・見逃し視聴ありでお申込み頂いた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。
・セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
・原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します（一部、編集加工します）。
・視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。
ex) 2/6（月）開催 セミナー → 2/10（金）までに配信開始 → 2/17（金）まで視聴可能
※メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
※準備出来しだい配信致しますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。
上記例の場合、2/8（水）から開始となっても2/17まで視聴可能です。
※GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
※原則、配信期間の延長は致しません。
※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
（見逃し視聴あり）の方の受講料は（見逃し視聴なし）の受講料に準じますので、ご了承ください。
→見逃し視聴について、
こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。（テスト視聴動画へ） パスワード「123456」
セミナーポイント
■はじめに
日本政府の方針もあり、日本での半導体デバイス製造が再び脚光を浴びています。TSMC熊本や北海道のラピダスなど、最先端の半導体デバイス製造が日本で行われようとしている状況です。2ナノメートル以下の世代で必要な超微細構造を作成するためには、機械加工技術ではなく、ドライエッチング技術が使われています。ドライエッチングでは、極微細粒子である原子・分子・イオンを活用して、原子レベルの超高精度な加工を実現しています。本セミナーではエッチング技術の基礎・メカニズムの説明からスタートし、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが使用している先端エッチング技術までを紹介します。エッチング技術にも多くの課題があり、そのブレークスルー技術についてもご紹介いたします。
■ご講演中のキーワード：
・プラズマ
・ドライエッチング
・異方性/ 等方性エッチング
・半導体デバイス
■受講対象者：
・半導体デバイス開発、半導体製造装置開発に携わって5年以内程度の技術者の方
・半導体デバイス・半導体製造装置の営業職の方
・半導体製造装置の製造技術、量産技術の技術者の方
・本テーマに興味のある方なら、どなたでも受講可能です。
■必要な予備知識や事前に目を通しておくと理解が深まる文献、サイトなど：
・特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。
・参考文献：
1. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, Wiley Interscience.
2. K. P. Cheung, Plasma Charging Damage, Springer.
3. 武田進、気体放電の基礎、東京電機大学出版局
4. 小沼光明、プラズマと成膜の基礎、日刊工業社
5. 野尻一男、半導体ドライエッチング技術、技術評論社
■本セミナーで習得できること：
・半導体製造におけるプラズマエッチングについて位置づけと原理が理解できる。
・異方性エッチングと等方性エッチングそれぞれの意義とメカニズム、装置構成を理解できる。
・エッチングにおける課題、課題解決へのアプローチを理解できる。
・最新デバイスにおけるエッチング技術を理解できる。
セミナー内容
1. エッチングの基礎
1-1 微細加工
1-2 プラズマの生成とエッチング
2. 異方性エッチング
2-1 異方性エッチングのメカニズム
2-2 異方性エッチング最新技術
2-3 異方性エッチング向け製造装置
3. 等方性エッチング
3-1 等方性エッチングのニーズ
3-2 等方性エッチングへのアプローチ
3-3 等方性エッチング向け製造装置
4. エッチングの高機能化- パルスプラズマ
4-1 ソースパルス
4-2 バイアスパルス
4-3 シンクロナイズドパルス
5. エッチングの課題
5-1 形状異常
5-2 プラズマ誘起ダメージ
5-3 量産における課題
6. 最新エッチング技術
6-1 ロジックデバイス向けエッチング技術
6-2 メモリデバイス向けエッチング技術
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