半導体製造プロセスにおけるイオン注入・アニール熱処理セミナー：2025年9月11日オンライン配信

■本セミナーの受講形式（会場／Zoom両アイコンある場合は受講形式選択可）

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見逃し視聴あり ……見逃し視聴選択可

不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、
MOS ICの微細化との関連を中心として解説する。

講師

サクセスインターナショナル株式会社　技術顧問　工学博士　鈴木俊治氏

講師プロフィール（クリック・タップして展開ください）

【略歴】
ソニー(株)中央研究所にて半導体(Si, GaAs)のデバイス及びプロセス技術の研究開発に従事、その後、同社超LSI研究所でLSIプロセス技術の研究開発に従事する、さらに、（株）SEN(現、住友重機械イオンテクノロジー(株））に移り、イオン注入装置の開発企画、開発促進に従事した。その後、琉球大学理工学部博士研究員、千葉大学工学部非常勤講師を歴任した。

【専門】
イオン注入技術、半導体熱処理技術、半導体デバイスの製造プロセス技術全般

【本テーマ関連学協会での活動】
半導体集積回路技術シンポジュームプログラム委員、
電機化学会　雑誌「電気化学」編集委員
半導体産業人協会　教育委員会委員

＜その他関連セミナー＞
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日時・受講料・お申込みフォーム

●日時：2025年9月11日(木)　13:00-17:00　＊途中、小休憩を挟みます。

●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 46,200円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき35,200円

【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 51,700円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき40,700円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。

●録音・録画行為は固くお断りいたします。

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

お申込みはこちらから

配布資料・講師への質問など

●配布資料はPDFなどのデータで配布いたします。ダウンロード方法などはメールでご案内いたします。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡いたします。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申込みをお願いいたします。
　（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止いたします。
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

オンラインセミナーご受講に関する各種案内（必ずご確認の上、お申込みください。）

PC／タブレット／スマートフォンなど、Zoomが使用できるデバイスをご用意ください。

インターネット回線速度の目安（推奨）　下り：20Mbps以上

開催が近くなりましたら、Zoom入室URL、配布資料、当日の流れなどをメールでご連絡いたします。開催前日（営業日）の12：00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報ください。

⇒よくある事例として「弊社ドメイン（johokiko.co.jp）のメールがスパム扱いとなっている」「メールアドレスのご記載ミス」などがございます。お申込み後にフォームへご記載いただいたメールアドレスへ自動返信メールを送信しますので、こちらのメールが受信できない場合、弊社からのZoom入室URLや配布資料のご案内メールもお届けすることができなくなってしまいます。予め受信できる設定にお願いいたします。
※メールアドレスの記載誤りについては、以下へご連絡お願いいたします。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

受講者側のVPN、セキュリティ設定、通信帯域などのネットワーク環境ならびに使用デバイスの不具合については弊社では対応いたしかねますので予めご了承ください。

Zoom使用に関する注意事項（クリックして展開）

公式サイトから必ず事前のテストミーティングをお試しください。

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→Skype／Teams／LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomで音声が聞こえない、カメラ・マイクが使えないなどの事象が起きる可能性がございます。お手数ですが、これらのアプリは閉じた状態にてZoomにご参加ください。
→音声が聞こえない場合の対処例

Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。

→参加方法はこちら
→一部のブラウザは音声が聞こえないなどの不具合が起きる可能性があります。
対応ブラウザをご確認の上、必ず事前のテストミーティングをお願いします。
（iOSやAndroidOS ご利用の場合は、アプリインストールが必須となります）

申込み時に（見逃し視聴あり）を選択された方は、見逃し視聴が可能です。（クリックして展開）

見逃し視聴ありでお申込みされた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。

セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。

原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します（一部、編集加工します）。

視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。

ex）2/6（月）開催セミナー → 2/10（金）までに配信開始 → 2/17（金）まで視聴可能
→見逃し視聴について、こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。（テスト視聴動画へ）パスワード「123456」

＜見逃し視聴ご案内の流れ・配信期間詳細＞

メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。

準備出来しだい配信いたしますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。上記例の2/6開催セミナーの場合、2/8から開始となっても2/17まで視聴可能です。

GWや年末年始・お盆期間などを挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。

原則、配信期間の延長はいたしません。

万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、（見逃し視聴あり）の方の受講料は（見逃し視聴なし）の受講料に準じますので、ご了承ください。

セミナーポイント

■はじめに
　半導体デバイスへの不純物導入はそのデバイスの性能・機能を左右する極めて重要な技術である。特に、先端のLSIでは複雑な不純物領域を持つ構造となっており、それには、精度の高い不純物層形成が重要である。
　本セミナーでは、不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、MOS ICの微細化との関連を中心として解説する。イオン注入技術ではその原理と装置の構造、および、MOS ICの微細化に対応する、精度の高い不純物層形成のためのイオン注入技術の課題とその対策を示す。アニール技術では、MOS ICの微細化に対応するアニールの手法、イオン注入によって導入されるSi結晶欠陥のアニールによる回復の過程を解説する。 MOS IC以外のデバイス作製のためのイオン注入技術についても簡単に紹介し、また、FinFETなど、最先端のMOS デバイス製作におけるイオン注入についても触れる。最後に、イオン注入技術に必要な材料解析技術も紹介する。

■想定される主な受講対象者
・半導体関連の材料・装置メーカーなどの主に若手～中堅の研究者／開発者／技術者／製造担当者
・異分野から半導体製造工程に関わることになった方など…初心者の方でも受講OKです！

■必要な予備知識
物理、電気の基礎知識、MOSトランジスタ動作の基本知識
（全く基本的な知識があれば可能）

■本セミナーに参加して修得できること
・MOS IC作製のためのイオン注入技術の詳細と課題。
・微細CMOSのイオン注入技術に対する要求
・イオン注入により破壊された結晶を回復させるアニールの手法
・アニールによる結晶回復に関する知識

セミナー内容

1．CMOS ICの微細化
　1.1　MOSトランジスタの微細化とその構造変化に対応するイオン注入技術
　1.2　MOS ICの高性能化、高機能化と特性最適化のための構造とイオン注入技術
　　　　・チャネル注入、デゥアルゲート構造、LDD構造、Deep Well構造
　1.3　MOS IC高信頼化のための構造とイオン注入技術
　　　　・LDD構造、Twin Well構造、Deep Well構造
　1.4　微細化に伴う課題克服のための構造とイオン注入技術（主に短チャネル効果とその対策）
　　　　・浅いソースドレイン、パンチスルーストッパー、エクステンション構造
　　　　・ハロー（ポケット）構造、Retrogradeチャネル構造
　　　　・短チャネル効果を回避するトランジスタ構造（FinFET, Nanowire Tr）

2．イオン注入技術
　2.1　イオン注入の原理と装置構造
　　　　・高電流注入装置、中電流注入装置、高エネルギー注入装置、プラズマドープ装置
　2.2　CMOS ICでのイオン注入の適用
　　　　・イオン注入領域と注入装置の種類
　　　　・イオン注入領域と注入条件
　2.3　イオン注入に伴う問題と対策
　　　　・イオンビーム精度、チャネリング、チャージアップ、ビームBrow up、金属汚染、
　　　　・注入損傷

3．アニール技術
　3.1　アニール手法
　　　　・電気炉アニール
　　　　・高温短時間アニール(Rapid Thermal Anneal : RTA)
　　　　・フラッシュランプアニール
　　　　・レーザーアニール
　3.2　注入不純物の活性化過程
　3.3　結晶の回復と2次欠陥の生成、展開
　3.4　光アニール技術の課題

4．その他のイオン注入技術とアニール技術
　4.1　CMOSイメージセンサー、パワーデバイス、Ⅲ‐Ⅴ属化合物半導体デバイス、
　4.2　SiCデバイス

5．最先端MOS Trの構造とイオン注入技術
　5.1　最先端MOS Tr構造の変化(FinFET、 Nanosheet Tr、他)
　5.2　最先端構造のイオン注入技術

6．イオン注入に関連する解析技術
　6.1　イオン注入量モニター
　6.2　不純物濃度分布解析
　6.3　キャリアの濃度分布解析
　6.4　結晶性解析
　6.5　汚染物質解析