・見逃し視聴ありでお申込み頂いた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。
・セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
・原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します（一部、編集加工します）。
・視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。
ex) 2/6（月）開催 セミナー → 2/10（金）までに配信開始 → 2/17（金）まで視聴可能
※メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
※準備出来しだい配信致しますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。
上記例の場合、2/8（水）から開始となっても2/17まで視聴可能です。
※GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
※原則、配信期間の延長は致しません。
※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
（見逃し視聴あり）の方の受講料は（見逃し視聴なし）の受講料に準じますので、ご了承ください。
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セミナーポイント
■はじめに
電子デバイスをはじめ様々な製品を作る際に化学気相堆積(CVD)法と原子層堆積(ALD)法が使われていますが、これらは反応と流れが絡み合って複雑に見えてしまいます。本講座では、その方法を理解して最適化して行くための基礎と実践手法を、半導体の薄膜に関する研究事例を用いて紹介します。例えば、反応速度、熱と流れの効果と現れ方、その場観察で見える化学反応、出来た膜の組成と化学結合から反応状態を探った例、副生成物の挙動と処理方法などです。まとめには、プロセスを最適化する際の考え方を整理します。本講座の内容は、半導体分野に限らず気相と表面の化学反応を扱う装置、反応性ガスを用いる先端プロセスの設計・開発・管理にも役立ちます。
■ご講演中のキーワード：
化学反応、反応速度、熱流体、化学分析、その場測定、データ解析、膜質、副生成物
■受講対象者：
・そもそもALD、CVDとは何かを知りたい方
・得られた膜質から成膜の様子を探りたい方
・最適化する視点と手法を知りたい方
・反応の観察方法を知りたい方
・膜分析を駆使したい方
・成膜結果を関数で整理したい方
・副生成物で困っている方
・反応性ガスを開発している方
■必要な予備知識や事前に目を通しておくと理解が深まる文献、サイトなど：
・薄膜形成方法と化学反応の予備知識から紹介しますので、特に必要なことはありません。
■本セミナーで習得できること：
・ＣＶＤ法、ＡＬＤ法とは何か
・熱流体と反応場の関係
・反応の観察・測定・解析手法
・膜質から反応を推定する方法
・成膜結果を関数化する方法
・副生成物の挙動と影響
・最適化の考え方
■受講された方の声（一例）：
・CVD及びALDに関する話が聞きたくて、参加させていただきました。気になっていた点についても質問が出来て良かったです。
・ALD等におけるプロセスの理解が追い付てなくて困っていました。初歩的な質問にも丁寧に回答頂けて助かりました。
・事前質問にも丁寧に対応頂きありがとうございました。お陰で業務で困っていた点が改善される可能性が見えてきました。
などなど……ご好評の声を多数頂いております！
セミナー内容
１． ＣＶＤ法とＡＬＤ法
１） MOSFETの構造と動作
２） 電子デバイス構造形成工程
３） CVD法とALD法の概要と特徴
４） 薄膜形成理由
５） 成膜装置と成膜工程
６） 様々な成膜事例（前駆体と装置）GaN,Ga2O3,ダイヤモンド
７） 微細化と成膜方法の使い分け
８） 成膜条件と要因、条件比較
２． 化学反応の基礎
１） 反応速度、反応次数と速度定数
２） 反応速度式の作り方、律速過程
３． 気相反応・表面反応
１） 気相反応・表面反応
２） 気相反応・物性などと膜質
３） 成膜機構と表面形態
４． その場観察方法
１） その場観察で分かること
２） ガス採取場所
３） 四重極質量分析法
４） 圧電性結晶振動子法
５） 赤外線吸収法
５． 膜分析方法
１） 反応に関わる情報
２） Ｘ線光電子分光法
３） 赤外線分光法
４） 二次イオン質量分析法
５） エネルギー分散型Ｘ線分光法
６） 分析結果の解釈に困った時
６． 反応場を考慮した反応解析
１） 流れを把握する必要性
２） CVD装置内のガス流れ（観察例、数値計算方法と例）
３） ガス密度で流れは変わる
４） SiHCl3ガス濃度と流れ（計算）
５） 結晶振動子法：成膜最低温度把握
６） 流れで膜質は変わる
７） 基板回転
８） 回転による平均化の例
９） 縦型流れ：基板回転と流れの変化
１０） 基板回転の効果と活用
１１） CVD装置の形状と操作が成膜速度分布、膜質に及ぼす影響
１２） ALD装置内の流れと熱（解析例）
７． ガス分析情報の活用事例
１） 質量分析による反応解析と反応速度モデル構築
２） 数値解析による反応速度モデル構築
３） 数値解析によるドーピング反応速度モデル構築
４） 反応設計と解析、成膜速度を上げる工夫
５） 並列ラングミュア過程
６） 三塩化ホウ素、クロロシランによる成膜
７） 反応設計と解析：ホウ素、炭素と珪素の相互作用
８） 炭化ケイ素成膜機構
９） GaN成膜反応モデルの例
１０） 反応設計と解析：多元系成膜機構の解析
８． 副生成物から推定される反応機構
１） 排ガス管内堆積物：Si微粉
２） 副生成物から推定される反応
３） 排ガス管内堆積物:クロロシランによるCVDと副生成物
９． 最適化の考え方
１） CVD装置全体の反応と堆積物
２） 副生成物から推定される反応状態
３） 基板周辺の不要堆積物除去（クリーニング）
４） 装置耐腐食性材料の条件
５） ガス純度
６） 諸要因の効果と活用
７） 解析・モデル化の進め方
８） 微細化：狭い空間で大面積成膜
９．まとめ
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