ALD(原子層堆積法)の原理と薄膜形成法 セミナー
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Zoom見逃し視聴あり

オンライン受講/見逃視聴なし → 

オンライン受講/見逃視聴あり → 

ALDの原理、基礎からプロセスの開発、製品応用まで分かりやすく解説します!

ALD(原子層堆積法)の原理と薄膜形成法

〜薄膜の特性・評価および制御、最適化〜


<Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴あり>

講師

東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 工学博士 霜垣 幸浩 先生

日時・会場・受講料

●日時 2022年8月26日(金) 10:30-16:30
●会場  会場での講義は行いません。
●受講料
  【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

  【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・録画行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
 (開催1週前〜前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
 無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
●受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。 req@johokiko.co.jp

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

下記ご確認の上、お申込み下さい(クリックして展開「▼」:一部のブラウザーでは展開されて表示されます)
・PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております(20Mbbs以上の回線をご用意下さい)。
 各ご利用ツール別の、動作確認の上お申し込み下さい。
・開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報下さい。
・その他、受講に際してのご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。
 <req@johokiko.co.jp>

Zoom
Zoomを使用したオンラインセミナーとなります(クリックして展開「▼」)
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
 お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
 → 確認はこちら
 *Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です
 →参加方法はこちら
 →※一部のブラウザーは音声(音声参加ができない)が聞こえない場合があります、
   必ずテストサイトからチェック下さい。
   対応ブラウザーについて(公式);コンピューターのオーディオに参加に対応してないものは音声が聞こえません

見逃し視聴あり
申込み時に(見逃し視聴有り)を選択された方は、見逃し視聴が可能です。
(クリックして展開「▼」)
・原則、開催5営業日後に録画動画の配信を行います(一部、編集加工します)。
・視聴可能期間は配信開始から1週間です。
(GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間の設定を延長します。)
 セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
 尚、閲覧用URLはメールでご連絡致します。
 ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
 (見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承下さい。

 →こちらから問題なく視聴できるかご確認下さい(テスト視聴動画へ)パスワード「123456」


セミナーポイント

Atomic Layer Deposition(ALD、原子層堆積法)による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition(CVD、気相薄膜形成法)と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
 このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。また、近年急速に注目を集めているALEt(Atomic Layer Etching)についても、開発動向やプロセスの特性などを解説します。

■この講座を受講して習得できること:
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・上記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発・解析能力
・エッチングへの応用としてALEtを学ぶことが出来ます。

セミナー内容

T 薄膜作製の基礎
1.薄膜作製入門
 1.1 薄膜の種類と用途
 1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
 1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
 1.4 PVDとCVD、ALD

2.真空の基礎知識
 2.1 真空度とは
 2.2 平均自由行程とクヌッセン数
 2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計

3.PVDプロセス
 3.1 真空蒸着の基礎
 3.2 スパッタリング

U ALD/CVDプロセスの反応機構と速度論
4.ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
 4.1 CVDプロセスの素過程
 4.2 CVDプロセスの速度論
  4.2.1 製膜速度の温度依存性−表面反応律速と拡散律速
  4.2.2 製膜速度の濃度依存性−1次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
 4.3 CVDプロセスの均一性

5.表面・気相の反応機構解析入門
 5.1 素反応機構と総括反応機構
 5.2 気相反応の第一原理計算と精度
 5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析

V ALDプロセスの基礎と展開
6.ALDプロセスの基礎
 6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
 6.2 ALDプロセスの歴史的展開
 6.3 ALDプロセスの理想と現実
  6.3.1 ALDプロセスの温度依存性
  6.3.2 ALDプロセスの均一性
  6.3.3 ALDプロセスの量産性

7.ALDプロセスの応用と展開
 7.1 ALDプロセスの応用用途
 7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
  7.2.1 Quartz Crystal Microbalance(QCM)によるその場観察と最適化
  7.2.2 製膜遅れ時間(Incubation Time)の観測と最適化
 7.3 新しいALD技術
  7.3.1 プラズマALD、ホットワイヤーALD
  7.3.2 Spatial ALD
  7.3.3 Atomic Layer Etching(ALEt)
 7.4 ALD関連国際会議について

<質疑応答>

セミナー番号:AD220885

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