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セミナーポイント
■はじめに
2021年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これは言い換えると、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
■受講対象
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、
パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者
■必要な予備知識
教養程度の工学の知識があれば十分です。
■本セミナーに参加して修得できること
パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向。
パワーデバイス市場。シリコンIGBTの強み。SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題。
SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など
【岩村先生のトピックス】
2020年4月 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞
2020年12月 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞を受賞
（内容：SBD内蔵SiC MOSFET 金属変更で実用化に道筋）
セミナー内容
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは？
1-1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか？
1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か？
２．最新シリコンIGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 パワーデバイス（IGBT）開発のポイント
2-3 最新IGBTを支える技術
2-4 薄ウェハ化の限界
2-5 IGBT特性改善の次の一手
2-6 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の誕生
2-7 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 なぜSiCパワーデバイスなのか
3-3 SiCのSiに対する利点
3-4 各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか？
3-5 SiCウェハができるまで
3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
3-7 SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき課題
3-8 SiC-MOSFET最近のトピックス
3-9 SiCのデバイスプロセス（Siパワーデバイスと何が違うのか）
3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-12 ショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵SiC-MOSFET
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-5 ノーマリ−オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
4-6 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
4-7 GaN-HEMTの課題
4-8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
4-9 縦型GaNデバイスの最新動向
4-10 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに？
５．SiCパワーデバイス高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
5-4 SiCモジュールに必要な実装技術
６．まとめ
講師紹介
【講師略歴】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、
ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事.
1999年〜2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009年5月〜2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月〜 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計技術
【本テーマ関連学協会での活動】
IEEE Senior Member
IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
電気学会 シリコンならびに新材料パワーデバイス・IC技術調査専門委員会 元委員長
電気学会上級会員、応用物理学会会員
パワー半導体国際シンポジウム（ＩSPSD） 2017, 2021 Steering Committee Member.
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