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Zoom

パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術がわかります!
さらに市場動向、シリコンIGBTの強み。SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題まで。

パワーデバイスセミナー:

電気自動車シフトではずみのついたパワーデバイス・


パッケージ開発の最新技術
〜シリコン(Si)およびSiC/GaNデバイスと実装の最新技術〜

<Zoomによるオンラインセミナー>

講師

国立大学法人 筑波大学
数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学) 岩室 憲幸 先生

→このセミナーを知人に紹介する

日時・会場・受講料

●日時 2021年5月24日(月) 10:30-16:30
●会場 会場での講義は行いません。
●受講料 1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

●録音・録画行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
 (開催1週前〜前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
 無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
●受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。 req@johokiko.co.jp


※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

下記ご確認の上、お申込み下さい(クリックして展開「▼」:一部のブラウザーでは展開されて表示されます)
・PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております(20Mbbs以上の回線をご用意下さい)。
 各ご利用ツール別の、動作確認の上お申し込み下さい。
・開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報下さい。
・その他、受講に際してのご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。
 <req@johokiko.co.jp>

Zoom
Zoomを使用したオンラインセミナーとなります(クリックして展開「▼」)
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
 お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
 → 確認はこちら
 *Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です
 →参加方法はこちら
 →※一部のブラウザーは音声(音声参加ができない)が聞こえない場合があります、
   必ずテストサイトからチェック下さい。
   対応ブラウザーについて(公式);コンピューターのオーディオに参加に対応してないものは音声が聞こえません

セミナーポイント

■はじめに
2021年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これは言い換えると、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

■受講対象
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、
パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

■必要な予備知識
教養程度の工学の知識があれば十分です。

■本セミナーに参加して修得できること
パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向。
パワーデバイス市場。シリコンIGBTの強み。SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題。
SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

【岩室先生のトピックス】
2020年4月 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞
2020年12月 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞を受賞
      (内容:SBD内蔵SiC MOSFET 金属変更で実用化に道筋)

セミナー内容

1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とは?

   1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
   1-2 パワー半導体の種類と基本構造
   1-3 パワーデバイスの適用分野
   1-4 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか?
   1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
   1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か?

2.最新シリコンIGBTの進展と課題

   2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
   2-2 パワーデバイス(IGBT)開発のポイント
   2-3 最新IGBTを支える技術
   2-4 薄ウェハ化の限界
   2-5 IGBT特性改善の次の一手
   2-6 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の誕生
   2-7 シリコンIGBTの実装技術

3.SiCパワーデバイスの現状と課題

   3-1 半導体デバイス材料の変遷
   3-2 なぜSiCパワーデバイスなのか
   3-3 SiCのSiに対する利点
   3-4 各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか?
   3-5 SiCウェハができるまで
   3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
   3-7 SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき課題
   3-8 SiC-MOSFET最近のトピックス
   3-9 SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
   3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
   3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
   3-12 ショットキーバリアダイオード(SBD)内蔵SiC-MOSFET
 
4.GaNパワーデバイスの現状と課題

   4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
   4-2 GaNデバイスの構造
   4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
   4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
   4-5 ノーマリ−オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
   4-6 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
   4-7 GaN-HEMTの課題
   4-8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
   4-9 縦型GaNデバイスの最新動向
   4-10 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?

5.SiCパワーデバイス高温対応実装技術

   5-1 高温動作ができると何がいいのか
   5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
   5-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
   5-4 SiCモジュールに必要な実装技術

6.まとめ

講師紹介

【講師略歴】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、
IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事.
1999年〜2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009年5月〜2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月〜 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。

【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計技術

【本テーマ関連学協会での活動】
IEEE Senior Member
IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
電気学会 シリコンならびに新材料パワーデバイス・IC技術調査専門委員会 元委員長
電気学会上級会員、応用物理学会会員
パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD) 2017, 2021 Steering Committee Member.

セミナー番号:AG210534

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