半導体製造プロセスにおける

イオン注入・アニール（熱処理）の徹底解説

＜Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴あり＞

講師

サクセスインターナショナル株式会社 技術顧問 工学博士　鈴木 俊治 氏

日時・会場・受講料

●日時　2024年11月7日（木）　13:00-17:00
●会場　会場での講義は行いません。
●受講料
　　【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)
　　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

　　【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
　　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

　　　　　 ＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

　 ●録音・録画行為は固くお断り致します。

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

※配布資料等について

●配布資料はPDF等のデータで配布致します。ダウンロード方法等はメールでご案内致します。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡致します。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
　（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止致します。
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

セミナーポイント

■はじめに
半導体デバイスへの不純物導入はそのデバイスの性能・機能を左右する極めて重要な技術である。特に、先端のLSIでは複雑な不純物領域を持つ構造となっており、それには、精度の高い不純物層形成が重要である。
本セミナーでは、不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、MOS ICの微細化との関連を中心として解説する。イオン注入技術ではその原理と装置の構造、および、MOS ICの微細化に対応する、精度の高い不純物層形成のためのイオン注入技術の課題とその対策を示す。アニール技術では、MOS ICの微細化に対応するアニールの手法、イオン注入によって導入されるSi結晶欠陥のアニールによる回復の過程を解説する。MOS IC以外のデバイス作製のためのイオン注入技術についても簡単に紹介する。

■想定される主な受講対象者
・半導体関連の材料・装置メーカーなどの主に若手～中堅の研究者／開発者／技術者／製造担当者
・異分野から半導体製造工程に関わることになった方など…初心者の方でも受講OKです！

■必要な予備知識
物理、電気の基礎知識、MOSトランジスタ動作の基本知識
（全く基本的な知識があれば可能）

■本セミナーに参加して修得できること
・MOS IC作製のためのイオン注入技術の詳細と課題。
・微細CMOSのイオン注入技術に対する要求
・イオン注入により破壊された結晶を回復させるアニールの手法
・アニールによる結晶回復に関する知識

セミナー内容

1．CMOS ICの微細化

　1.1　MOSトランジスタの微細化とその構造変化に対応するイオン注入技術
　1.2　MOS ICの高性能化、高機能化と特性最適化のための構造とイオン注入技術
　 　　　・チャネル注入、デゥアルゲート構造、LDD構造、Deep Well構造
　1.3　MOS IC高信頼化のための構造とイオン注入技術
　 　　　・LDD構造、Twin Well構造、Deep Well構造
　1.4　微細化に伴う課題克服のための構造とイオン注入技術（主に短チャネル効果とその対策）
　 　　　・浅いソースドレイン、パンチスルーストッパー、エクステンション構造
　 　　　・ハロー（ポケット）構造、Retrogradeチャネル構造
　 　　　・短チャネル効果を回避するトランジスタ構造（FinFET, Nanowire Tr）

2．イオン注入技術

　2.1　イオン注入の原理と装置構造
　 　　　・高電流注入装置、中電流注入装置、高エネルギー注入装置、プラズマドープ装置
　2.2　CMOS ICでのイオン注入の適用
　 　　　・イオン注入領域と注入装置の種類
　 　　　・イオン注入領域と注入条件
　2.3　イオン注入に伴う問題と対策
　 　　　・イオンビーム精度、チャネリング、チャージアップ、ビームBrow up、金属汚染、
　 　　　・注入損傷

3．アニール技術

　3.1　アニール手法
　 　　　・電気炉アニール
　 　　　・高温短時間アニール(Rapid Thermal Anneal : RTA)
　 　　　・フラッシュランプアニール
　 　　　・レーザーアニール
　3.2　注入不純物の活性化過程
　3.3　結晶の回復と2次欠陥の生成、展開
　3.4　光アニール技術の課題

4．その他のイオン注入技術とアニール技術

　4.1　CMOSイメージセンサー、パワーデバイス、Ⅲ‐Ⅴ属化合物半導体デバイス、
　4.2　SiCデバイス

5．イオン注入に関連する解析技術
　
　5.1　イオン注入量モニター
　5.2　不純物濃度分布解析
　5.3　キャリアの濃度分布解析
　5.4　結晶性解析
　5.5　汚染物質解析

講師紹介

【略歴】
ソニー(株)中央研究所にて半導体(Si, GaAs)のデバイス及びプロセス技術の研究開発に従事、その後、同社超LSI研究所でLSIプロセス技術の研究開発に従事する、さらに、（株）SEN(現、住友重機械イオンテクノロジー(株））に移り、イオン注入装置の開発企画、開発促進に従事し、現在に至る。この間、琉球大学理工学部博士研究員、千葉大学工学部非常勤講師を歴任した。

【専門】
イオン注入技術、半導体熱処理技術、半導体デバイスの製造プロセス技術全般

【本テーマ関連学協会での活動】
半導体集積回路技術シンポジュームプログラム委員、
電機化学会　雑誌「電気化学」編集委員
半導体産業人協会　教育委員会委員