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Zoom

【受講者特典として書籍を進呈します】

半導体プロセス(CMP・超臨界流体)セミナー

【1】CMP技術の基礎とその応用
【2】超臨界流体の半導体プロセス応用〜基礎から洗浄・薄膜まで〜


<Zoomによるオンラインセミナー>

講師

株式会社フジミインコーポレーテッド CMP事業本部
       副本部長 博士(工学) 菅井 和己 先生

山梨大学 工学部 教授 博士(工学) 近藤 英一 先生


日時・会場・受講料

●日時 2021年11月12日(金) 10:30-16:30
●会場 会場での講義は行いません。
●受講料 1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

  ●録音・録画行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
 (開催1週前〜前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
 無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
●受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。 req@johokiko.co.jp

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

下記ご確認の上、お申込み下さい(クリックして展開「▼」:一部のブラウザーでは展開されて表示されます)
・PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております(20Mbbs以上の回線をご用意下さい)。
 各ご利用ツール別の、動作確認の上お申し込み下さい。
・開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報下さい。
・その他、受講に際してのご質問・要望などございましたら、下記メールにてお問い合わせ下さい。
 <req@johokiko.co.jp>

Zoom
Zoomを使用したオンラインセミナーとなります(クリックして展開「▼」)
・ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
 お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
 → 確認はこちら
 *Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です
 →参加方法はこちら
 →※一部のブラウザーは音声(音声参加ができない)が聞こえない場合があります、
   必ずテストサイトからチェック下さい。
   対応ブラウザーについて(公式);コンピューターのオーディオに参加に対応してないものは音声が聞こえません

セミナーポイント

■受講者特典
セミナー資料として『半導体・MEMSのための超臨界流体』(コロナ社)を進呈します。

■想定される主な受講対象者
・半導体デバイスメーカー、半導体製造装置メーカー、
 半導体材料(ガス、薬品、化成品)メーカーのエンジニアや研究者
・超臨界流体実験を始めたい研究者
・めっき、ドライ薄膜加工業界のエンジニアや研究者
・新規プロセス、代替プロセスで超臨界流体利用を考えているエンジニア、研究者

■本セミナーに参加して修得できること
・CMPの基礎
・先端デバイスへのCMPの適用状況
・超臨界二酸化炭素流体の物理と化学
・超臨界二酸化炭素流体の利用分野・応用に関する知識
・気体、液体、超臨界流体の差異
・プロセス利用、装置考案の勘所

●第一部「CMP技術の基礎とその応用」

フジミインコーポレーテッド 菅井 和己 先生
・10:30〜11:40


■はじめに
先端のデバイスでは新しい材料や3D構造のトランジスタが採用され、さらに進化を遂げようとしている。このような中、CMPプロセスは新しい材料、構造を加工する技術として以前にも増して重要度が増している。本セミナーではCMPプロセス技術の基礎と多様化する先端半導体デバイスの製造プロセスにおけるCMPプロセスについてメカニズムも含めて解説する。

1.CMPの歴史

2.CMPの基礎
  2.1 CMP装置とウェハーの動き
  2.2 CMPの基礎
  2.3 CMPの性能

3.CMPアプリケーション
  3.1 FEOLへの応用
  3.2 BEOLへの応用

●第二部「超臨界流体の半導体プロセス応用〜基礎から洗浄・薄膜まで〜」

山梨大学 近藤 英一 先生
・12:30〜16:30


■はじめに
超臨界二酸化炭素流体は、最近、最先端のメモリー製造で超臨界流体を利用していることが明らかになりました。ドライでもウェットでもだめな場合に出番のある、究極の流体であることは間違いありません。新しい技術の利用には地道な研究開発が必要であり、そのためには超臨界流体の性質をよく理解する必要があります。
本セミナーでは、講師が執筆した『半導体・MEMSのための超臨界流体』をテキストに、気体や液体とは何が違うのか?という観点から、超臨界二酸化炭素流体の性質を説明します。さらに、半導体プロセス応用について、洗浄や薄膜処理を例として詳しく説明します。

1.超臨界二酸化炭素流体とマイクロ・ナノプロセス
  (1)物質の三態と超臨界流体
  (2)超臨界流体の性質
  (3)気体、液体との比較
     −物理的メリット
     −化学的メリット
  (4)マイクロ・ナノプロセスにおける超臨界流体のメリット

2.超臨界乾燥
  (1)毛管凝集と乾燥収縮
  (2)超臨界乾燥の原理と特長
  (3)半導体プロセス、MEMSプロセスへの応用

3.超臨界流体を用いた半導体洗浄
  (1)超臨界流体利用の背景
  (2)トランジスタ形成工程への利用
  (3)多層配線形成工程への利用
  (4)実用化に向けて

4.低誘電率薄膜、多孔体と超臨界流体
  (1)多孔質体プロセスにおけるメリット
  (2)細孔エンジニアリング

5.めっきへの応用
  (1)高分子材料のメタライズ
  (2)電気めっき、半導体配線めっきへの応用
  (3)無電解めっきへの応用

6.化学薄膜堆積
  (1)薄膜堆積における超臨界流体の役割
  (2)金属薄膜堆積
  (3)絶縁膜堆積

7.超臨界流体をもちいたエッチング加工
  (1)エッチングとは
  (2)超臨界流体中でのエッチング
  (3)一貫プロセスの可能性

8.まとめ

講師紹介

■菅井先生
NECで半導体プロセス(CMP、CVD)の研究開発に従事。
その後、(株)フジミインコーポレーテッドに移り、CMP用スラリーの開発に従事し、現在に至る。

【専門】半導体プロセス、CVDプロセス、CMPプロセス、スラリー開発

【本テーマ関連学協会での活動】
・精密工学会プラナリゼーション研究会 幹事
・応用物理学会

■近藤先生
・川崎製鐵(株)(現JFEスチール)入社 1987/04
・マックスプランク金属研究所 1995/04
・IMEC(ベルギー)研究員 1996/05
・山梨大学 助教授 2000/10
・山梨大学 教授 2007/11 現在に至る

【専門】電気電子材料工学、化学工学、表面・薄膜技術

【本テーマ関連学協会での活動】
・応用物理学会フェロー、日本機械学会フェロー
・表面技術協会 理事(元)、他多数

セミナー番号:AG211135

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