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Zoom見逃し視聴あり


オンライン受講/見逃視聴なし → 

オンライン受講/見逃視聴あり → 

○近年特に注目を浴びている薄膜形成技術「ALD/ALE」の原理・材料・装置の仕組みから、パワーデバイス、トランジスタ、LSI等への応用、展望までを詳解!

ALD(原子層堆積)/ALE(原子層エッチング)

技術の基礎と応用

<Zoomによるオンラインセミナー・見逃し配信あり>

講師

奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域 教授 浦岡 行治 先生

講師紹介

■ご略歴:
1985年3月 豊橋技術科学大学 電気電子工学専攻終了
1985年4月 松下電器産業株式会社半導体研究センター入社
1999年4月 奈良先端科学技術大学院大学 助教授
2009年4月 奈良先端科学技術大学院大学 教授

■ご専門および得意な分野・研究:
半導体プロセス・デバイス

■本テーマ関連学協会でのご活動:
・応用物理学会フェロー
・IEEEシニアー
・AMFPD国際会議実行委員長
・薄膜材料デバイス研究会組織委員
・電子デバイス界面テクノロジー研究会運営委員


日時・会場・受講料

●日時 2021年12月6日(月) 10:30-16:30 *途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

●受講料
 【オンライン:見逃し視聴なし】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

 【オンライン:見逃し視聴あり】:1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

 *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
 (開催1週前〜前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
 無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
●受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。 req@johokiko.co.jp

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

下記ご確認の上、お申込み下さい(クリックして展開「▼」:一部のブラウザーでは展開されて表示されます)
・PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております(20Mbbs以上の回線をご用意下さい)。
 各ご利用ツール別の、動作確認の上お申し込み下さい。
・開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報下さい。
・その他、受講に際してのご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。
 <req@johokiko.co.jp>

Zoom
Zoomを使用したオンラインセミナーとなります(クリックして展開「▼」)
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
 お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
 → 確認はこちら
 *Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です
 →参加方法はこちら
 →※一部のブラウザーは音声(音声参加ができない)が聞こえない場合があります、
   必ずテストサイトからチェック下さい。
   対応ブラウザーについて(公式);コンピューターのオーディオに参加に対応してないものは音声が聞こえません

見逃し視聴あり
申込み時に(見逃し視聴有り)を選択された方は、見逃し視聴が可能です。
(クリックして展開「▼」)
・原則、開催5営業日後に録画動画の配信を行います(一部、編集加工します)。
・視聴可能期間は配信開始から1週間です。
 セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
 尚、閲覧用URLはメールでご連絡致します。
 ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
 (見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承下さい。

 →こちらから問題なく視聴できるかご確認下さい(テスト視聴動画へ)パスワード「123456」


セミナー開催にあたって

■はじめに:
 AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。
 本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD(原子層堆積)/ALE(原子層エッチング)技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

■受講対象者:
・半導体プロセス・デバイスの初学者
・ALD技術の導入を検討している技術者
・本テーマに興味のある方ならどなたでも受講可能。

■必要な予備知識:
半導体プロセスに興味のある方なら、特に予備知識の必要はありません。

■本セミナーで習得できること:
・ALD/ALE技術の基礎
・薄膜形成技術の基礎
・薄膜加工技術の基礎
・薄膜を使った半導体デバイスの動作原理
・薄膜デバイスの信頼性評価方法
など

セミナー内容

1.薄膜形成技術
 1.1 薄膜作製/加工の基礎
 1.2 薄膜の評価手法
  1.2.1 電気的評価
  1.2.2 化学的分析手法
  1.2.3 光学的評価手法

2.ALD技術の基礎
 2.1 ALD技術の原理
 2.2 ALD薄膜の特長
 2.3 ALD技術の歴史
 2.4 ALD装置の仕組み
 2.5 ALD技術の材料
 2.6 ALE技術の基礎
 2.7 ALE技術の課題

3.ALD/ALE技術の応用
 3.1 パワーデバイスへの応用
 3.2 酸化物薄膜トランジスタへの応用
 3.3 MOS LSIへの応用
 3.4 太陽電池への応用

4.ALD/ALE技術の将来
 4.1 ALD/ALE技術の課題
 4.2 ALD/ALE技術の展望

<質疑応答>

■ご講演中のキーワード:

MOSFET、薄膜トランジスタ、超LSI、微細加工、パワーデバイス、太陽電池

セミナー番号:AD211202

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