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……見逃し視聴選択可
講師
東北学院大学 工学部電気電子工学科 教授
博士（理学）
原 明人 氏
講師紹介
■経歴
1983(昭和58)年3月 東京理科大学理学部第1部応用物理学科卒業
1985(昭和60)年3月 東北大学理学研究科物理学専攻前期博士課程終了
1985(昭和60)年4月 富士通(株)入社
以後、主として(株)富士通研究所にて半導体材料および半導体デバイスの研究開発に従事
1996(平成8)年11月 博士(理学) 東北大学
2006(平成18)年4月 東北学院大学工学部電子工学科 助教授
2007(平成19)年4月 東北学院大学工学部電子工学科 准教授
2008(平成20)年4月 東北学院大学工学部電子工学科 教授
2017(平成29)年4月 東北学院大学工学部電気電子工学科 教授
■専門および得意な分野・研究
半導体工学
■本テーマ関連学協会での活動
応用物理学会
電子情報通信学会
＜その他関連セミナー＞
表示デバイス（ディスプレイ等）・光学 一覧はこちら
日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2025年10月28日(火) 13:00-17:00 ＊途中、小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 46,200円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき35,200円
【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 51,700円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき40,700円
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
●録音・録画行為は固くお断りいたします。
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配布資料・講師への質問など
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セミナーポイント
■講座のポイント
Ⅳ族の半導体を中心として、薄膜トランジスタの高性能化・高機能化およびフレキシブル化について報告する。最近は、酸化物半導体を中心とした薄膜トランジスタの研究が盛んであり、性能向上や応用技術に関する発展が著しい。しかし現状では、CMOSを実現できる薄膜トランジスタはSiやGeなどのⅣ族半導体が中心的な存在である。これらのⅣ族多結晶半導体材料を利用し、ガラスやプラスチック上に低温で形成された薄膜トランジスタについて、報告者の研究を中心に紹介する。
■受講後、習得できること
・薄膜トランジスタについての基礎的な理解
・Ⅳ族系薄膜トランジスタの性能
・Ⅳ族系薄膜トランジスタの高性能化
・Ⅳ族系薄膜トランジスタの高機能化
■受講対象
・薄膜トランジスタの研究開発を始めたばかりのエンジニア
・Ⅳ族系薄膜トランジスタを研究している大学院生・学部生
■講演中のキーワード
・薄膜トランジスタ(TFT)
・シリコン
・ゲルマニウム
・4端子
・3次元集積
セミナー内容
１．薄膜トランジスタ(TFT)とは
1-1.単結晶 vs 多結晶 vs 非晶質
1-2.電界効果トランジスタ(FET)と薄膜トランジスタ(TFT)
２．多結晶TFTの移動度限界 ～多結晶シリコンを例として～
2-1.多結晶シリコンTFTの散乱要因
2-2.結晶粒界
2-3.界面ラフネス
2-4.粒内欠陥
2-5.低温プロセス
2-6.まとめ
３．連続波レーザを利用したガラス基板上のシリコン薄膜の大粒径化について
3-1.固相成長 vs パルスレーザー vs 連続波レーザ
3-2.DPSS CWレーザを利用したガラス基板上の多結晶シリコンの大粒径化
3-3.TFTの性能について
3-4.回路性能
４．ガラス基板上の単結晶シリコン成長とTFT性能
4-1.単結晶化のアプローチ ～選択的結晶化について～
4-2.ガラス基板上の単結晶TFTの性能について
５．四端子TFTによる高性能化・高機能化
5-1.原理
5-2.TFT形成プロセス
5-3.TFT特性
5-4.CMOSインバータの性能
６．縦型四端子TFTによる高性能化・高機能化
6-1.原理
6-2.金属誘起結晶化(Ni-MIC)について
6-3.TFTプロセス
6-4.TFT特性
6-5.High-k導入による高性能化
6-6.CMOS形成
７．多結晶ゲルマニウム(Ge)薄膜トランジスタの高性能化
7-1.ガラス上の多結晶Ge薄膜の特徴
7-2.金属触媒を利用した薄膜Geの低温結晶化
7-3.Poly-Ge TFTの高性能化 ～シングルゲート(SG) vs ダブルゲート(DG)～
7-4.Ge vs Ge1-xSnx
7-5.ゲートラストプロセスによる多結晶Ge TFTの高性能化
7-6.CMOS化
８．プラスチック基板上のpoly-Ge TFT
8-1.プラスチック基板上のDG poly-Ge TFT
8-2.Ge TFTとOxide TFTからなるプラスチック上のハイブリッドCMOS
９．ハイブリッド3次元集積
9-1.3次元集積プロセス
9-2.ハイブリッド3次元TFTの性能
１０．四端子TFTのセンサへの展開
＜終了後、質疑応答＞
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