・見逃し視聴ありでお申込み頂いた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。
・セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
・原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します（一部、編集加工します）。
・視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。
ex) 2/6（月）開催 セミナー → 2/10（金）までに配信開始 → 2/17（金）まで視聴可能
※メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
※準備出来しだい配信致しますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。
上記例の場合、2/8（水）から開始となっても2/17まで視聴可能です。
※GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
※原則、配信期間の延長は致しません。
※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
（見逃し視聴あり）の方の受講料は（見逃し視聴なし）の受講料に準じますので、ご了承ください。
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セミナーポイント
■はじめに
SiCパワーMOSFETが実用化されてからすでに10年以上が経過し、近年は電車や電気自動車のインバータを中心に用途が拡大している。しかしながら、そのデバイス特性はSiCの有する本来の性能を十分に発揮しているとは言い難く、その理由として多量のMOS界面欠陥の存在があげられる。デバイス性能向上のためには、MOS界面で生じる現象の理解が不可欠である。SiCをはじめワイドギャップ半導体特有の現象も多く、界面特性の評価法や得られた結果の解釈に注意が必要であるため、基礎に立ち返って評価法を解説する。また、界面特性の改善のために様々なプロセスが報告されてきたが、信頼性との両立が困難であったために実用化に至らなかったものも多い。しかし、それらにも重要な知見が含まれると考えられるため、なるべく多くを紹介したい。最後にSiCパワーMOSFETの現状と動向を解説する。SiC-MOS構造の評価技術とプロセス技術の基礎を学ぶことで、今後のデバイス開発に活かしていただきたい。
■想定される主な受講対象者
・パワー半導体の研究・開発・評価に携わる方
・ワイドギャップ半導体を扱う方
・最近この分野に取り組み始めた方、またはこれから取り組もうとしている方
■必要な予備知識
半導体の基礎知識があり、MOSFETの基本動作を理解していることが望ましい
■本セミナーに参加して修得できること
・MOS構造の評価技術と特性の理解
・SiCのゲート酸化膜プロセス
・SiCパワーMOSFETの最新技術
セミナー内容
1．SiC-MOSFET
1）SiCについて
2）MOS界面とデバイス特性
3）SiCパワーMOSFETの構造
4）SiCパワーMOSFETの作製プロセス
2．SiC-MOS界面特性の評価技術
1）MOSキャパシタを用いた界面評価法
a）MOS構造の基礎
バンド図、蓄積・空乏・反転、表面電荷密度、
MOS構造の容量、表面ポテンシャル、しきい値電圧など
b）容量－電圧(C-V)法
ターマン法、high-low C-V法、C-Ψs法、低温C-V法、光援用C-V法など
c）コンダクタンス法
d）熱刺激電流法
2）MOSFETを用いた界面評価法
a）MOSFETの電流－電圧特性
b）チャネル移動度（実効移動度と電界効果移動度）
c）ホール効果測定（捕獲電荷・可動電荷密度とホール効果移動度）
d）しきい値電圧とその温度依存性、ヒステリシス
e）サブスレショルド特性
f）チャージポンピング法（ベーススイープ、振幅スイープ、3レベル法）
3．ゲート絶縁膜の信頼性
1）絶縁膜を流れる電流
2）経時絶縁破壊（TDDB）
面方位、転位密度、平坦性、プロセス依存性
3）しきい値電圧変動
a）ゲート正バイアスストレス（PBTS）による変動
b）ゲート負バイアスストレス（NBTS）による変動
c）ゲートACストレスによる変動
ストレス条件依存性、変動メカニズム
4．内蔵pinダイオード（ボディダイオード）に起因した特性劣化
1）バイポーラ劣化とその対策
2）ショットキーダイオード（SBD）内蔵MOSFET
SBD面積割合、SBD金属の影響
5．SiCのMOS界面プロセス技術
1）SiCの熱酸化（ドライ酸化とウェット酸化、ウェットアニール）
2）水素アニール
3）NO/N2Oアニール（界面窒化）
結晶面（Si面、C面、a面、m面、r面）による特性の違い
4）異原子導入による界面改質
Na、P、B、Ba、Sr、Sbの導入効果
5）熱酸化による欠陥生成と酸化排除プロセス
6．SiCパワーMOSFETの現状と動向
1）トレンチ型 vsプレーナ型
2）実際のデバイス構造
3）動向
講師紹介
【略歴】
2001年3月 京都大学 工学研究科電子物性工学専攻 修了 博士（工学）
2001年4月～2013年11月 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 助手、助教
2013年12月～現在 筑波大学 数理物質系物理工学域 准教授
学生時代にSiCのMOS界面・デバイスの研究を始め、25年以上にわたりSiCデバイス、プロセス、評価の研究に従事。
特にチャネル移動度の改善、MOS界面欠陥評価、信頼性に関する研究に取り組んでいる。
【専門】
半導体工学、パワーデバイス、MOS界面、SiC
【本テーマ関連学協会での活動】
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 副幹事長
ICSCRM(SiC関連材料国際会議) プログラム委員、国際運営委員
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