SiCパワー半導体セミナー:2022年5月 大谷昇教授
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Zoom見逃し視聴あり

オンライン受講/見逃視聴なし → 

オンライン受講/見逃視聴あり → 

シリコンカーバイド(SiC)研究20年以上の大谷先生がわかりやすく解説!

SiCパワー半導体の最前線

〜SiC単結晶ウェハ開発とビジネス展開〜


<Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴あり>

講師

関西学院大学 工学部 教授 Ph.D. 大谷 昇 先生

日時・会場・受講料

●日時 2022年5月30日(月) 10:30-16:30
●会場 会場での講義は行いません。
●受講料
  【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

  【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・録画行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
 (開催1週前〜前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
 無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
●受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。 req@johokiko.co.jp

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

下記ご確認の上、お申込み下さい(クリックして展開「▼」:一部のブラウザーでは展開されて表示されます)
・PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております(20Mbbs以上の回線をご用意下さい)。
 各ご利用ツール別の、動作確認の上お申し込み下さい。
・開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報下さい。
・その他、受講に際してのご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。
 <req@johokiko.co.jp>

Zoom
Zoomを使用したオンラインセミナーとなります(クリックして展開「▼」)
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
 お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
 → 確認はこちら
 *Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です
 →参加方法はこちら
 →※一部のブラウザーは音声(音声参加ができない)が聞こえない場合があります、
   必ずテストサイトからチェック下さい。
   対応ブラウザーについて(公式);コンピューターのオーディオに参加に対応してないものは音声が聞こえません

見逃し視聴あり
申込み時に(見逃し視聴有り)を選択された方は、見逃し視聴が可能です。
(クリックして展開「▼」)
・原則、開催5営業日後に録画動画の配信を行います(一部、編集加工します)。
・視聴可能期間は配信開始から1週間です。
(GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間の設定を延長します。)
 セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
 尚、閲覧用URLはメールでご連絡致します。
 ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
 (見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承下さい。

 →こちらから問題なく視聴できるかご確認下さい(テスト視聴動画へ)パスワード「123456」


セミナーポイント

■はじめに
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード(SBD)、金属?酸化膜?半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

■想定される主な受講対象者
半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、
電気自動車を開発している或いは電気自動車関連の技術に興味のある
企業の技術者・技術企画担当者・営業担当者、商社マン

■本セミナーに参加して修得できること
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、
SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得できます。

セミナー内容

【10:30〜12:00】 
SiCパワー半導体開発の現状


1. SiCパワー半導体開発の背景
  1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
  1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

2. SiCパワー半導体開発の歴史
  2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期
  2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
  3.1. SiCパワー半導体の市場
  3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
  3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース

4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
  4.1. SiC単結晶とは?
  4.2. SiC単結晶の物性と特長
  4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用

5. SiCパワーデバイスの最近の進展
  5.1. SiCパワーデバイスの特長
  5.2. SiCパワーデバイス(SBD、MOSFET)の現状
  5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用

【13:00〜14:30】
SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望


6. SiC単結晶のバルク結晶成長
  6.1. SiC単結晶成長の熱力学
  6.2. 昇華再結晶法
  6.3. 溶液成長法
  6.4. 高温CVD法(ガス法)
  6.5. その他成長法
        
7. SiC単結晶ウェハの加工技術
  7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
  7.2. SiC単結晶の切断技術
  7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術

8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
  8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
  8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

【14:45〜16:15】 
SiC単結晶ウェハ製造の技術課題


9. SiC単結晶のポリタイプ制御
  9.1. SiC単結晶のポリタイプ現象
  9.2. 各種ポリタイプの特性
  9.3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
        
10. SiC単結晶中の拡張欠陥
  10.1. 各種拡張欠陥の分類
  10.2. 拡張欠陥の評価法
        
11. SiC単結晶のウェハ加工
  11.1. ウェハ加工の技術課題
  11.2. ウェハ加工技術の現状
        
12. SiCエピタキシャル薄膜成長
  12.1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題
  12.2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状
        
13. SiC単結晶ウェハの電気特性制御
  13.1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
  13.2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
        
14. SiC単結晶ウェハの高品質化
  14.1. マイクロパイプ欠陥の低減
  14.2. 貫通転位の低減
  14.3. 基底面転位の低減
        
15. まとめ

【16:15〜16:30】 
質疑応答


講師紹介

【略歴】
1960年、東京都生まれ。1984年に東京工業大学修士課程物理学専攻修了。同年、新日本製鐵(株)入社。同社中央研究本部第一技術研究所配属。その後、エレクトロニクス研究所を経て、先端技術研究所に勤務。一貫して、半導体材料・デバイスの研究開発に従事。特に、パワーデバイス用シリコンカーバイド(SiC)半導体の研究開発・事業化に注力。2008年に関西学院大学教授に就任。その間、1991〜1993年英国Imperial College London博士課程在学。1993年同課程修了(Ph.D.取得)。1997年日本金属学会技術開発賞受賞。2007年日経BP技術賞受賞。2021年応用物理学会フェロー表彰受賞。

【専門】
SiC半導体材料の結晶成長並びに欠陥物理学。

【本テーマ関連学協会での活動】
(公社)応用物理学会:代議員、先進パワー半導体分科会幹事長
日本結晶成長学会:理事、評議員
The Electrochemical Society (ECS):Symposium organizer
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM):実行委員長、国際プログラム委員
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM):国際プログラム委員
Japanese Journal of Applied Physics/ Applied Physics Express編集委員
IEEE Transaction on Electron Devices, Special issue editor
ECS Journal of Solid State Science and Technology, Special issue editor

セミナー番号:AD220546

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