 ナノデバイス研究所 講師
平成23年1月 〜 令和1年7月 高知工科大学 システム工学群 電子・光システム工学教室 准教授
平成25年10月 〜 平成26年3月 高知工業高等専門学校 非常勤講師物理C(兼務)
令和1年8月 〜 現在 高知工科大学 システム工学群 電子・光システム工学教室 教授

■研究履歴:
平成2年4月〜平成6年3月 大阪大学理学部物理学科(学士):
 電子スピン共鳴の工学応用(ESRイメージング)、地球科学、年代測定について研究 卒業論文(1994)
 「小惑星と隕石の反射スペクトル −コロイドとボイドのMie散乱−」

平成6年4月〜平成8年3月 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻博士課程前期修了(修士(理学)):
 走査型ESR顕微鏡と磁場勾配型ESR-CTの応用研究、イオン注入(原研高崎夏季実習生) 修士論文(1996):
 「走査型電子スピン共鳴顕微鏡およびESR-CTの応用」

平成8年4月〜平成11年3月 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻博士課程後期修了(博士(理学)):
 ESRイメージングの応用、ポーラスシリコン中の格子欠陥、構造形成機構研究 博士論文(1999)
 “Application of ESR Imaging and Pattern Formation in Porous Silicon”

平成10年7月〜平成11年3月 日本学術振興会 特別研究員DC2 科学研究費補助金98J01015 DC2
 「ポーラスシリコンの幾何学的形状・サイズが及ぼす物性」

平成11年4月〜平成12年3月 日本学術振興会 特別研究員PD 科学研究費補助金98J01015 PD
 「ポーラスシリコンの幾何学的形状・サイズが及ぼす物性」

平成12年6月〜平成12年9月 株式会社イオン工学研究所 研究員 NEDO新生地域コンソーシアム研究開発事業
 ZnO半導体薄膜デバイスの開発
 ZnO薄膜スパッタ合成 低温多結晶シリコン薄膜TFT基盤技術の開発
 (阪大、イオン工研、東芝松下ディスプレイテクノロジ共同)研究(ESR/Raman評価)

平成12年10月〜平成13年3月 財団法人ファインセラミックスセンター研究員
NEDO委託フロンティアカーボンテクノロジー阪大集中研、アモルファスカーボン薄膜合成研究

平成13年4月〜平成14年3月 NEDO産業技術者養成事業養成技術者(NEDOフェロー)
NEDO委託フロンティアカーボンテクノロジー阪大集中研にて、ダイヤモンド尖鋭化エミッタ開発(電子放出、構造評価)、カーボンナノチューブ(CNT)のプラズマCVD、熱CVD合成

平成14年4月〜平成16年3月 株式会社ロデール・ニッタ 研究員 電界放出型ランプ(FEL)の事業化開発に従事、カソーディックアークPVD合成アモルファスカーボン薄膜を用いた電子放出素子開発

平成15年1月〜平成19年12月 高知県産業技術センター高知県地域結集事業研究員(兼務)
高知県地域結集型共同研究事業「次世代情報デバイス用薄膜ナノ技術の開発」ZnO-TFT開発

平成16年4月〜平成20年3月 高知工科大学 総合研究所極限プロセスデザイン研究センター講師
薄膜形成要素技術。ICP-CVD低温絶縁膜形成技術、ZnO薄膜合成評価(マグネトロンSPT、FTS)、熱CVD基板法によるCNTの合成、電子放出素子開発

平成20年4月〜平成22年12月 高知工科大学 ナノデバイス研究所 講師
NEDOマッチングファンド「高輝度・高効率のフィールドエミッション型バックライトの実用化」 ソナック株式会社 (現ニッタ株式会社)とCNT事業化開発の共同研究

平成23年1月〜令和元年7月 高知工科大学 システム工学群 電子・光システム工学教室 准教授

平成24年4月〜平成27年3月 科研費基盤C
「カーボンナノチューブフォレスト構造体による光学応答メタマテリアルの実証」研究代表

平成29年4月〜平成32年3月 科研費基盤C「カーボンナノチューブフォレスト熱メタマテリアル」研究代表

令和元年8月〜現在 高知工科大学システム工学群 電子・光システム工学教室 教授

令和2年4月〜現在 科研費基盤C「カーボンナノチューブメタネットワークの基礎研究」研究代表

■ご専門および得意な分野・研究:
薄膜評価技術、薄膜プロセス技術、材料工学、電子デバイス、光デバイス、カーボンナノチューブ、メタマテリアル

■本テーマ関連学協会でのご活動:
・応用物理学会中国四国支部幹事

セミナー番号:AC201019

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