半導体エッチング技術 セミナー
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Zoom見逃し視聴あり

オンライン受講/見逃視聴なし → 

オンライン受講/見逃視聴あり → 


★益々進む半導体回路の高集積化/三次元化に伴い、今後の半導体製造プロセスには、更に進んだエッチング技術が必要に!
★メーカーで様々なエッチングに携わってきた経験豊富な講師が、最先端の技術トレンドや実経験におけるトラブル事例などを交えながら分かり易く解説します。

エッチング基礎最新技術

~ドライ/ウェットエッチングのメカニズムからプロセス技術、
各種材料のエッチング技術、原子層エッチング(ALE)まで~

<Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴有>

講師

(株)日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 プロセスシステム製品本部 プロセス東京技術センタ 主任技師 博士(工学)  篠田 和典 氏

日時・会場・受講料

●日時 2024年9月13日(金) 10:30-16:30
●会場 会場では行いません
●受講料
 【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

 【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

  *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。
   →「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・撮影行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

※配布資料等について

●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付致します。
・お申込の際にお受け取り可能な住所を必ずご記入ください。
・郵送の都合上、お申込みは4営業日前までを推奨します。(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)
・それ以降でもお申込みはお受けしておりますが(開催1営業日前の12:00まで)、その場合、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございますことご了承ください。
・資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。


●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。(全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止致します。

オンラインセミナーご受講に関する各種案内(ご確認の上、お申込みください。)
・PC/タブレット/スマートフォン等、Zoomが使用できるデバイスをご用意ください。
・インターネット 回線速度の目安(推奨) 下り:20Mbps以上
・開催が近くなりましたら、Zoom入室URL、配布資料、当日の流れなどをメールでご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報ください。
・受講者側のVPN、セキュリティ設定、通信帯域等のネットワーク環境ならびに使用デバイスの不具合については弊社では対応致しかねますので予めご了承ください。

Zoom
Zoom使用に関する注意事項(クリックして展開)
・公式サイトから必ず事前のテストミーティングをお試しください。
 → 確認はこちら
 →Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomで音声が聞こえない、
  カメラ・マイクが使えない等の事象が起きる可能性がございます。
  お手数ですが、これらのアプリは閉じた状態にてZoomにご参加ください。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。
 →参加方法はこちら
 →一部のブラウザは音声が聞こえない等の不具合が起きる可能性があります。
  対応ブラウザをご確認の上、必ず事前のテストミーティング をお願いします。
  (iOSやAndroidOS ご利用の場合は、アプリインストールが必須となります)

見逃し視聴あり
申込み時に(見逃し視聴あり)を選択された方は、見逃し視聴が可能です。
(クリックして展開)
・見逃し視聴ありでお申込み頂いた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。
・セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
・原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します(一部、編集加工します)。
・視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。
 ex) 2/6(月)開催 セミナー → 2/10(金)までに配信開始 → 2/17(金)まで視聴可能
 ※メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
 ※準備出来しだい配信致しますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。
  上記例の場合、2/8(水)から開始となっても2/17まで視聴可能です。
 ※GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
 ※原則、配信期間の延長は致しません。
 ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
  (見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承ください。
 →見逃し視聴について、こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。(テスト視聴動画へ) パスワード「123456」 

セミナーポイント

 プラズマを用いたドライエッチングや薬液を用いたウェットエッチングは、半導体集積回路を開発、製造する際に必要不可欠な技術である。生成AIに代表される人工知能の急速な発展に伴って、データ処理を担う半導体集積回路の高集積化への要求は益々高まっており、半導体製造プロセスでは、原子層レベルの制御性でエッチングする技術が求められている。また、微細化の物理限界が近づいたことにより、三次元積層化や、新構造、新チャネル材料が検討されており、様々な材料を高精度に三次元加工する技術が重要となる。
 本セミナーでは、ドライエッチングおよびウェットエッチングについて、エッチング反応の原理から装置、微細化/三次元化のトレンド、シリコン系材料やIII-V族化合物半導体のエッチング技術,そして最先端の原子層エッチング(ALE)開発事例までを、メーカで化合物半導体光デバイスのエッチング技術やシリコンLSI向け先端エッチング技術の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かり易く解説する。

○受講対象:
 シリコン系,および化合物半導体系デバイスの開発に携わっている方 など

○受講後、習得できること:
 ウェットエッチングの基礎知識,ドライエッチングの基礎知識,各種材料のエッチング技術,原子層エッチングの最前線 など

セミナー内容

1. 半導体デバイスのトレンド/構造/製造プロセス
 1) 半導体デバイスのトレンド

  a) ロジックデバイス
  b) メモリーデバイス
  c) 光デバイス
 2) 半導体デバイスの構造
  a) ロジックデバイス
  b) メモリーデバイス
  c) 光デバイス
 3) 半導体デバイスの製造プロセス

2. デバイス製造プロセスにおけるエッチング
 1) エッチングプロセスの種類
 2) エッチングプロセス技術

  a) 高アスペクト比エッチング技術
  b) 高速エッチング技術
  c) 難エッチング材のエッチング技術
  d) 高選択比エッチング技術
 3) エッチングプロセスの課題
  a) 3D-NANDエッチングの課題
  b) ナノワイヤFETエッチングの課題
  c) 光デバイスエッチングの課題

3. プラズマエッチングの基礎及びプロセス技術
 1) プラズマエッチング装置の種類及び特徴
 2) プラズマエッチングプロセスの特徴・要点
 3) プラズマエッチングの原理
 4) プラズマエッチングにおけるプロセス制御の考え方

  a) エッチング反応
  b) エッチング速度
  c) エッチング選択比
  d) エッチング形状
 5) プラズマエッチング損傷
  a) 損傷のメカニズム
  b) 損傷の評価法
  c) 損傷の低減策
  d) プラズマエッチングとウェットエッチングの損傷比較
 6) 各種材料のプラズマエッチング技術及びプロセス制御のポイント
  a) Si
  b) SiO2
  c) Si3N4
  d) GaAs
  e) InP
  f) GaN

4. ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術
 1) ウェットエッチングの原理

  a) エッチング液の構成と化学反応
  b) 酸化剤および標準酸化還元電位
  c) エッチング液に用いられる各種試薬
 2) ウェットエッチングの律速過程
  a) 反応律速と拡散律速
  b) 半導体結晶構造と面方位依存性
 3) ウェットエッチングにおけるプロセス制御の考え方
  a) エッチング反応
  b) エッチング速度
  c) エッチング選択比
  d) エッチング形状
 4) 各種半導体のウェットエッチング技術及びプロセス制御のポイント
  a) Si
  b) SiO2
  c) Si3N4
  d) GaAs
  e) InP
  f) GaN

5. 原子層エッチングの基礎と最新技術
 1) 原子層プロセス技術のトレンド
 2) 原子層エッチングの基礎と分類
 3) 有機金属錯体反応を用いた熱ALE

  a) La2O3
  b) Co
 4) プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE
  a) Si3N4
  b) TiN
  c) W
 5) ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE
  a) SiO2
 6) フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE
  b) Si3N4

6. 実プロセスにおけるエッチングの課題・トラブル事例と対策
 1) 光デバイスエッチングにおける凹凸発生

  a) エッチャント組成最適化による平滑化
  b) 平滑エッチングによるデバイス高信頼化

7. 今後の課題

  <質疑応答>

セミナー番号:AD2409M0

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