パワーデバイス(SiC/GaN)半導体セミナー:筑波大学・岩室憲幸教授_2024年3月26日
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はこちら→ req@johokiko.co.jp



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Zoom見逃し視聴あり

オンライン受講/見逃視聴なし → 

オンライン受講/見逃視聴あり → 


SiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について
パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含めわかりやすく丁寧に解説します!
また、酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状についてもご紹介します。

パワーデバイスの基礎ならびに

SiC/GaNデバイス・実装の最新技術動向


<Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴あり>

講師

国立大学法人 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学) 岩室 憲幸 先生

日時・会場・受講料

●日時 2024年3月26日(火) 10:30-16:30
●会場 会場での講義は行いません。
●受講料
  【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

  【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・録画行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

※配布資料等について

●配布資料はPDF等のデータで配布致します。ダウンロード方法等はメールでご案内致します。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前〜前日を目安にご連絡致します。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
 (土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。(全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止致します。
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@johokiko.co.jp

オンラインセミナーご受講に関する各種案内(ご確認の上、お申込みください。)
・PC/タブレット/スマートフォン等、Zoomが使用できるデバイスをご用意ください。
・インターネット 回線速度の目安(推奨) 下り:20Mbps以上
・開催が近くなりましたら、Zoom入室URL、配布資料、当日の流れなどをメールでご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報ください。
・受講者側のVPN、セキュリティ設定、通信帯域等のネットワーク環境ならびに使用デバイスの不具合については弊社では対応致しかねますので予めご了承ください。

Zoom
Zoom使用に関する注意事項(クリックして展開)
・公式サイトから必ず事前のテストミーティングをお試しください。
 → 確認はこちら
 →Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomで音声が聞こえない、
  カメラ・マイクが使えない等の事象が起きる可能性がございます。
  お手数ですが、これらのアプリは閉じた状態にてZoomにご参加ください。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。
 →参加方法はこちら
 →一部のブラウザは音声が聞こえない等の不具合が起きる可能性があります。
  対応ブラウザをご確認の上、必ず事前のテストミーティング をお願いします。
  (iOSやAndroidOS ご利用の場合は、アプリインストールが必須となります)

見逃し視聴あり
申込み時に(見逃し視聴あり)を選択された方は、見逃し視聴が可能です。
(クリックして展開)
・見逃し視聴ありでお申込み頂いた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。
・セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
・原則、遅くとも開催5営業日後までに録画動画の配信を開始します(一部、編集加工します)。
・視聴期間はセミナー開催日から5営業日後を起点に1週間となります。
 ex) 2/6(月)開催 セミナー → 2/10(金)までに配信開始 → 2/17(金)まで視聴可能
 ※メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
 ※準備出来しだい配信致しますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。
  上記例の場合、2/8(水)から開始となっても2/17まで視聴可能です。
 ※GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
 ※原則、配信期間の延長は致しません。
 ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
  (見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承ください。
 →見逃し視聴について、こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。(テスト視聴動画へ) パスワード「123456」 

セミナーポイント

■はじめに
2023年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強のライバルであるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

■受講対象
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、
パワーデバイス販売ご担当者

■必要な予備知識
教養程度の工学の知識があれば十分です。

■本セミナーに参加して修得できること
パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向。パワーデバイス市場。シリコンIGBTの強み。
SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

セミナー内容

1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とは?

  1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
  1-2 パワー半導体の種類と基本構造
  1-3 パワーデバイスの適用分野
  1-4 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか?
  1-5 MOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
  1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か?

2.最新シリコンMOSFET, IGBTの進展と課題

  2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
  2-2 パワーデバイス開発のポイント
  2-3 最新MOSFET, IGBTを支える技術
  2-4 IGBT 薄ウェハ化の限界
  2-5 IGBT特性改善の次の三手
  2-6 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の誕生
  2-7 シリコンIGBTの実装技術

3.SiCパワーデバイスの現状と課題

  3-1 半導体デバイス材料の変遷
  3-2 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスの中でトップなのか
  3-3 SiCのSiに対する利点
  3-4 各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか?
  3-5 SiCウェハができるまで
  3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
  3-7 SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき4つの課題
  3-8 SiC-MOSFET最近のトピックス
  3-9 SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
  3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
  3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
  3-12 最新SiC MOSFET技術
 
4.GaNパワーデバイスの現状と課題

  4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
  4-2 GaNデバイスの構造
  4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
  4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
  4-5 ノーマリ−オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
  4-6 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
  4-7 GaN-HEMTの課題
  4-8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
  4-9 縦型GaNデバイスの最新動向
  4-10 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?

5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状

  5-1 酸化ガリウムとその特徴
  5-2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
  5-3 ダイヤモンドパワーデバイス開発状況

6.SiCパワーデバイス高温対応実装技術

  6-1 高温動作ができると何がいいのか
  6-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
  6-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
  6-4 SiCモジュールに必要な実装技術

7.まとめ

講師紹介

【講師略歴】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、
IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事.
1999年〜2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009 年5月〜2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月〜 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。

【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計技術

【本テーマ関連学協会での活動】
IEEE Senior Member
IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
電気学会 シリコンならびに新材料パワーデバイス・IC技術調査専門委員会 元委員長
電気学会上級会員、応用物理学会会員
パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD) 2017, 2021 Steering Committee Member.

セミナー番号:AD240344

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