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Zoom

本セミナーでは半導体光電極、特にシリコンカーバイド(SiC)光電極を用いた
人工光合成技術を解説します。

半導体光触媒を用いた人工光合成

〜シリコンカーバイド(SiC)の活用、CO2を発生させない水素生成〜

<Zoomによるオンラインセミナー>

講師

名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授 博士(工学) 加藤 正史 先生


日時・会場・受講料

●日時 2021年9月28日(火) 12:30-16:30
●会場 会場での講義は行いません。
●受講料 1名41,800円(税込(消費税10%)、資料付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円
      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・録画行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
 (開催1週前〜前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
 無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
●受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。 req@johokiko.co.jp

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

下記ご確認の上、お申込み下さい(クリックして展開「▼」:一部のブラウザーでは展開されて表示されます)
・PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております(20Mbbs以上の回線をご用意下さい)。
 各ご利用ツール別の、動作確認の上お申し込み下さい。
・開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報下さい。
・その他、受講に際してのご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。
 <req@johokiko.co.jp>

Zoom
Zoomを使用したオンラインセミナーとなります(クリックして展開「▼」)
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
 お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
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 *Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です
 →参加方法はこちら
 →※一部のブラウザーは音声(音声参加ができない)が聞こえない場合があります、
   必ずテストサイトからチェック下さい。
   対応ブラウザーについて(公式);コンピューターのオーディオに参加に対応してないものは音声が聞こえません

セミナーポイント

■はじめに
本セミナーでは半導体光電極、特にシリコンカーバイド(SiC)光電極を用いた人工光合成技術を解説します。
光電極による人工光合成では太陽光のエネルギーと水だけでエネルギー資源である水素を製造できます。また、SiC光電極を用いると耐久性とエネルギー変換効率を両立することができます。しかしながら、SiCの結晶成長は容易ではなく、高効率な光電極を作るには高度な技術が必要となります。従って、SiCの物性・結晶成長技術から、光電極による人工光合成の将来展望まで、他技術との比較も含めて幅広く解説します。

■想定される主な受講対象者
・半導体部材や新素材メーカーの技術者・研究者
・人工光合成、水素生成技術の研究者
・次代の研究テーマ、ビジネスの企画・調査を行う方

■必要な予備知識
半導体の知識があると理解が深まると思いますが、知識がない方でもわかるように、できるだけ平易に説明します。

■本セミナーに参加して修得できること
・光電極による人工光合成(水素生成)の原理
・SiC光電極の特徴と高効率化手法
・SiC結晶成長技術の概要

セミナー内容

1.水素エネルギー
   1−1 太陽光からの水素生成:人工光合成
   1−2 半導体光触媒・光電極

2.シリコンカーバイド(SiC)とは
   2−1 SiCの結晶構造
   2−2 SiCの結晶成長
   2−3 パワー半導体としてのSiC
   2−4 SiCの評価法
   2−5 他材料との相違・類似
   2−6 光電極としてのSiC

3.SiC光電極の基礎実験
   3−1 電極構成
   3−2 SiCによる水素生成可能性判定
   3−3 触媒活性確認
   3−4 ポリタイプ依存性

4.SiC光電極の特徴
   4−1 3C-SiC結晶成長の困難さ
   4−2 品質改善した3C-SiCとその陰極特性
   4−3 水素発生の様子
   4−4 助触媒効果
   4−5 pn接合の効果
   4−6 光閉じ込め効果
   4−7 酸化物光電極・太陽電池との組み合わせ
   4−8 長期耐久性

5.他手法との比較
   5−1 他の半導体光電極
   5−2 太陽電池−電解セル

6.将来展望
   6−1 光電極による人工光合成の将来展望
   6−2 SiC光電極の将来展望

7.まとめ

講師紹介

【講師略歴】
2003.4〜2008.3  名古屋工業大学大学院工学研究科 助手・助教
2008.4〜名古屋工業大学大学院工学研究科 准教授
2008.8〜2010.9(うち4か月間)リトアニアビリニュス大学研究員(兼任)
2016.7〜2021.3 名古屋大学 未来材料・システム研究所 客員准教授(兼任)

【専門】
半導体工学、エネルギー変換、材料評価

【本テーマ関連学協会での活動】
応用物理学会先進パワー半導体分科会幹事
応用物理学会学術講演会プログラム委員

セミナー番号:AG210931

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