パワーデバイスの基礎ならびに

SiCデバイス・実装の最新技術動向

＜Zoomによるオンラインセミナー:見逃し視聴あり＞

講師

国立大学法人　筑波大学 数理物質系　物理工学域　教授 博士（工学）　岩室 憲幸 氏

日時・会場・受講料

●日時　2025年3月6日（木）　10:30-16:30
●会場　会場での講義は行いません。
●受講料
　　【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
　　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

　　【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
　　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

　　　　　 ＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認下さい。

　●録音・録画行為は固くお断り致します。

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

※配布資料等について

●配布資料はPDF等のデータで配布致します。ダウンロード方法等はメールでご案内致します。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡致します。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
　（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止致します。
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

セミナーポイント

■はじめに
2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展しており、xEVはもはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、SiCをはじめとした新材料デバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、シリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強のライバルであるシリコンIGBTからSiC開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。また、またGaNや酸化ガリウムデバイスの現状についても紹介する

■受講対象
パワーデバイス、パワーエレクトロニクスに興味のある方

■必要な予備知識
教養程度の工学の知識があれば十分です。

■本セミナーに参加して修得できること
・パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向
・パワーデバイス市場。シリコンパワーデバイスの強み
・SiC パワーデバイスの特長と課題。SiCデバイス実装技術
・SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、GaN/酸化ガリウムパワーデバイスの動向、など

セミナー内容

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは？
　　　1-1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
　　　1-2 パワー半導体の種類と基本構造
　　　1-3 パワーデバイスの適用分野
　　　1-4 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか？
　　　1-5 MOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
　　　1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か？

２．最新シリコンMOSFET, IGBTの進展と課題
　　　2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
　　　2-2 パワーデバイス開発のポイント
　　　2-3 最新MOSFET, IGBTを支える技術
　　　2-4 IGBT 薄ウェハ化の限界
　　　2-5 IGBT特性改善の次の三手
　　　2-6 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の誕生
　　　2-7 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
　　　3-1 半導体デバイス材料の変遷
　　　3-2 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスの中でトップなのか
　　　3-3 SiCのSiに対する利点
　　　3-4 各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか？
　　　3-5 SiCウェハができるまで
　　　3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
　　　3-7 SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき４つの課題
　　　3-8 SiC-MOSFET最近のトピックス
　　　3-9 SiCのデバイスプロセス（Siパワーデバイスと何が違うのか）
　　　3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
　　　3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　　　3-12 最新SiC MOSFET技術
　
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
　　　4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　　　4-2 GaNデバイスの構造
　　　4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
　　　4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　　　4-5 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　　　4-6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　　　4-7 GaN-HEMTの課題

５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
　　　5-1 酸化ガリウムとその特徴
　　　5-2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
　
６．SiCパワーデバイス高温対応実装技術
　　　6-1 高温動作ができると何がいいのか
　　　6-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　　　6-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
　　　6-4 SiCモジュールに必要な実装技術

７．まとめ

講師紹介

【講師略歴】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事.
1999年～2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009 年5月～2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月～　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。

【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計技術

【本テーマ関連学協会での活動】
IEEE Senior Member
IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
電気学会　シリコンならびに新材料パワーデバイス・IC技術調査専門委員会　元委員長
電気学会上級会員、応用物理学会会員
パワー半導体国際シンポジウム（ＩSPSD） 2017, 2021　Steering Committee Member.
著書：　　1． 「パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス」　（科学情報出版, 2024年2月）
2. 「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」　（科学情報出版, 2019年9月）
　　　　　　3．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapter 4 担当・執筆
　(Elsevier, Oct. 2018)
4. “Handbook of Semiconductor Devices”, Editor Rudan, M., Brunetti, R., Reggiani, S.
Chapter 13 担当・執筆, （Springer, Nov. 2022）
監修書：5．「パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術」, R&D支援センタ, 2024年11月
6. 「次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術」, S＆T出版, 2022年7月
7. 「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（シーエムシー出版, 2021年8月）　
8. 「SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント」（S&T出版　2018年1月）、
9．「次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開」（シーエムシー出版, 2015年6月）　　　　
　　 編集書:10．「世界を動かすパワー半導体　－IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会
2008年12月 ）があります。

【トピックス】
2020年4月　電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞
2020年12月　日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞を受賞
（内容：SBD内蔵SiC MOSFET　金属変更で実用化に道筋）
https://www.tsukuba.ac.jp/journal/awards/20201210132702.html