SiCウエハの加工

および加工面評価技術

日時・受講料・お申込みフォーム

●日時：2026年3月16日(月)　10:30-16:30　＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

●受講料：
【オンライン受講】：1名50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
　ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
　req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

配布資料・講師への質問など

●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付いたします。
・お申込みの際にお受け取り可能な住所を必ずご記入ください。
・郵送の都合上、お申込みは4営業日前までを推奨します。（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、その場合、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。ご了承の上お申込みください。
・資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
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オンラインセミナーご受講に関する各種案内（必ずご確認の上、お申込みください。）

セミナー内容

第一部：10:30～12:00、13:00～14:30　産業技術総合研究所　 加藤　智久　氏

「パワー半導体用SiCウェハの開発動向と加工技術」

○セミナーポイント：
　SiCパワー半導体はここ数年で省エネルギー電力制御機器として各産業分野に実装が進み、SiCウェハ産業も世界的に拡大しつつある。SiCウェハは極めて硬く安定な材料であるため、その材料となるSiC単結晶の成長やウェハ加工は技術的にシリコンよりかなり難易度が高いことが知られている。
　本セミナーでは、SiCパワー半導体用ウェハの開発動向およびウェハ製造に関わるウェハ加工技術と新しい技術アプローチについて解説する。

○受講対象：
　SiCパワー半導体やSiC材料開発に興味のある方、ウェハ加工技術・材料評価技術に関心のある方

○受講後、習得できること：
　半導体用SiCウェハ製造技術（加工、評価）の基礎知識、これまでの開発動向、現在の技術課題とアプローチ、SiCウェハ産業の動向に関する知識

○セミナー内容：

1. SiCパワー半導体およびSiCウェハの開発動向
　1）SiCの基礎と物性
　　a) 身近なSiC
　　b) ワイドギャップ半導体と特徴
　　c) SiCウェハ
　　d) 他半導体材料とSiCの違い
　2）SiCパワー半導体への応用
　　a) SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
　　b) SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
　3）SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
　　a) パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
　　b) 国内・外でのSiCウェハ開発動向
　　c) SiCウェハ開発に対する今後の期待

2. SiCウェハ加工技術
　1）SiCのウェハ加工
　　a) SiCウェハ加工工程と技術課題
　2）ウェハ切断工程
　　a) SiC単結晶の切断技術
　　b) 切断工程の高速化技術
　　c) 切断工程の課題と新しい切断技術
　3）ウェハ研削工程
　　a) SiCウェハの研削加工
　　b) 研削加工の高速・鏡面化技術
　　c) 研削工程の課題と新しい研削加工技術
　4）ウェハ研磨工程
　　a) SiCウェハの研磨加工
　　b) 研磨加工と研削加工の特徴や違い
　　c) 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
　5）CMP工程
　　a) SiCウェハのCMP加工
　　b) CMPの高速化技術
　　c) CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
　6）加工変質層と評価
　　a) 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
　　b) 加工変質層の評価技術
　　c) 加工変質層の抑制技術
　7）大口径化対応
　　a) SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
　　b) 大口径化対応へ向けた解決策の検討

　　＜質疑応答＞


第2部：14:45～16:30　レーザーテック（株）　 藤木　翔太　氏

「SiC加工面の分析・評価法
　～加工歪・ダメージ等の欠陥評価とその影響など～」

○セミナーポイント：
　近年、炭化ケイ素（SiC: Silicon Carbide）は、耐熱性・耐久性に優れ、バンドギャップが大きく高温でも安定した特性を持つことから、電気自動車（EV）や再生可能エネルギー発電などの分野における、次世代のパワーデバイス用材料として注目されている。従来パワー半導体用材料として用いられるシリコン（Si）に比べて高い臨界電界強度をはじめとした優れた材料特性を有するSiCは、パワーデバイスの更なる高効率化・低損失化を実現できるため、今後のEV化やカーボンニュートラル社会の実現に向けて、普及拡大が進んでいる。SiCパワーデバイスの実用化に向け、今後はより高性能化・低コスト化・高信頼化が求められる。
SiCは物理的・化学的に非常に安定した難加工材料であり、従来のSiウェハと比べて加工難易度が高い。加工後のウェハ表面には、加工歪や欠陥が残存しやすく、これらがデバイスの歩留まりや信頼性に大きく影響するため、ウェハ全数の精密な検査が求められているのが現状である。
本セミナーではSiCウェハの加工面の欠陥・ダメージがデバイスに及ぼす影響など、加工面の特徴や品質について述べた後、その分析評価方法および検査に用いる装置技術について解説する。

○受講対象：
　・SiCやその他ワイドバンドギャップ半導体ウェハの加工プロセス、評価に携わっている方
　・SiCパワー半導体デバイス・材料の開発に携わっている方
　など

○受講後、習得できること：
　SiCなどワイドバンドギャップ半導体ウェハ特有の加工面の課題、およびその課題に対する最適な検査・計測・評価のアプローチ方法

○内容項目：

1. はじめに
　1) SiCウェハの重要性
　　a) 次世代パワー半導体市場
　　b) SiCウェハの課題
　2) 表面品質の重要性
　　a) SiCウェハのコスト
　　b) デバイスへの表面品質の影響

2. SiCウェハの加工プロセスと加工面の特徴
　1) SiCウェハの加工難易度
　　a) 加工工程の特徴
　　b) 各加工後の表面品質
　2) 加工後のSiCウェハに生じる欠陥
　　a) 結晶欠陥
　　b) 加工ダメージ
　　c) 加工変質層および潜傷

3. SiCウェハ評価技術
　1) 全数検査に用いる光学的手法
　　a) コンフォーカル光学系
　　b) 微分干渉光学系
　　c) フォトルミネッセンス光学系
　　d) 自動欠陥分類手法
　2) 加工面・内部の詳細分析
　　a) コンフォーカル光学系による三次元形状分析
　　b) 光干渉測定による三次元形状分析
　　c) 多光子励起フォトルミネッセンスによる内部欠陥分析
　　d) 電子線を用いた手法

4. まとめ・展望

　　＜質疑応答＞