・見逃し視聴ありでお申込み頂いた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。
・セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
・原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します（一部、編集加工します）。
・視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。
ex) 2/6（月）開催 セミナー → 2/10（金）までに配信開始 → 2/17（金）まで視聴可能
※メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
※準備出来しだい配信致しますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。
上記例の場合、2/8（水）から開始となっても2/17まで視聴可能です。
※GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
※原則、配信期間の延長は致しません。
※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
（見逃し視聴あり）の方の受講料は（見逃し視聴なし）の受講料に準じますので、ご了承ください。
→見逃し視聴について、
こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。（テスト視聴動画へ） パスワード「123456」
セミナーポイント
■はじめに
最近、日本における半導体関連産業の活況を示すニュースが続いています。プラズマは、半導体デバイスプロセスの前工程の多くを占める重要技術です。特にプラズマ化学気相堆積（CVD）法は、半導体薄膜堆積に必須の技術です。プラズマ中で材料分子の電子衝突衝突によりラジカルが発生します。気相中から基板へと輸送し、表面における反応により薄膜が堆積しますが、そのプロセスは複雑です。本セミナーでは、半導体関連企業や研究機関において、プラズマCVDを取り扱うこととなった研究者を対象に、プラズマCVDの基礎からその応用、研究開発にあたって検討すべき点などを解説します。
■想定される主な受講対象者
半導体デバイスメーカーや半導体プロセス関連メーカーの方で、プラズマプロセス業務に携わる担当者の方。
■本セミナーに参加して修得できること
反応性プラズマにおける基礎、シランプラズマにおける気相・表面反応、
プラズマ中のナノ粒子の成長と抑制法、ナノ粒子と膜質の関係、カーボン薄膜の堆積
セミナー内容
１. プラズマの基礎事項
1）熱平衡
2）粒子に作用する力
3）プラズマの誘電率・導電率
4）電子・イオンとArの衝突
２. シランプラズマの気相反応
1）シランガスの解離
2）気相中の1次・2次反応
3）シランプラズマの診断法
4）ラジカルの反応方程式
３. 表面反応と水素化アモルファスシリコン薄膜堆積
1）表面反応計測法
2）表面反応モデル
3）薄膜成長プロセス概略
4）膜中の欠陥
４. 気相反応についてのデータ集
５. シランプラズマ中のナノ粒子成長
1）３段階に分けられるナノ粒子成長
2）典型的なナノ粒子成長
3）ナノ粒子成長に関連する要因
4）高次シラン分子の成長モデル
６. ナノ粒子混入と膜質の関係
1）ナノ粒子成長制御の要因
a) 放電周波数
b) ガス流れ
c) 水素希釈
d) 熱泳動力
e) 静電力
2）膜中水素結合
3）ナノ粒子抑制法の実例
4）ナノ粒子と膜中水素結合の相関
７. 高次シラン分子の表面反応と膜質の関係
1）高次シラン分子と膜中水素結合の相関
８. 水素化アモルファスカーボン薄膜の特徴
９. 水素化アモルファスカーボン薄膜堆積プロセス
1）薄膜成長モデル
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