CMPプロセス技術セミナー:近畿大学・藤田隆先生_2024年3月19日オンライン配信
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Zoom

 ※都合により、日程が変更となりました。詳しくは下記にてご確認下さい(2024/1/24)。

<初級・中級者向け>CMPの基礎から後洗浄・終点検出技術までを一日で学べます。
また、次世代半導体、電子部品に対する最新加工技術もご紹介します。

CMPプロセス技術及び

次世代基板(SiC、硬質ガラス)の最新加工技術


〜装置技術、消耗材技術、CMP後洗浄技術、終点検出技術〜

<Zoomによるオンラインセミナー>

講師

近畿大学 理工学部機械工学科 准教授 博士(工学)  藤田 隆 先生

日時・会場・受講料

●日時 2024年3月19日(火) → 2024年3月21日(木) 10:30-16:30
●会場 会場での講義は行いません。
●受講料 1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・録画行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

※配布資料等について

●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付致します。
・お申込の際にお受け取り可能な住所を必ずご記入ください。
・郵送の都合上、お申込みは4営業日前までを推奨します。(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)
・それ以降でもお申込みはお受けしておりますが(開催1営業日前の12:00まで)、その場合、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございますことご了承ください。
・資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。


●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。(全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止致します。

オンラインセミナーご受講に関する各種案内(ご確認の上、お申込みください。)
・PC/タブレット/スマートフォン等、Zoomが使用できるデバイスをご用意ください。
・インターネット 回線速度の目安(推奨) 下り:20Mbps以上
・開催が近くなりましたら、Zoom入室URL、配布資料、当日の流れなどをメールでご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報ください。
・受講者側のVPN、セキュリティ設定、通信帯域等のネットワーク環境ならびに使用デバイスの不具合については弊社では対応致しかねますので予めご了承ください。

Zoom
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セミナーポイント

■はじめに
CMP(Chemical Mechanical Planarization)プロセスは、半導体製造の前工程プロセスにおいて多層配線形成に必要不可欠なキープロセスとして、既に確固たる地位を築いてきた。一方、Si基板に代わる次世代半導体として注目されるSiCやGaNなどの半導体デバイスに対し、スラリーなどの消耗材を除き、CMP装置を含む現行のCMP技術のプラットホームが、将来的にどこまで通用するのか不明な点も多い。
本セミナーでは、将来的な次世代半導体を見据えてCMP技術開発を継続的に行っていく中で、CMPプロセスに求められる要求仕様の中から特に重要な要素技術に着目し、再度基本に立ち返って現技術の妥当性を検証する。また、CMP統合システムとして捉えた場合の装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、そして、洗浄技術、終点検出技術などの個々の技術開発の考え方についても解説する。最後に、近年のSiC半導体基板をはじめとした難削性材料の微細ダイシング加工技術および鏡面加工技術についても解説する。

■想定される主な受講対象者
・半導体CMP技術・半導体加工技術を開発中の研究開発者
・研磨技術・半導体加工技術を再度基礎から学びたい方
・これから研磨技術・半導体加工技術で新たなビジネスを展開したい方
・研磨技術・半導体加工技術で産学連携研究を模索する方

■必要な予備知識
「本分野に興味のある方なら、特に予備知識は必要ありません。」

■本セミナーに参加して修得できること
・CMPにおける要素技術や表面基準研磨の考え方を身に着けることができる。
・研磨・CMP技術の開発経緯と加工メカニズムの基礎を学ぶことができる。
・現行のCMP技術をさらに発展させていく上での技術的課題を理解し、
 今後の研究開発のポイントなる指針を得ることができる。
・次世代半導体であるSiC基板をはじめとした微細ダイシング技術、溝入れ技術のポイントを学ぶことができる。

セミナー内容

1.CMP(Chemical Mechanical Planarization)技術の概要、歴史

 1-1. 研磨技術の概要
 1-2. Siウェーハの加工プロセス
 1-3. ラッピング加工
 1-4. 研磨加工
 1-5. 化学機械研磨と研磨メカニズム
 1-6. 研磨制御における課題
 1-7. 半導体製造方法とCMPの概要
 1-8. CMPにおける重要な要素技術

2.研磨における圧力分布の設計

 2-1. CMPに求められる仕様
 2-2. 研磨プロセスにおける圧力分布制御の考え方
 2-3. 圧力分布調整へのアプローチ
 2-4. 静的圧力分布と動的圧力分布の対応
 2-5. 研磨圧力分布制御技術
 2-6. 圧力分布の微修正による研磨形状の変化

3.研磨パッド状態の定量化

 3-1. 研磨パッドとスラリー
 3-2. 研磨パッドの特徴
 3-3. 研磨パッドにおける幾何学的な要素
 3-4. 研磨パッドの解析・分析方法と化学的な要素
 3-5. 高分子と水の関係からみた研磨パッドの状態把握
 3-6. ポリウレタンの化学的改質と研磨レートの関係

4.パッドコンディショニング技術

 4-1. パッドコンディショニング技術の概要
 4-2. In-situコンディショニング技術
 4-3. ダイヤモンド配列による長寿命化
 4-4. コンディショニングに求められる要素
 4-5. 表面基準コンディショニング
 4-6. 微小研削コンディショニング

5.CMP後洗浄技術

 5-1. スラリー除去と洗浄の重要性
 5-2. 各種洗浄技術
 5-3. エッチングレートの均一性と安定性
 5-4. ウェーハ洗浄課題における原因究明

6.CMP終点検出技術

 6-1. 終点検出の種類
 6-2. 光学式終点検出技術
 6-3. 渦電流式終点検出
 6-4. 表皮効果を利用した渦電流終点検出技術

7.次世代半導体、電子部品に対する最新加工技術

 7-1. 三次元実装技術
 7-2. 微細ダイシング技術のニーズ
 7-3. レーザダイシング技術
 7-4. カッティングと平面研削加工の融合技術
 7-5. 次世代SiC基板における加工技術
 7-6. 新しいダイシング加工技術、溝入れ加工技術


講師紹介

【講師略歴】
住友金属工業株式会社(現 日本製鐵株式会社)、
(株)東京精密を経て、2020年4月より近畿大学理工学部機械工学科に異動し現在に至る。

【専門】
微細溝入れ加工/ダイシング加工/CMP要素技術(圧力分布解析、パッドコンディショニング、光及び渦電流CMP終点検出、パッド表面分析)/半導体製造プロセス/精密測定/知的財産権利化/知的財産戦略/新規事業創出

【本テーマ関連学協会での活動】
日本機械学会、精密工学会、砥粒加工学会、精密工学会プラナリゼーション専門委員会

セミナー番号:AG240333

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