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はこちら→ req@johokiko.co.jp



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Zoom見逃し視聴あり

オンライン受講/見逃視聴なし → 

オンライン受講/見逃視聴あり → 

★経験に頼る部分が多かったCMP工程の各種メカニズムを解き明かす!
★網羅的・体系的にわかりやすく解説しますので、技術部門以外の方も理解できます。

CMP基礎から応用まで

〜研磨メカニズムから応用工程、装置、
消耗材(パッド、スラリー、ドレッサ)、プロセス・材料評価方法等〜

<Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴有>

講師

(株)ISTL 代表取締役 博士(工学)  礒部 晶 先生

講師ご略歴:

1984−2002 NECにてLSI多層配線プロセス開発、1991よりCMPの開発、量産化に従事
2002−2006 東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー
2006−20013 ニッタハースにて研究開発GM  
2013−2015 (株)ディスコにて新規事業開発
2014 九州大学より博士学位取得
2015-  (株)ISTL CMP関連を中心に技術開発、事業開発アドバイザー

<その他関連セミナー>
2021年11月25日 先端半導体洗浄・乾燥技術〜半導体製造ラインのウェーハ表面洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで〜

日時・会場・受講料

●日時 2021年11月22日(月) 10:30-16:30
●会場 会場では行いません
●受講料
 【オンライン(ライブ配信)(見逃し視聴なし)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

 【オンライン(ライブ配信)(見逃し視聴あり)】:1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

  *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。
   →「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・撮影行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
 (開催1週前〜前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
 無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
●受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。 req@johokiko.co.jp

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

下記ご確認の上、お申込み下さい(クリックして展開「▼」:一部のブラウザーでは展開されて表示されます)
・PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております(20Mbbs以上の回線をご用意下さい)。
 各ご利用ツール別の、動作確認の上お申し込み下さい。
・開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報下さい。
・その他、受講に際してのご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。
 <req@johokiko.co.jp>

Zoom
Zoomを使用したオンラインセミナーとなります(クリックして展開「▼」)
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
 お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
 → 確認はこちら
 *Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です
 →参加方法はこちら
 →※一部のブラウザーは音声(音声参加ができない)が聞こえない場合があります、
   必ずテストサイトからチェック下さい。
   対応ブラウザーについて(公式);コンピューターのオーディオに参加に対応してないものは音声が聞こえません

見逃し視聴あり
申込み時に(見逃し視聴有り)を選択された方は、見逃し視聴が可能です。
(クリックして展開「▼」)
・原則、開催5営業日後に録画動画の配信を行います(一部、編集加工します)。
・視聴可能期間は配信開始から1週間です。
 セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
 尚、閲覧用URLはメールでご連絡致します。
 ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
 (見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承下さい。

 →こちらから問題なく視聴できるかご確認下さい(テスト視聴動画へ)パスワード「123456」


セミナーポイント

 CMPが半導体の製造工程に用いられるようになって四半世紀以上が経過しました。当初は「常識外れ」だったCMPも今や何種類もの工程で使用されるなくてはならないプロセスとなりました。また、シリコンウエハはもちろん、サファイアやSiC、GaN、LT/LNなどの様々な基板の製造にも用いられています。
 CMPはその平坦化や材料除去の理論に不明な点もあり、経験に頼っている部分が多かったですが、近年では様々な評価方法や理論に基づき、それらのメカニズムも徐々に明らかにされてきています。
 本講座では、研磨メカニズムから実際のCMP応用工程の具体的中身、用いられる装置や消耗材の構成とそれらの役割について網羅的、体系的に解説します。
 なるべくわかりやすく解説しますので、技術部門の方だけでなく、営業・マーケティング部門の方もぜひご参加ください。

○受講対象:
 ・CMP関連の装置、材料開発、営業・マーケティングに携わっている方
 ・CMPを用いて半導体、電子デバイス、各種基板製造、開発に携わっている方
 ・CMPに関して網羅的、体系的に知識を得たい方

○受講後、習得できること:
 @CMPの理論
  ・材料除去メカニズム
  ・平坦化メカニズム
  ・パッド表面変化メカニズム(ドレッシングとグレージング)
 ACMPに用いられる装置
  ・装置構成の変遷と研磨方式
  ・ヘッドの変遷
 BCMPに用いられる消耗材料
  ・研磨パッドの基礎
  ・スラリーの基礎
  ・ドレッサーの基礎
 CCMPの応用工程
  ・半導体製造工程 ILD、STI、W、Cu、トランジスタ周り
  ・基板製造 シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/LN
 D評価方法
  ・パッドの評価方法
  ・スラリーの評価方法
  ・ドレッサーの評価方法

セミナー内容

1.CMPとは
 1)CMPの構成要素
 2)CMP装置

  a) CMP装置の構成
  b) 様々なCMP方式
  c) 研磨ヘッドの構造とエッジプロファイル制御
  d) APCと終点検出技術
 3)CMPの目的〜平坦化
  a) 平坦化の分類
  b) 平坦化メカニズム

2.消耗材料の基礎及び評価方法
 1) スラリーの基礎及び評価方法

  a) 砥粒の種類〜アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒〜
  b) ILD用スラリーの特徴
  c) W用スラリーの特徴
  d) Cu用スラリーの特徴
  e) 砥粒の形状と研磨特性について
  f) スラリーによる平坦性の向上
  g) スラリーの評価方法
 2) 研磨パッドの基礎及び評価方法
  a) 研磨パッドの種類と特徴
  b) パッド物性と研磨特性の関係
  c) 研磨パッドの評価・解析方法
  d) パッド表面と平坦性・スクラッチへの影響
 3) ドレス条件と表面状態

3.CMP応用工程の実際
 1) CuCMP

  a) Cu配線の必要性
  b) CuCMPの必要性
  c) CuCMPのポイント
  d) CuCMPプロセスの実際と特有の課題
 2)最新のトランジスタ周りCMP
  a) トランジスタの性能向上
  b) HKRMG
  c) Fin-FET
 3) ウエハ接合技術とCMP工程
 4) CMPのプロセス評価方法
 5) 各種基板の製造工程とCMPの役割

  a) Si
  b) サファイア
  c) SiC
  d) GaN
  e) LT/LN
 6) CMP後の洗浄について
  a) 洗浄ブラシ
  b) 洗浄に用いられる薬液
  c) 乾燥方法

4.研磨メカニズム@
  :パッドの表面変化とドレッシング/グレージングのメカニズム
 1) パッド表面状態変化モデル
 2) 圧力とコンタクトエリアの関係
 3) 砥粒サイズ・砥粒濃度と表面粗さの関係
 4) モデルによる量産現場の事象説明とその改善

5.研磨メカニズムA
  :CMPの材料除去メカニズム
 1) 砥粒による材料除去メカニズムの変遷
 2) 新しい材料除去モデル
 3) 新しい材料除去モデルの検証
 4) 新しい材料除去モデルに基づく開発のヒント


  <質疑応答>

セミナー番号:AD211183

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