GaNパワーデバイス開発技術2025｜基礎知識と最新動向

■本セミナーの受講形式（会場／Zoom両アイコンある場合は受講形式選択可）

zoom ……Zoomオンライン受講

見逃し視聴あり ……見逃し視聴選択可

★次世代パワーデバイスとして注目される「GaN」の基礎特性、デバイス開発動向など基本知識から最新情報まで満載！
★GaNパワーデバイスの作製プロセス、その評価等技術的なトピックについてももちろん網羅しています！

講師

国立大学法人　東海国立大学機構　名古屋大学　未来材料・システム研究所　特任准教授　田中敦之氏

講師紹介

■経歴
大学卒業後、企業及び国立研究所でSiCパワーデバイスの実用化に関する研究開発に従事。その後フィールドを大学、GaNのパワーデバイス移し研究・教育を行っている。

■専門および得意な分野・研究
SiC、GaNの結晶欠陥評価、加工、パワーデバイス設計、プロセス開発

■本テーマ関連学協会での活動
応用物理学会

＜その他関連セミナー＞
半導体製造プロセス一覧はこちら

日時・受講料・お申込みフォーム

●日時：2025年8月5日(火)　13:00-17:00　＊途中、小休憩を挟みます。

●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 46,200円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき35,200円

【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 51,700円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき40,700円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。

●録音・録画行為は固くお断りいたします。

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

お申込みはこちらから

配布資料・講師への質問など

●配布資料はPDFなどのデータで配布いたします。ダウンロード方法などはメールでご案内いたします。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡いたします。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申込みをお願いいたします。
　（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止いたします。
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

オンラインセミナーご受講に関する各種案内（必ずご確認の上、お申込みください。）

PC／タブレット／スマートフォンなど、Zoomが使用できるデバイスをご用意ください。

インターネット回線速度の目安（推奨）　下り：20Mbps以上

開催が近くなりましたら、Zoom入室URL、配布資料、当日の流れなどをメールでご連絡いたします。開催前日（営業日）の12：00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報ください。

⇒よくある事例として「弊社ドメイン（johokiko.co.jp）のメールがスパム扱いとなっている」「メールアドレスのご記載ミス」などがございます。お申込み後にフォームへご記載いただいたメールアドレスへ自動返信メールを送信しますので、こちらのメールが受信できない場合、弊社からのZoom入室URLや配布資料のご案内メールもお届けすることができなくなってしまいます。予め受信できる設定にお願いいたします。
※メールアドレスの記載誤りについては、以下へご連絡お願いいたします。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

受講者側のVPN、セキュリティ設定、通信帯域などのネットワーク環境ならびに使用デバイスの不具合については弊社では対応いたしかねますので予めご了承ください。

Zoom使用に関する注意事項（クリックして展開）

公式サイトから必ず事前のテストミーティングをお試しください。

→ 確認はこちら
→Skype／Teams／LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomで音声が聞こえない、カメラ・マイクが使えないなどの事象が起きる可能性がございます。お手数ですが、これらのアプリは閉じた状態にてZoomにご参加ください。
→音声が聞こえない場合の対処例

Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。

→参加方法はこちら
→一部のブラウザは音声が聞こえないなどの不具合が起きる可能性があります。
対応ブラウザをご確認の上、必ず事前のテストミーティングをお願いします。
（iOSやAndroidOS ご利用の場合は、アプリインストールが必須となります）

申込み時に（見逃し視聴あり）を選択された方は、見逃し視聴が可能です。（クリックして展開）

見逃し視聴ありでお申込みされた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。

セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。

原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します（一部、編集加工します）。

視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。

ex）2/6（月）開催セミナー → 2/10（金）までに配信開始 → 2/17（金）まで視聴可能
→見逃し視聴について、こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。（テスト視聴動画へ）パスワード「123456」

＜見逃し視聴ご案内の流れ・配信期間詳細＞

メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。

準備出来しだい配信いたしますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。上記例の2/6開催セミナーの場合、2/8から開始となっても2/17まで視聴可能です。

GWや年末年始・お盆期間などを挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。

原則、配信期間の延長はいたしません。

万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、（見逃し視聴あり）の方の受講料は（見逃し視聴なし）の受講料に準じますので、ご了承ください。

セミナーポイント

■講座のポイント　
GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、生活になくてはならないものとして利用されています。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、この分野では現行のSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされています。本講演では特にパワーデバイスの分野においてGaNを用いたデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します

■受講後、習得できること　
・パワーデバイスができるまで　結晶～デバイス～モジュール
・パワーデバイスの現状
・GaNにおける日本の立ち位置
・パワーデバイスの今後の展望

■講演中のキーワード
・GaN
・パワーデバイス
・ワイドバンドギャップ半導体
・結晶成長

セミナー内容

１．はじめに
　(1) パワーエレクトロニクスとは
　(2) パワーデバイスについて
　(3) パワー半導体とは
　(4) パワーデバイス・モジュールができるまでの工程

２．GaNについて
　（1）GaNの物性　なぜGaNなのか
　（2）GaNの用途
　（3）パワー半導体としてのGaN
　（4）GaNパワーデバイスの狙い

３．GaN関係の動向、世界的な状況と日本の立ち位置
　（1）パワー半導体の動向
　（2）GaNのプレーヤー・各社の狙い（ウェハ）
　　・GaN基板
　　・GaN on Si
　　・GaN on SiC
　　・GaN on QST
　（3）GaNのプレーヤー・各社の狙い（デバイス）
　　・横型デバイス
　　・縦型デバイス

４．GaN結晶について
　（1）様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
　　・HVPE法
　　・Na-fllux法
　　・Ammonothermal法
　　・OVPE法
　（2）基板とデバイス層
　（3）GaNonGaNとヘテロエピGaN
　（4）GaN基板のラインナップ
　（5）GaN基板ができるまでの加工工程
　　・スライス
　　・レーザスライス
　　・研磨
　（6）ウェハ・結晶評価
　　・GaNの結晶欠陥、Si,SiCでの結晶欠陥
　　・欠陥の検出方法、転位の影響

５．GaNパワーデバイス作製プロセスについて
　（1）デバイスププロセスに必要なこと
　（2）デバイス層結晶成長方法
　（3）イオン注入と高温高圧アニール
　（4）拡散
　（5）ゲート絶縁膜
　（6）エッチング
　
６.GaNパワーデバイス
　（1）デバイス設計とシミュレーション
　（2）基本的なGaNパワーデバイスの特性
　（3）様々なGaNパワーデバイス
　（4）パワーデバイス評価

７．デバイス作製後のプロセス

８．まとめ