GaNパワーデバイス開発技術の動向|ウェハ・結晶評価 作製プロセスにおける課題など|2025年2月情報機構セミナー
よくあるお問合わせよくあるお問合せ リクエストリクエスト セミナー会場セミナー会場へのアクセス
セミナーのメニュー

化学・電気系 その他各分野
一覧へ→
  ヘルスケア系
一覧へ→
情報機構 技術書籍情報機構 技術書籍
技術書籍 一覧技術書籍 一覧
   <新刊書籍>
  クリーンルーム
  ガス分離膜
  ペロブスカイト太陽電池
  洋上風力発電
電子書籍電子書籍
化学物質管理化学物質管理
通信教育講座通信教育講座
LMS(e-learning)LMS(e-learning)
セミナー収録DVDDVD
社内研修DVD
セミナー講師のコラムです。講師コラム
  ↑2024/7/17更新!!
お申し込み・振込み要領お申込み・振込要領
案内登録案内登録
↑ ↑ ↑
新着セミナー、新刊図書情報をお届けします。

※リクエスト・お問合せ等
はこちら→



SSL GMOグローバルサインのサイトシール  



Zoom見逃し視聴あり

オンライン受講/見逃視聴なし → 

オンライン受講/見逃視聴あり → 


★現行のSi、SiCに次ぐ世代のデバイス材料として注目されている「GaN」に焦点を当てて開催
★基本物性、半導体材料としての期待、国内外の開発動向や結晶評価、作製プロセスまで基本から最新動向まで網羅したオススメのセミナーです。

GaNパワーデバイス開発技術における
基礎知識と最新動向

~GaNの特徴/国内外の開発状況/ウェハ・結晶評価/作製プロセスにおける課題など~

<Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴あり>

講師

国立大学法人 東海国立大学機構 名古屋大学
未来材料・システム研究所 特任准教授 田中敦之 氏

講師紹介

■経歴
大学卒業後、企業及び国立研究所でSiCパワーデバイスの実用化に関する研究開発に従事。その後フィールドを大学、GaNのパワーデバイスに移し研究・教育を行っている。

■専門および得意な分野・研究
SiC、GaNの結晶欠陥評価、加工、パワーデバイス設計、プロセス開発

■本テーマ関連学協会での活動
応用物理学会

日時・会場・受講料

●日時 2025年2月7日(金) 13:00-17:00
●会場 会場での講義は行いません。
●受講料
  【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名41,800円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

  【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

      *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

 ●録音・録画行為は固くお断り致します。


■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ →

※配布資料等について

●配布資料はPDF等のデータで配布致します。ダウンロード方法等はメールでご案内致します。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前~前日を目安にご連絡致します。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
 (土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。(全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止致します。
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@*********(*********にはjohokiko.co.jpを入れてください)

オンラインセミナーご受講に関する各種案内(ご確認の上、お申込みください。)
・PC/タブレット/スマートフォン等、Zoomが使用できるデバイスをご用意ください。
・インターネット 回線速度の目安(推奨) 下り:20Mbps以上
・開催が近くなりましたら、Zoom入室URL、配布資料、当日の流れなどをメールでご連絡致します。開催前日(営業日)の12:00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報ください。
・受講者側のVPN、セキュリティ設定、通信帯域等のネットワーク環境ならびに使用デバイスの不具合については弊社では対応致しかねますので予めご了承ください。

Zoom
Zoom使用に関する注意事項(クリックして展開)
・公式サイトから必ず事前のテストミーティングをお試しください。
 → 確認はこちら
 →Skype/Teams/LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomで音声が聞こえない、
  カメラ・マイクが使えない等の事象が起きる可能性がございます。
  お手数ですが、これらのアプリは閉じた状態にてZoomにご参加ください。
 →音声が聞こえない場合の対処例

・Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。
 →参加方法はこちら
 →一部のブラウザは音声が聞こえない等の不具合が起きる可能性があります。
  対応ブラウザをご確認の上、必ず事前のテストミーティング をお願いします。
  (iOSやAndroidOS ご利用の場合は、アプリインストールが必須となります)

見逃し視聴あり
申込み時に(見逃し視聴あり)を選択された方は、見逃し視聴が可能です。
(クリックして展開)
・見逃し視聴ありでお申込み頂いた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。
・セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
・原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します(一部、編集加工します)。
・視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。
 ex) 2/6(月)開催 セミナー → 2/10(金)までに配信開始 → 2/17(金)まで視聴可能
 ※メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
 ※準備出来しだい配信致しますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。
  上記例の場合、2/8(水)から開始となっても2/17まで視聴可能です。
 ※GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
 ※原則、配信期間の延長は致しません。
 ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
  (見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承ください。
 →見逃し視聴について、こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。(テスト視聴動画へ) パスワード「123456」 

セミナーポイント

■講座のポイント 
GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、生活になくてはならないものとして利用されています。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、この分野では現行のSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされています。本講演では特にパワーデバイスの分野においてGaNを用いたデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します

■受講後、習得できること 
・パワーデバイスができるまで 結晶~デバイス~モジュール
・パワーデバイスの現状
・GaNにおける日本の立ち位置
・パワーデバイスの今後の展望

■講演中のキーワード
・GaN
・パワーデバイス
・ワイドバンドギャップ半導体
・結晶成長

セミナー内容

■講演プログラム

1.はじめに
 (1) パワーエレクトロニクスとは
 (2) パワーデバイスについて
 (3) パワー半導体とは
 (4) パワーデバイス・モジュールができるまでの工程

2.GaNについて
 (1)GaNの物性 なぜGaNなのか
 (2)GaNの用途
 (3)パワー半導体としてのGaN
 (4)GaNパワーデバイスの狙い

3.GaN関係の動向、世界的な状況と日本の立ち位置
 (1)パワー半導体の動向
 (2)GaNのプレーヤー(ウェハ)
 (3)GaNのプレーヤー(デバイス)

4.GaN結晶について
 (1)様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
 (2)基板とデバイス層
 (3)GaNonGaNとヘテロエピGaN
 (4)GaN基板のラインナップ
 (5)GaN基板ができるまでの加工工程
 (6)ウェハ・結晶評価

5.GaNパワーデバイス作製プロセスについて
 (1)GaN結晶と半導体プロセス
 (2)GaNデバイス作製プロセスの様々な課題
 
6.GaNパワーデバイス
 (1)デバイス設計について
 (2)基本的なGaNパワーデバイスの特性
 (3)様々なGaNパワーデバイス
 (4) パワーデバイス評価

7.デバイス作製後のプロセス

8.まとめ

セミナー番号:AD2502A6

top

会社概要 プライバシーポリシー 特定商取引法に基づく表記 商標について リクルート
Copyright ©2011 技術セミナー・技術書籍の情報機構 All Rights Reserved.