・見逃し視聴ありでお申込み頂いた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。
・セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
・原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します（一部、編集加工します）。
・視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。
ex) 2/6（月）開催 セミナー → 2/10（金）までに配信開始 → 2/17（金）まで視聴可能
※メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
※準備出来しだい配信致しますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。
上記例の場合、2/8（水）から開始となっても2/17まで視聴可能です。
※GWや年末年始・お盆期間等を挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
※原則、配信期間の延長は致しません。
※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
（見逃し視聴あり）の方の受講料は（見逃し視聴なし）の受講料に準じますので、ご了承ください。
→見逃し視聴について、
こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。（テスト視聴動画へ） パスワード「123456」
セミナーポイント
■はじめに
本講座では、半導体薄膜の結晶成長に関する基本原理から、主に講演者の開発してきた先端技術、さらにAIによるプロセス最適化とデバイス応用まで、幅広い内容を解説いたします。従来技術の進化と新たな応用可能性を背景に、材料の特性解析や成長制御の革新的手法を学び、産業界における実践的な技術習得を目指します。参加者の皆様には、理論と実務の両面から技術の核心に迫り、次世代半導体デバイスの開発や新規応用への展望を広げる貴重な知見を提供することを狙いとしています。
■想定される主な受講対象者
本テーマにご関心のある材料メーカーの方、
企業の研究所や大学、国立研究所の方など
■本セミナーに参加して修得できること
・多結晶半導体薄膜の結晶成長プロセスに関する基礎理論の理解
・最新の先端技術や応用事例の把握
・多結晶半導体薄膜を用いた多様な電子デバイスに関する知見
・AIを活用したプロセス管理と解析の実践的スキルの獲得
セミナー内容
1．多結晶半導体薄膜の基礎
1) 半導体薄膜の実用例
a) IV族半導体
b) III-V族化合物半導体
c) I-VI族化合物半導体
d) その他
2) 多結晶構造の特徴と利点
3) 成膜プロセスの概要
a) 真空蒸着
b) 分子線堆積
c) スパッタリング堆積
d) 化学気相堆積
e) 原子層堆積
4) 結晶成長機構の理解
a) 気相成長
b) 液相成長
c) 固相成長
5) 多結晶半導体薄膜の評価技術
a) X線回折法
b) ラマン分光法
c) 光学顕微鏡
d) 原子間力顕微鏡
e) 電子顕微鏡
f) 電子後方散乱回折
2．多結晶半導体薄膜の先端技術
1) 固相成長機構の制御
a) 原子密度制御
b) 成長温度効果
c) 不純物添加
d) 界面核発生抑制
2) 金属触媒の援用
a) 金属誘起低温成長
b) 金属誘起横方向成長
c) 金属誘起層交換
3) デバイス応用
a) 太陽電池
b) 薄膜トランジスタ
c) 熱電変換素子
d) 薄膜二次電池
e) フレキシブルシード層
3．多結晶半導体薄膜へのAI活用
1) 画像解析と物性抽出
a) 顕微鏡画像の自動高速解析
b) 顕微鏡画像の三次元構造予測
c) 結晶方位画像の解析
2) プロセス最適化手法
a) 成膜プロセスの最適化
b) 化合物半導体組成の最適化
4．講演のまとめ
1) 全体の総括と今後の展望
2) 質疑応答
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