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会場開催Zoom見逃し視聴あり

エッチング セミナー


会場受講/見逃視聴なし → 

会場受講/見逃視聴あり → 


オンライン受講/見逃視聴なし → 

オンライン受講/見逃視聴あり → 

★益々進む半導体集積回路の微細化/三次元化に伴い、今後の半導体製造プロセスには、更に進んだエッチング技術が必要に!
★メーカーで様々なエッチングに携わってきた経験豊富な講師が、最先端の技術トレンドや実経験におけるトラブル事例などを交えながら分かり易く解説します。

エッチング基礎最新技術

〜ドライ/ウェットエッチングのメカニズムからプロセス技術、
各種材料のエッチング技術、原子層エッチング(ALE)まで〜

<会場/オンライン 選択可:見逃し視聴有>

講師

(株)日立製作所 研究開発グループ 計測イノベーションセンタ ナノプロセス研究部 主任研究員 博士(工学)  篠田 和典 先生

* 希望者は講師との名刺交換が可能です(会場受講の方のみ)

<その他関連セミナー>

2021年9月9日 半導体メモリの基礎と最新技術動向<Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴有>
2021年9月22日 CMOSイメージセンサアナログ回路の基礎とシミュレーション方法<Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴有>

日時・会場・受講料

●日時 2021年9月10日(金) 10:30-16:30

(オンライン受講(ライブ配信)選択の方)
●受講料

    【オンラインセミナー(見逃し視聴無し)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
    【オンラインセミナー(見逃し視聴有り)】:1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

  *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。
   →「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

●録音・録画行為は固くお断り致します。


(会場受講選択の方)
●会場 [東京・京急蒲田]大田区産業プラザ6階D会議室  →「セミナー会場へのアクセス」
 ※新型コロナウイルスの感染防止の一環として当面の間、昼食の提供サービスは中止させて頂きます。
 ※会場受講の場合、配布資料は当日セミナー会場でのお渡しとなります。
●受講料

    【会場受講(見逃し視聴無し)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
    【会場受講(見逃し視聴有り)】:1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

  *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。
   →「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
 ●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
  場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。
  *PC実習講座を除きます。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

*オンラインセミナー受講希望の方は、下記緑枠内の内容をご確認の上、お申込み下さい。

配布資料・講師への質問等について

●配布資料は、印刷物を郵送で送付致します。
 お申込の際はお受け取り可能な住所をご記入ください。
 お申込みは4営業日前までを推奨します。
 それ以降でもお申込みはお受けしておりますが(開催1営業日前の12:00まで)、
 テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。


●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
 無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
●受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。 req@johokiko.co.jp


※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

下記ご確認の上、お申込み下さい(クリックして展開「▼」:一部のブラウザーでは展開されて表示されます)
・PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております(20Mbbs以上の回線をご用意下さい)。
 各ご利用ツール別の、動作確認の上お申し込み下さい。
・開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報下さい。
・その他、受講に際してのご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。
 <req@johokiko.co.jp>

Zoom
Zoomを使用したオンラインセミナーとなります(クリックして展開「▼」)
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
 お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
 → 確認はこちら
 *Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です
 →参加方法はこちら
 →※一部のブラウザーは音声(音声参加ができない)が聞こえない場合があります、
   必ずテストサイトからチェック下さい。
   対応ブラウザーについて(公式);コンピューターのオーディオに参加に対応してないものは音声が聞こえません

見逃し視聴あり
申込み時に(見逃し視聴有り)を選択された方は、見逃し視聴が可能です。
(クリックして展開「▼」)
・原則、開催5営業日後に録画動画の配信を行います(一部、編集加工します)。
・視聴可能期間は配信開始から1週間です。
 セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
 尚、閲覧用URLはメールでご連絡致します。
 ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
 (見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承下さい。

 →こちらから問題なく視聴できるかご確認下さい(テスト視聴動画へ)パスワード「123456」


会場開催
会場でも同時開催するセミナーです。※感染拡大防止対策にご協力下さい  
 ・セミナー会場での現金支払いを休止しております
 
 ※新型コロナウイルスの感染防止の一環として当面の間、昼食の提供サービスは中止させて頂きます。
 

セミナーポイント

 プラズマを用いたドライエッチングや薬液を用いたウェットエッチングは、三次元NAND型フラッシュメモリ等の半導体集積回路を開発、製造する際に必要不可欠な技術である。モノのインターネット(IoT)の普及により、データ処理を担う半導体集積回路の微細化/三次元化は益々進んでおり、最小加工寸法が10ナノメートルを切る今後の半導体製造プロセスには、原子層レベルの制御性でエッチングする技術が求められている。また,微細化限界後のポストスケーリング時代に向けて、新構造、新チャネル材料、積層化などが検討されており、III-V族化合物半導体など様々な新材料の加工技術が鍵を握る。
 本セミナーでは、ドライエッチングおよびウェットエッチングについて、エッチング反応の原理から装置、微細加工技術のトレンド、シリコン系材料やIII-V族化合物半導体のエッチング技術,そして最先端の原子層エッチング(ALE)開発事例までを、メーカで化合物半導体光デバイスのエッチング技術やシリコンLSI向け先端エッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かり易く解説する。

○受講対象:
 シリコン系,および化合物半導体系デバイスの開発に携わっている方 など

○受講後、習得できること:
 ウェットエッチングの基礎知識,ドライエッチングの基礎知識,各種材料のエッチング技術,原子層エッチングの最前線 など

セミナー内容

1. 半導体デバイスのトレンド/構造/製造プロセス
 1) 半導体デバイスのトレンド

  a) ロジックデバイス
  b) メモリーデバイス
  c) 光デバイス
 2) 半導体デバイスの構造
  a) ロジックデバイス
  b) メモリーデバイス
  c) 光デバイス
 3) 半導体デバイスの製造プロセス

2. デバイス製造プロセスにおけるエッチング
 1) エッチングプロセスの種類
 2) エッチングプロセス技術

  a) 高アスペクト比エッチング技術
  b) 高速エッチング技術
  c) 難エッチング材のエッチング技術
  d) 高選択比エッチング技術
 3) エッチングプロセスの課題
  a) 3D-NANDエッチングの課題
  b) ナノワイヤFETエッチングの課題
  c) 光デバイスエッチングの課題

3. プラズマエッチングの基礎及びプロセス技術
 1) プラズマエッチング装置の種類及び特徴
 2) プラズマエッチングプロセスの特徴・要点
 3) プラズマエッチングの原理
 4) プラズマエッチングにおけるプロセス制御の考え方

  a) エッチング反応
  b) エッチング速度
  c) エッチング選択比
  d) エッチング形状
 5) プラズマエッチング損傷
  a) 損傷のメカニズム
  b) 損傷の評価法
  c) 損傷の低減策
  d) プラズマエッチングとウェットエッチングの損傷比較
 6) 各種材料のプラズマエッチング技術及びプロセス制御のポイント
  a) Si
  b) SiO2
  c) Si3N4
  d) GaAs
  e) InP
  f) GaN

4. ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術
 1) ウェットエッチングの原理

  a) エッチング液の構成と化学反応
  b) 酸化剤および標準酸化還元電位
  c) エッチング液に用いられる各種試薬
 2) ウェットエッチングの律速過程
  a) 反応律速と拡散律速
  b) 半導体結晶構造と面方位依存性
 3) ウェットエッチングにおけるプロセス制御の考え方
  a) エッチング反応
  b) エッチング速度
  c) エッチング選択比
  d) エッチング形状
 4) 各種半導体のウェットエッチング技術及びプロセス制御のポイント
  a) Si
  b) SiO2
  c) Si3N4
  d) GaAs
  e) InP
  f) GaN

5. 原子層エッチングの基礎と最新技術
 1) 原子層プロセス技術のトレンド
 2) 原子層エッチングの基礎と分類
 3) 有機金属錯体反応を用いた熱ALE

  a) La2O3
  b) Co
 4) プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE
  a) Si3N4
  b) TiN
  c) W
 5) ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE
  a) SiO2
 6) フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE
  b) Si3N4

6. 実プロセスにおけるエッチングの課題・トラブル事例と対策
 1) 光デバイスエッチングにおける凹凸発生

  a) エッチャント組成最適化による平滑化
  b) 平滑エッチングによるデバイス高信頼化

7. 今後の課題

  <質疑応答>

セミナー番号:AC210968

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