半導体イオン注入・アニール技術セミナー:2022年9月15日開催オンライン配信
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はこちら→ req@johokiko.co.jp



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Zoom見逃し視聴あり

オンライン受講/見逃視聴なし → 

オンライン受講/見逃視聴あり → 

不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、
MOS ICの微細化との関連を中心に解説します。

半導体製造プロセスにおける

イオン注入・アニール(熱処理)の徹底解説


<Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴あり>

講師

サクセスインターナショナル株式会社 技術顧問 工学博士 鈴木 俊治 先生

日時・会場・受講料

●日時 2022年9月15日(木) 12:30-16:30
●会場 会場での講義は行いません。
●受講料
  【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名41,800円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

  【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・録画行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
 (開催1週前〜前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
 無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
●受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。 req@johokiko.co.jp

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

下記ご確認の上、お申込み下さい(クリックして展開「▼」:一部のブラウザーでは展開されて表示されます)
・PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております(20Mbbs以上の回線をご用意下さい)。
 各ご利用ツール別の、動作確認の上お申し込み下さい。
・開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報下さい。
・その他、受講に際してのご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。
 <req@johokiko.co.jp>

Zoom
Zoomを使用したオンラインセミナーとなります(クリックして展開「▼」)
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
 お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
 → 確認はこちら
 *Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です
 →参加方法はこちら
 →※一部のブラウザーは音声(音声参加ができない)が聞こえない場合があります、
   必ずテストサイトからチェック下さい。
   対応ブラウザーについて(公式);コンピューターのオーディオに参加に対応してないものは音声が聞こえません

見逃し視聴あり
申込み時に(見逃し視聴有り)を選択された方は、見逃し視聴が可能です。
(クリックして展開「▼」)
・原則、開催5営業日後に録画動画の配信を行います(一部、編集加工します)。
・視聴可能期間は配信開始から1週間です。
(GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間の設定を延長します。)
 セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
 尚、閲覧用URLはメールでご連絡致します。
 ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
 (見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承下さい。

 →こちらから問題なく視聴できるかご確認下さい(テスト視聴動画へ)パスワード「123456」


セミナーポイント

■はじめに
半導体デバイスへの不純物導入はそのデバイスの性能・機能を左右する極めて重要な技術である。特に、先端のLSIでは複雑な不純物領域を持つ構造となっており、それには、精度の高い不純物層形成が重要である。
本セミナーでは、不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、MOS ICの微細化との関連を中心として解説する。イオン注入技術ではその原理と装置の構造、および、MOS ICの微細化に対応する、精度の高い不純物層形成のためのイオン注入技術の課題とその対策を示す。アニール技術では、MOS ICの微細化に対応するアニールの手法、イオン注入によって導入されるSi結晶欠陥のアニールによる回復の過程を解説する。MOS IC以外のデバイス作製のためのイオン注入技術についても簡単に紹介する。

■想定される主な受講対象者
・半導体関連の材料・装置メーカーなどの主に若手〜中堅の研究者/開発者/技術者/製造担当者
・異分野から半導体製造工程に関わることになった方など…初心者の方でも受講OKです!

■必要な予備知識
物理、電気の基礎知識、MOSトランジスタ動作の基本知識
(全く基本的な知識があれば可能)

■本セミナーに参加して修得できること
・MOS IC作製のためのイオン注入技術の詳細と課題。
・微細CMOSのイオン注入技術に対する要求
・イオン注入により破壊された結晶を回復させるアニールの手法
・アニールによる結晶回復に関する知識

セミナー内容

1.CMOS ICの微細化

 1.1 MOSトランジスタの微細化とその構造変化に対応するイオン注入技術
 1.2 MOS ICの高性能化、高機能化と特性最適化のための構造とイオン注入技術
   ・チャネル注入、デゥアルゲート構造、LDD構造、Deep Well構造
 1.3 MOS IC高信頼化のための構造とイオン注入技術
   ・LDD構造、Twin Well構造、Deep Well構造
 1.4 微細化に伴う課題克服のための構造とイオン注入技術(主に短チャネル効果とその対策)
   ・浅いソースドレイン、パンチスルーストッパー、エクステンション構造
   ・ハロー(ポケット)構造、Retrogradeチャネル構造
   ・短チャネル効果を回避するトランジスタ構造(FinFET, Nanowire Tr)

2.イオン注入技術

 2.1 イオン注入の原理と装置構造
   ・高電流注入装置、中電流注入装置、高エネルギー注入装置、プラズマドープ装置
 2.2 CMOS ICでのイオン注入の適用
   ・イオン注入領域と注入装置の種類
   ・イオン注入領域と注入条件
 2.3 イオン注入に伴う問題と対策
   ・イオンビーム精度、チャネリング、チャージアップ、ビームBrow up、金属汚染、
   ・注入損傷

3.アニール技術

 3.1 アニール手法
   ・電気炉アニール
   ・高温短時間アニール(Rapid Thermal Anneal : RTA)
   ・フラッシュランプアニール
   ・レーザーアニール
 3.2 注入不純物の活性化過程
 3.3 結晶の回復と2次欠陥の生成、展開
 3.4 光アニール技術の課題

4.その他のイオン注入技術とアニール技術

 4.1 CMOSイメージセンサー、パワーデバイス、V‐X属化合物半導体デバイス、
 4.2 SiCデバイス

5.イオン注入に関連する解析技術
 
 5.1 イオン注入量モニター
 5.2 不純物濃度分布解析
 5.3 キャリアの濃度分布解析
 5.4 結晶性解析
 5.5 汚染物質解析

講師紹介

【略歴】
ソニー(株)中央研究所にて半導体(Si, GaAs)のデバイス及びプロセス技術の研究開発に従事、
その後、同社超LSI研究所でLSIプロセス技術の研究開発に従事する、
さらに、(株)SEN(現、住友重機械イオンテクノロジー(株))に移り、
イオン注入装置の開発企画、開発促進に従事し、現在に至る。
この間、琉球大学理工学部博士研究員、千葉大学工学部非常勤講師を歴任した。

【専門】
イオン注入技術、半導体熱処理技術、半導体デバイスの製造プロセス技術全般

【本テーマ関連学協会での活動】
半導体集積回路技術シンポジュームプログラム委員、
電機化学会 雑誌「電気化学」編集委員
半導体産業人協会 教育委員会委員

セミナー番号:AD220946

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