……Zoomオンライン受講
……見逃し視聴選択可
●化学気相堆積法（ＣＶＤ）を初めて取り扱う初学者に、その目的、構成と操作を含む全体像を説明します。
講師
反応装置工学ラボラトリ 代表 羽深 等 氏
講師紹介
■略歴：
1981年3月 京都大学大学院理学研究科修士課程化学専攻 修了(理学修士)
1981年4月～2000年3月 信越化学工業株式会社
1996年9月 広島大学大学院工学研究科 博士（工学）
2000年4月 横浜国立大学工学部物質工学科 助教授
2002年4月～2022年3月 横浜国立大学大学院工学研究院 教授
2022年4月 横浜国立大学大学院工学研究院 名誉教授
2022年4月 反応装置工学ラボラトリ 代表
■専門および得意な分野・研究：
分野：半導体結晶材料製造技術に関わる化学工学研究
物質：シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、GaAsP、InPなど
製造技術の例：薄膜形成（熱CVD, プラズマCVD）の装置とプロセス、ノンプラズマドライエッチング、半導体ウエハ洗浄、多成分系有機物表面汚染挙動解析
取組みの視点：実験と解析、プロセスと装置の設計と開発、熱流体と化学反応の活用、表面吸着・脱離・反応の測定・解析と設計
■本テーマ関連学協会での活動：
化学工学会(エレクトロニクス部会部会長、シニア会員)、応用物理学会、日本結晶成長学会、米国化学会、米国電気化学会(名誉会員)、特定非営利活動法人YUVEC理事、よこはま高度実装技術コンソーシアム(YJC)理事長
＜その他関連セミナー＞
半導体製造プロセス 一覧はこちら
日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2025年8月29日(金) 13:00-16:00 ＊途中、小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 40,700円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき29,700円
【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 46,200円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき35,200円
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
●録音・録画行為は固くお断りいたします。
お申込みはこちらから
配布資料・講師への質問など
●配布資料はPDFなどのデータで配布いたします。ダウンロード方法などはメールでご案内いたします。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡いたします。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申込みをお願いいたします。
（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。
●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止いたします。
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）
オンラインセミナーご受講に関する各種案内（必ずご確認の上、お申込みください。）
※メールアドレスの記載誤りについては、以下へご連絡お願いいたします。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）
→Skype／Teams／LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomで音声が聞こえない、カメラ・マイクが使えないなどの事象が起きる可能性がございます。お手数ですが、これらのアプリは閉じた状態にてZoomにご参加ください。
→音声が聞こえない場合の対処例
→一部のブラウザは音声が聞こえないなどの不具合が起きる可能性があります。
対応ブラウザをご確認の上、必ず事前のテストミーティング をお願いします。
（iOSやAndroidOS ご利用の場合は、アプリインストールが必須となります）
→見逃し視聴について、 こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。（テスト視聴動画へ）パスワード「123456」
＜見逃し視聴ご案内の流れ・配信期間詳細＞
セミナーポイント
■はじめに
化学気相堆積法（ＣＶＤ）を初めて取り扱う初学者に、その目的、構成と操作を含む全体像を説明します。ＣＶＤ法は、電子デバイスをはじめ様々な製品を作る際に広く使われていますが、化学反応を使うので複雑な印象を抱いてしまいます。そこで，熱励起によるＣＶＤ法を中心に、装置の構成と操作、膜の評価を一つずつ確認して行きながら、具体的意味と全体像を解説します。成膜条件を最適化する際に苦労する項目にも触れます。
■ご講演中のキーワード：
装置、薄膜、化学反応、流れ、反応速度、反応操作、副生成物
■受講対象者：
・ＣＶＤ法を初めて取り扱う方
・ＣＶＤ法で行っている操作の意味が分からない方
・ＣＶＤ装置に生じる現象を知りたい方
・未経験者にＣＶＤ法を説明する立場の方
■必要な予備知識や事前に目を通しておくと理解が深まる文献、サイトなど：
・必要な予備知識はありません。
■本セミナーで習得できること：
・ＣＶＤ法の原理と基礎知識
・成膜装置の特徴
・成膜条件の選択方法
・ＣＶＤ法のトラブル対応法
セミナー内容
１． 薄膜が何故必要か
1.1 デバイス構造と薄膜形成理由
1.2 微細化と成膜方法の使い分け
２． 化学気相堆積（ＣＶＤ）法とは
2.1 気相堆積法の種類(PVDとCVD)
2.2 熱CVDとプラズマCVDの比較
３． ＣＶＤ装置の構成と機能
3.1 成膜装置の種類
3.2 成膜装置のシステム構成
４． 原料ガス
５． 基板
5.1 基板と膜の物性の関係
5.2 基板表面の汚れ除去法
６． 成膜とクリーニングの工程と意味
７． 成膜とドーピングで起こる現象
7.1 気相と表面の化学反応と膜質の関係
7.2 化学反応解析と成膜機構解析の事例
7.3 副生成物の扱い方
８． 装置の形とガス流れ
8.1 ガス流れの可視化観察事例
8.2 ガス流れと膜質の関係
９． 成膜条件（圧力、流量、など）と律速過程
１０． 基板を回す理由（成膜速度の平均化と加速の効果）
１１． 成膜事例（Si, SiC, GaN, Ga2O3,など）
１２． 化学反応の実際を知りたい時の調べ方（四重極質量分析）
１３． 膜の中身を知りたい時の調べ方（XPS, IR, SIMS）
１４． 困ったときの対処
14.1 成膜が再現しない時
14.2 成膜結果が成膜条件に応答しない時
１５． まとめ
お申込みはこちらから
