・見逃し視聴ありでお申込み頂いた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。
・セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
・原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します（一部、編集加工します）。
・視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。
ex) 2/6（月）開催 セミナー → 2/10（金）までに配信開始 → 2/17（金）まで視聴可能
※メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
※準備出来しだい配信致しますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。
上記例の場合、2/8（水）から開始となっても2/17まで視聴可能です。
※GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
※原則、配信期間の延長は致しません。
※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
（見逃し視聴あり）の方の受講料は（見逃し視聴なし）の受講料に準じますので、ご了承ください。
→見逃し視聴について、
こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。（テスト視聴動画へ） パスワード「123456」
はじめに
本セミナーではCMPの基礎的な内容から、シリコン半導体やパワー半導体などの半導体デバイスの応用事例について解説します。ここではCMPにおける研磨部材に関する紹介のほか、半導体プロセスへの適用例についても解説します。そして、パワー半導体基板の高速研磨技術や低屈折率透明パッドを用いた研磨モニタリング手法など、これまで実施してきた研究事例についても紹介します。最後に、CMPの将来展望に関する意見についても述べます。
セミナー内容
１．CMP技術が導入された経緯
1-1 CMP以前の段差緩和との関係
1-2 リソグラフィーとCMPスペックとの関係（考え方）
1-3 平坦化CMPの導入
1-4 ダマシン法におけるCMPの適用
1-5 研磨レート、均一性の考え方
２．CMP装置の概要
2-1 装置構成
2-2 工程管理とモニタリング手法の概念
2-3 スラリーについて
2-4 材料除去メカニズムに関する検討
2-5 ポリシングパッドの役割
３．パワー半導体におけるCMP技術について
3-1 基板製造プロセス概要
3-2 基板研磨法
3-3 研究事例１：ハイブリッド微粒子による高効率研磨技術
3-4 研究事例２：イオンインプラを用いた高効率研磨（導入編）
４．シリコン半導体のCMP技術について
4-1 フロントエンドCMPの適用例
4-2 Cu-CMPについて
4-3 パターン研磨における課題
4-4 研究事例３：インプリント技術を用いた透明パッドの作成
4-5 研究事例４：研磨中におけるナノ微粒子観察手法
4-6 研究事例５：研磨中における酸化膜残膜量の定量化
５．半導体技術とCMPの将来展望について
＜質疑応答＞
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