パワーデバイス　セミナー　電気自動車

講師

国立大学法人　筑波大学
数理物質系　物理工学域　教授 博士（工学） 岩室 憲幸　先生

日時・会場・受講料

●日時　2021年5月24日（月）　10:30-16:30
●会場　会場での講義は行いません。
●受講料　1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
　　　　　 ＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

●録音・録画行為は固くお断り致します。

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
　（開催1週前〜前日までには送付致します）。
＊準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
（全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
　無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
●受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。 req@johokiko.co.jp

セミナーポイント

■はじめに
2021年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これは言い換えると、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

■受講対象
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、
パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

■必要な予備知識
教養程度の工学の知識があれば十分です。

■本セミナーに参加して修得できること
パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向。
パワーデバイス市場。シリコンIGBTの強み。SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題。
SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

【岩室先生のトピックス】
2020年4月　電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞
2020年12月　日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞を受賞
　　　　　　（内容：SBD内蔵SiC MOSFET　金属変更で実用化に道筋）

セミナー内容

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは？

　　　1-1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
　　　1-2 パワー半導体の種類と基本構造
　　　1-3 パワーデバイスの適用分野
　　　1-4 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか？
　　　1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
　　　1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か？

２．最新シリコンIGBTの進展と課題

　　　2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
　　　2-2 パワーデバイス（IGBT）開発のポイント
　　　2-3 最新IGBTを支える技術
　　　2-4 薄ウェハ化の限界
　　　2-5 IGBT特性改善の次の一手
　　　2-6 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の誕生
　　　2-7 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題

　　　3-1 半導体デバイス材料の変遷
　　　3-2 なぜSiCパワーデバイスなのか
　　　3-3 SiCのSiに対する利点
　　　3-4 各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか？
　　　3-5 SiCウェハができるまで
　　　3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
　　　3-7 SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき課題
　　　3-8 SiC-MOSFET最近のトピックス
　　　3-9 SiCのデバイスプロセス（Siパワーデバイスと何が違うのか）
　　　3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
　　　3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　　　3-12 ショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵SiC-MOSFET
　
４．GaNパワーデバイスの現状と課題

　　　4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　　　4-2 GaNデバイスの構造
　　　4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
　　　4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　　　4-5 ノーマリ−オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　　　4-6 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
　　　4-7 GaN-HEMTの課題
　　　4-8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
　　　4-9 縦型GaNデバイスの最新動向
　　　4-10 縦型SiCデバイス　対　縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに？

５．SiCパワーデバイス高温対応実装技術

　　　5-1 高温動作ができると何がいいのか
　　　5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　　　5-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
　　　5-4 SiCモジュールに必要な実装技術

６．まとめ

講師紹介

【講師略歴】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、
ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事.
1999年〜2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009年5月〜2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月〜　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。

【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計技術

【本テーマ関連学協会での活動】
IEEE Senior Member
IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
電気学会　シリコンならびに新材料パワーデバイス・IC技術調査専門委員会　元委員長
電気学会上級会員、応用物理学会会員
パワー半導体国際シンポジウム（ＩSPSD） 2017, 2021　Steering Committee Member.