フォトレジスト材料の

基礎と開発・設計指針

～EUVレジスト開発（合成から評価まで）、メタルレジストにも言及～

＜会場開催セミナー＞

講師

富士フイルム株式会社
エレクトロニクスマテリアルズ研究所　シニアエキスパート 藤森 亨 氏

＊ 希望者は講師との名刺交換が可能です

日時・会場・受講料

●日時　2024年9月19日（木）　10:30-16:30 ※途中、お昼休みと小休憩を挟みます。
●会場　[東京・大井町]きゅりあん5階第3講習室　→「セミナー会場へのアクセス」
●受講料　1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
　※会場での昼食の提供サービスは中止しております。
　＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

　●録音・撮影行為は固くお断り致します。
　●講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
　●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
　　場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。
　　＊ＰＣ実習講座を除きます。

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

セミナーポイント

■はじめに
2019年、30年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついにEUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術は、まだ序章に過ぎず多くの課題を抱えている。言い換えると、EUVリソグラフィは、まだ大きな発展の余地を残しており、これら課題を理解すること、解決することが非常に重要であると考えられている。EUV用フォトレジスト材料においても例外ではなく、多くの課題を山積するが、その背景には従来のフォトレジスト材料に比し、EUVリソグラフィ特有の難度の高い課題が存在することによる。
本セミナーでは、EUV用フォトレジスト材料に関し、従来のフォトレジスト材料の歴史を簡単に振り返りながら比較し、特有の課題やその解決法の一端について解説する。また、近年話題のメタルレジストに関しても言及する。

■想定される主な受講対象者
本テーマにご関心のある化学材料メーカー（特に原材料メーカー）や周辺部材メーカーの方々。
特に、若手研究者やマーケティング担当従事者、新規分野探索担当の方、など。新人教育や新たに担当になった方の導入にも最適。

■本セミナーに参加して修得できること
フォトレジストの歴史、EUVレジストの課題、EUVレジストの開発状況
フォトレジスト用材料の特徴

セミナー内容

１．私たちの世の中を取り巻く環境の変化
　　1） アナログからデジタルへ
　　2） 電子デバイスの高速化、大容量化、省電力化
　　3） 各種半導体デバイスの開発動向
　　4） 昨今話題の日本の半導体産業、RapidusやLSTCとは？

２．リソグラフィ微細化の歴史
　　1） リソグラフィとは？
　　2） フォトレジストって何？どこに使われている？
　　3） なぜフォトレジストが必要か？
　　4） 微細化を牽引するムーアの法則とは？
　　5） ムーアの法則を実現する露光波長短波化によるリソグラフィの微細化
　　6） 簡単ではなかった露光波長短波化の歴史とパラダイムシフト
　　7） フォトレジストのケミストリー
　　8） フォトレジストに用いられる材料の要求性能、不純物の管理
　　9） ノボラック／NQDレジストと化学増幅型レジスト
　　10） 化学増幅型レジストの誕生により実現したKrFレジスト
　　11） 最初の化学増幅型レジストゆえの多彩なKrFレジストのプラットフォーム
　　12） 昨今のKrFレジスト、アプリケーションの拡大（厚膜レジストの誕生）
　　13） ArFレジスト、露光波長の短波化により何が難しかったのか？
　　14） EUVリソグラフィ実用化困難時代に生まれたArF液浸リソグラフィ
　　15） ArF液浸リソグラフィ延命の切り札、Negative Tone Development （NTD） 技術
　　16） AｒF液浸NTDリソグラフィ適用により実現したマルチパターニングによる微細化

３．EUVリソグラフィ
　　1） EUVリソグラフィの歴史
　　2） ムーアの法則は、いまだ健在か？さらなる微細化は必要なのか？
　　3） EUVリソグラフィは、なぜ必要なのか？
　　4） EUV実現のための3つの重要な要素とその重要度の推移
　　5） 国家プロジェクトの必要性。
　　6） 国家プロジェクトであるEIDEC（EUVL基盤開発センター）における基礎検討
　　7） 基礎検討①　アウトガス課題の検討
　　8） 基礎検討②　EUV露光機の開発
　　9） 基礎検討③　メタルレジストの要素検討
　　10） メタルレジストの現在の状況
　　11） EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か
　　12） リソグラフィ工程におけるストカスティック因子の分析
　　　　　-フォトンストカスティックとケミカルストカスティック
　　13） ストカスティック因子を解決する手段の紹介
　　　　　-フォトンストカスティック解消のための施策　EUV高吸収系
　　　　　-ケミカルストカスティック（膜中分布）解消のためのコンセプト
　　　　　-ケミカルストカスティック（溶解不均一）解消のためのコンセプト
　　14） 限界といわれる化学増幅型レジストとメタルレジスト

講師紹介

【略歴】
埼玉大学にて学位・修士修了後、富士フイルム（株）に入社。有機合成化学研究所にて１０年間新規化合物合成（主にフォトレジスト用材料）に従事後、エレクトロニクスマテリアルズ研究所に異動。イメージセンサー用カラーレジスト開発に６年間従事後、半導体用フォトレジスト開発に従事、現在に至る。
2014年から2016年まで国家プロジェクトであるEIDEC（EUVL基盤開発センター）にて、EUVリソグラフィの基礎研究に従事。

【専門】
有機合成化学（低分子～高分子、設計から合成、機能物性測定まで）
リソグラフィ用フォトレジストの設計、開発、評価（KrF, ArF, EUV, EB）
デバイス技術動向や市場動向などのマーケティング

【本テーマ関連学協会での活動】
○MNC(International Microprocesses and Nanotechnology Conference), Program Committee, Section Head.
○JJAP　論文審査官
○ACS　 論文審査官