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High-NA時代のEUV・次世代リソグラフィ技術セミナー

High-NA時代の

EUV・次世代リソグラフィ

~レジスト材料・EB・EUV・自己組織化技術の最前線~

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High-NA時代のEUVと次世代リソグラフィ技術を体系的に整理し、レジスト材料や自己組織化技術の最新動向を解説します。

講師

国立研究開発法人 量子科学技術研究開発機構 
高崎量子技術基盤研究所 プロジェクトリーダー(上席研究員) 博士(工学) 山本 洋揮 氏

講師プロフィール(クリック・タップして展開ください)

【略歴】
2008年 大阪大学大学院 工学研究科 博士後期課程 修了
2008年 大阪大学 産業科学研究所 特任助教(常勤)
2011年 大阪大学 産業科学研究所 助教
2018年1月 量子科学技術研究開発機構(QST)
       -量子ビーム科学研究部門 先端機能材料研究部 主任研究員
2018年7月 量子科学技術研究開発機構(QST)
       -量子ビーム科学研究部門 高崎量子応用研究所
       -先端機能材料研究部 定年制職員・主幹研究員
2019年4月 量子科学技術研究開発機構(QST)
       -量子ビーム科学研究部門 高崎量子応用研究所
       -先端機能材料研究部 プロジェクトEUV超微細加工材料
       -プロジェクトチーフ
2022年4月 量子科学技術研究開発機構(QST)
       -高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター
       -量子材料超微細加工プロジェクト研究 プロジェクトチーフ
2025年7月 量子科学技術研究開発機構(QST)
       -高崎量子技術基盤研究所 先端機能材料研究部
       -プロジェクト量子材料超微細加工研究
       -プロジェクトリーダー(上席研究員)

【専門】
ビーム応用、微細加工、レジスト開発、高分子

【本テーマ関連学協会での活動】
高分子学会 印刷・情報・電子用材料研究会 運営委員
ラドテック研究会 運営委員

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日時・受講料・お申込みフォーム

●日時:2026年3月23日(月) 13:00-16:30 *途中、小休憩を挟みます。

●受講料:
【オンライン受講】:1名45,100円(税込(消費税10%)、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき34,100円

学校法人割引:学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
 ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
 req@*********(*********にはjohokiko.co.jpを入れてください)

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・配布資料に関するご案内は、開催1週前~前日を目安にご連絡いたします。
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 (土、日、祝日は営業日としてカウントしません。)
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。(全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。)
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    【受講に関する重要なご案内】

    本セミナーは日本国内在住の方を対象としています。
    外為法(安全保障貿易管理)に抵触する可能性があるため、海外からの受講はお断りしております。

    セミナーポイント

    ■はじめに
     コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。半導体微細加工技術であるEUVリソグラフィは、今後デジタル社会の構築において3次元微細加工技術と並んで極めて重要である。今後も更なる微細加工技術が要求されており、High-NA EUVリソグラフィなどをはじめ、次世代リソグラフィ技術が注目されている。
     本セミナーでは、EUVリソグラフィ技術を中心に、近年活発に研究開発がなされている次世代リソグラフィ技術におけるそれぞれの原理、技術動向、他のリソグラフィ技術と比較した際の優位点をはじめ、実用化・普及の可能性、その微細加工材料などに関する最新動向について概説するとともに、我々の最新の成果を解説する。

    ■想定される主な受講対象者
    本テーマに関心のあるレジスト会社をはじめ、電機メーカーや大手化学会社や素材メーカーの方、

    ■本セミナーに参加して修得できること
    ・EUVリソグラフィについて
    ・レジスト材料開発
    ・メタルレジストについて
    ・ブロック共重合体による自己組織化リソグラフィについて
    ・次世代リソグラフィの技術動向

    セミナー内容

    1.はじめに
      1.1 リソグラフィ技術の変遷
      1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
      1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム
      1.4 次世代リソグラフィ技術の動向

    2.EBリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
      2.1 電子ビームリソグラフィの位置づけ
      2.2 電子ビームの散乱と阻止能
      2.3 電子線レジスト
         2.3.1 電子線レジストの種類
         2.3.2 化学増幅型レジストの酸発生機構
         2.3.3 ラインエッジラフネス(LER)の原因の解明
         2.3.4 反応機構に基づいたEBリソグラフィ用単一成分化学増幅型レジスト

    3.EUVリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
      3.1 EUVリソグラフィの基礎
      3.2 EUVリソグラフィの現状と課題
      3.3 EUVレジスト
         3.3.1 EUVレジストの種類
         3.3.2 EUVリソグラフィ用レジスト材料の要求特性
         3.3.3 EUV化学増幅型レジストの反応機構とEBレジスト設計指針との違い
         3.3.4 EUV化学増幅型レジストの問題点
      3.4 EUVメタルレジスト開発
         3.4.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
         3.4.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
         3.4.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
         3.4.4 メタルレジスト材料の性能評価
         3.4.5 セラミックスレジストの性能評価
      3.5 次世代EUVリソグラフィ(High-NA、Hyper NA、EUV-FEL、Beyond EUV)の技術動向と今後の展望

    4.ブロック共重合体を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向
      4.1 ブロック共重合体の基礎
      4.2 電子線誘起反応によるブロック共重合体のラメラ配向制御
      4.3 新規ブロック共重合体の合成と評価

    5.おわりに


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    セミナーコード:AG260393

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