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・酸化物半導体：その物性、デバイス物性、プロセス技術について集積化デバイスの視点から解説！
・三次元モノリシック集積・強誘電体メモリ・DRAMの研究開発動向は？
講師
奈良先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科
物質創成科学領域 助教 博士(工学) 髙橋 崇典 氏
講師紹介
2011年4月 - 2016年3月 鶴岡工業高等専門学校, 電気電子工学科
2016年4月 - 2018年3月 鶴岡工業高等専門学校, 生産システム工学専攻 電気電子・情報コース
2018年4月 - 2020年3月 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科 博士前期課程
2020年4月 - 2023年3月 独立行政法人 日本学術振興会, 特別研究員 (DC1)
2020年4月 - 2023年3月 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科 博士後期課程
2023年4月 - 現在 奈良先端科学技術大学院大学, 助教
○研究分野
主に酸化物半導体材料の電子デバイス応用に取り組んでいる。材料開発、素子試作、評価まで一貫して行っている。
○研究キーワード
酸化物半導体／電界効果トランジスタ／薄膜トランジスタ／半導体メモリ／ディスプレイ／集積デバイス／原子層堆積法／信頼性
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日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2026年7月23日(木) 13:00-16:30 ＊途中、小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 45,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき34,100円
【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円
＊「見逃し視聴あり」でお申込の場合、当日のご参加が難しい方も後日セミナー動画の視聴が可能です。
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
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配布資料・講師への質問など
●配布資料はPDFなどのデータで配布いたします。ダウンロード方法などはメールでご案内いたします。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡いたします。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申込みをお願いいたします。
（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。
●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
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セミナーポイント
○講師より／本セミナーのポイント
酸化物半導体は透明導電膜や薄膜トランジスタのチャネル材料としてディスプレイに応用されています。近年、酸化物半導体はシリコン集積回路技術との融合や次世代メモリデバイスへの応用が期待されています。本セミナーでは、酸化物半導体の物性とデバイス特性、プロセス技術の基礎を集積化デバイスの視点から解説し、最新の研究/開発動向を紹介します。
○受講後、習得できること
・酸化物半導体の物性・デバイス特性の基礎
・酸化物半導体のプロセス技術
・酸化物半導体を用いた集積デバイスの動向
セミナー内容
1. 酸化物半導体とは
1.1 酸化物半導体の概略
1.2 集積化デバイス分野における酸化物半導体への期待
2. 酸化物半導体の基礎
2.1 非晶質酸化物半導体の電子輸送特性
2.2 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの動作原理
2.3 酸化物半導体トランジスタの作製/設計
2.4 高移動度酸化物半導体材料
2.5 酸化物半導体トランジスタの信頼性
3. 酸化物半導体のプロセス技術
3.1 スパッタ法の基礎
3.2 原子層堆積法の基礎
3.3 スパッタ法 vs 原子層堆積法
3.4酸化物半導体の原子層堆積
4. 酸化物半導体を用いた集積化デバイスと周辺技術
4.1 酸化物半導体材料への要求
4.2 集積化デバイス応用に向けた材料開発①
・熱安定性に優れる酸化物半導体
4.3 集積化デバイス応用に向けた材料開発②
・高移動度酸化物半導体ナノシート
4.4 デバイス技術の紹介
4.4 酸化物半導体の課題と今後の展望
5. 最新の研究開発動向
5.1 国内/国外の動向
5.2 三次元モノリシック集積
5.3 強誘電体メモリ
5.4 DRAM
5.5 デバイス・プロセス技術
6.まとめ
＜質疑応答＞
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