半導体ドライエッチング技術セミナー:2025年1月31日東京開催_日立ハイテク伊澤氏
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会場開催

ロジック向け半導体エッチングプロセスの最新動向がわかります!
また、縦方向および横方向のALE技術についても解説します。

<基礎から学べる>

半導体製造プロセスにおける

ドライエッチング

~ドライエッチングの基礎及びプロセス技術、最新の技術動向~

<会場開催セミナー>

講師

(株)日立ハイテク
   ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 主管技師長 工学博士 伊澤 勝 氏

* 希望者は講師との名刺交換が可能です

日時・会場・受講料

●日時 2025年1月31日(金) 10:30-16:30 ※途中、お昼休みと小休憩を挟みます。
●会場 [東京・大井町]きゅりあん4階第1特別講習室 →「セミナー会場へのアクセス」
●受講料 1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
 ※会場での昼食の提供サービスは中止しております。
学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・撮影行為は固くお断り致します。
 ●講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
 ●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
  場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。
  *PC実習講座を除きます。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

会場開催
会場で開催する対面セミナーです。
・東京都内の会場を中心に開催しております。詳細は各セミナーページの案内をご参照ください。
・新型コロナウイルス感染症(COVID-19)に関する 弊社の対応はこちら
・セミナー費用等について、当日会場での現金支払はできません。
・昼食の提供もございませんので、各自ご用意頂ければと存じます。

セミナーポイント

■はじめに
半導体デバイスは微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチング技術はその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング技術の進展の歴史、表面反応モデルをベースにした形状制御の考え方と装置への実装について解説する。さらに、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工についての取組みとALE(Atomic Layer etching)技術の応用について解説する。

■想定される主な受講対象者
半導体加工プロセスに関心のある、デバイスメーカー、装置メーカー、半導体材料メーカーの方など。

■必要な予備知識
・半導体製造プロセスに関する一般的な知識

■本セミナーに参加して修得できること
・プラズマエッチングの形状制御メカニズム
・ロジック向け半導体エッチングプロセスの最新動向
・縦方向および横方向のALE(Atomic Layer etching)技術

セミナー内容

1.イントロダクション

 1-1 半導体デバイスのトレンド
 1-2 半導体プロセスフローとドライエッチング技術

2.ドライエッチング装置の概要

 2-1 プラズマ源とドライエッチング装置
 2-2 ドライエッチング装置の変遷

3.ドライエッチングの反応メカニズム

 3-1 イオンアシスト反応 エッチング速度のモデル式
 3-2 反応生成物の影響
 3-3 加工寸法制御のメカニズム
 3-4 各種材料における寸法制御技術
 3-5 Fab wide APCへの展開
     a) 構造起因のゲート寸法ばらつき
     b) 制御モデル構築と計測
     c) 構造を考慮した寸法変動のモデル化

4.LER、Wiggling抑制技術

 4-1 マスク再構成技術
 4-2 応力制御によるWiggling抑制
 4-3 絶縁膜HARC etching

5.最先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術

 5-1 DTCO採用に伴うエッチングの課題
 5-2 異方性ALE(Atomic Layer etching技術)
 5-3 Si/SiGe fin etching
 5-4 WFM patterning
 5-5 GAA、CFETにおけるエッチングの課題

6.横方向のドライエッチング

 6-1 ポストスケーリング世代の半導体技術動向
 6-2 等方性ドライエッチング技術の概要
 6-3 熱サイクルALE技術と装置
 6-4 プラズマを用いたALE
 6-5 有機錯体反応を用いたALE

7.環境およびデジタル化に向けた取り組み(概略)

8.まとめ


講師紹介

【略歴】
1989年4月 (株)日立製作所入社・生産技術研究所に配属
1992年8月 同社・中央研究所に転属し、半導体エッチング技術の研究開発に従事
2012年4月 (株)日立ハイテクに転属し、半導体エッチング技術開発および顧客開発に従事。
2019年4月~ 現職。引き続き、半導体エッチング技術開発および顧客開発に従事。

【専門】
半導体プラズマエッチング装置およびプロセス技術の開発
分子シミュレーション技術および表面反応メカニズム解析

【本テーマ関連学協会での活動】
2007年 ドライプロセス国際シンポジウム 論文委員長 (電気学会)
2011年~2012年 ドライプロセス国際シンポジウム 組織委員長
2019年~ SSDM組織委員

セミナー番号:AC2501A2

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