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……見逃し視聴選択可
本セミナーでは、フォトレジスト技術の基礎から最先端のEUV・メタルレジスト材料の動向までを一日で体系的に解説します。
また、近年注目されるPFAS規制がレジスト材料に与える影響についても、最新の情報を踏まえてご紹介します。
講師
大阪公立大学 大学院工学研究科 物質化学生命系専攻
化学バイオ工学分野 高分子化学研究室 教授 堀邊 英夫 氏
株式会社日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 事業戦略本部
主任技師（先端レジスト計測ソリューション担当） 藤森 亨 氏
堀邊 氏
■略歴：
1985年 京都大学工学部合成化学科卒業
1985年 三菱電機(株)先端技術総合研究所 研究員/主任研究員/主席研究員
2003年 高知工業高等専門学校物質工学科 助教授
2007年 金沢工業大学バイオ・化学部応用化学科 教授
2013年 大阪市立大学大学院工学研究科化学生物系専攻 教授（～2022年）
2014年 大阪市立大学産学官連携本部新産業創生研究センター 所長（～2017年）
2017年 大阪市立大学大学院工学研究科化学生物系専攻長（～2018年）
2022年 大阪公立大学大学院工学研究科物質化学生命系専攻 教授（現在に至る）
2022年 大阪公立大学学長特別補佐（～2024年）
2025年 東北大学教授（クロアポ制度適用）（～現在に至る）
2007年 大阪大学 招聘教授（兼）（～現在に至る）
2015年 東北大学 客員教授（兼）（～2016年）
2016年 兵庫県立大学 客員教授（兼）（～2022年）
2016年 大阪工業大学 客員教授（兼）（～2019年）
2017年 高知工科大学 客員教授（兼）（～現在に至る）
2017年 金沢大学 客員教授（兼）（現在に至る）
2018年 東京農工大学 客員教授（兼）（～2021年）
2021年 東北大学 特任教授（兼）（～2025年）
2021年 広島大学 客員教授（兼）（～2023年）
2025年 立命館大学 客員教授（兼）（～現在に至る）
■ご専門および得意な分野・研究
高分子物性
■本テーマ関連学協会でのご活動：
昭和 61年 4月 高分子学会会員（現在に至る）
昭和 61年 4月 応用物理学会会員（現在に至る）
平成 20年 4月 Cat-CVD研究会 実行委員（現在に至る）
平成 21年 6月 第8回Cat-CVD研究会 実行委員長（平成21年6月まで）
平成 22年 4月 応用物理学会 本部第49期人財育成・教育事業委員（平成24年3月まで）
平成 22年 4月 応用物理学会 北陸・信越支部役員（平成24年3月まで）
平成 22年 4月 電気学会 論文委員（現在に至る）
平成22 年 9月 日本放射線化学会 常任理事（現在に至る）
平成24 年 1月 HWCVD International Advisory Committee（現在に至る）
平成24 年 2月 応用物理学会 第51期代議員（平成28年1月まで）
平成24 年10月 International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition International Advisory Committee（現在に至る）
平成26 年 4月 フォトポリマー学会 組織・企画委員（現在に至る）
平成28 年 4月 関西コンバーティングものづくり研究会 会長（現在に至る）
平成28 年 4月 関西ナノテクネットワーク連絡協議会 委員（現在に至る）
平成29 年 4月 近畿化学協会 エレクトロニクス部会幹事（現在に至る）
平成30 年 4月 ラドテック研究会 理事（現在に至る）
平成31 年 4月 大阪工研協会 副部会長（現在に至る）
令和 6 年 4月 プラスチック成形加工学会 関西支部長（現在に至る）
令和 6 年 4月 フォトポリマー懇話会会長（現在に至る）
令和 6 年 4月 大阪公立大学 産官学共同研究会副会長（現在に至る）
藤森 氏
【略歴】
埼玉大学にて学位・修士終了後。富士フイルム（株）に入社。有機合成化学研究所にて10年間新規化合物合成（主にフォトレジスト用材料）に従事後、エレクトロニクスマテリアルズ研究所に異動。イメージセンサー用カラーレジスト開発に6年間従事後、退職まで17年間半導体用フォトレジスト開発に従事。
2025年3月に富士フイルムを退職、2025年4月より（株）日立ハイテクに入社し、フォトレジスト材料知見を活かした先端レジスト計測ソリューション担当、現在に至る。2014年から2016年まで国家プロジェクトであるEIDEC（EUVL基盤開発センター）にて、主任研究員としてEUVリソグラフィの基礎研究に従事。
【専門】
有機合成化学（低分子～高分子、設計から合成、機能物性測定まで）
リソグラフィ用フォトレジストの設計、開発、評価（KrF, ArF, EUV, EB）
デバイス技術動向や市場動向などのマーケティング。
日立ハイテク入社後は、各種解析、メトロロジーにも携わる。
【本テーマ関連学協会での活動】
・MNC(International Microprocesses and Nanotechnology Conference), Program Committee, Patterning Materials section head.
・IWAPS(International Workshop on Advanced Patterning Solution), International Advisory Committee Members.
・JJAP 論文審査官
・ACS 論文審査官
・JVST 論文審査官
・各種学会のTutorial講演、招待講演など
＜その他関連セミナー＞
半導体製造プロセス 一覧はこちら
日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2025年11月7日(金) 10:30-16:30 ＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円
【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 56,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき45,100円
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
●録音・録画行為は固くお断りいたします。
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配布資料・講師への質問など
●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付いたします。
・お申込みの際にお受け取り可能な住所を必ずご記入ください。
・郵送の都合上、お申込みは4営業日前までを推奨します。（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、その場合、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。ご了承の上お申込みください。
・資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。
●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止いたします。
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ご受講にあたってのお願い
本セミナーはミーティング形式での実施を予定しております。可能な範囲で、カメラをオンにしてご参加頂けましたら幸いです。
セミナー内容 第1部
『レジスト材料・プロセス・装置の有効な評価法とトラブル対策』
10：30－12：00、13：00－14：30
担当：堀邊 英夫 氏
■はじめに
本セミナーでは、レジスト材料・プロセスの最適化について、レジスト塗布技術の基礎から密着性を含む現像特性を説明し、
レジスト剥離工程においては従来の剥離技術に対する新規な環境に優しいレジスト剥離 (除去) 技術について紹介する。
半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、
洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上にトランジスタを形成している。特に、微細素子のパターニングに用いられるレジストの剥離プロセスにおいては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を大量に使用する。
本セミナーでは、レジストの密着性を含む現像特性全般について講演するとともに、特に、レジスト剥離工程において従来の剥離技術、及び新規な環境に優しいレジスト剥離 (除去) 技術について紹介する。また、イオン注入されたレジストの構造についても言及する。
■想定される主な受講対象者
・ レジスト材料研究開発を始めたばかりの方から、ある程度の研究経験を経た方。
・ 業務に活かすため、レジスト、レジスト剥離についての知見を得たいと考えている方
・ レジストに取り組んでいるが、感度、解像度、基盤とも密着性のような課題があり困っている方
・ 本テーマに興味のある方なら、どなたでも受講可能です。
■本セミナーに参加して修得できること
・レジストの基礎知識
・レジスト材料のノウハウ
・レジストプロセスのトラブル対処法
・リソグラフィー技術のビジネス動向
■講演プログラム
1. 半導体とレジストについて
1-1．半導体の微細化
1-2．電子デバイスの製造工程
1-3．レジスト解像度とレジスト材料の変遷
1-4．半導体プロセスにおける各種レジスト
1-5．レジストに要求される特性
1-6．EUVレジストに求められる特性
2. レジストの基本原理
2-1．レジストの基本原理（光化学反応）
2-2．レジストの現像特性（溶解性）
2-3．リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
2-4．i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
2-5．KrF用，ArF用レジスト（化学増幅型）
2-6．レジストの解像度向上
3．レジストとSi基板との密着性について
3-1．レジストの密着性の向上
3-2．HMDSの感度特性への影響
3-3．紫外光透過率のHMDS依存性
4．ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について
4-1．レジストの現像特性の評価
4-2．レジストの分子量と溶解特性の関係
4-3．レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
4-4．プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
4-5．PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価
5. 水素ラジカルを用いた環境にやさしいレジスト除去技術
5-1．原子状水素によるレジスト除去速度の向上
・反応メカニズムについて検討
5-2．半導体プロセスにおける各種レジストの除去
・イオン注入レジストの除去
・化学構造の異なるレジストの除去
5-3．レジスト除去時の下地Si基板へのダメージ評価
6. オゾンマイクロバブルを用いたポリマー薄膜 (レジスト) の分解
6-1．ノボラック樹脂の除去 (pH依存性、温度依存性)
6-2．化学構造の異なるポリマーの除去
・ノボラック樹脂
・ポリビニルフェノール
・ポリメタクリル酸メチル)
6-3．オゾンマイクロバブル水溶液中での有機物の分解
セミナー内容 第2部
『最新のレジスト材料開発動向（EUVレジスト最新動向と、PFAS規制の影響）』
14：45－16：30
担当：藤森 亨 氏
■はじめに
2019年、30年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついにEUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術は、まだ序章に過ぎず多くの課題を抱えており、6年を経過した今なおレジストメーカーによる活発な開発が行われている。
本セミナーでは、EUV用フォトレジスト材料に関し、EUVリソグラフィ特有の難度の高い課題の解説から、化学増幅型レジスト(CAR)やメタルレジスト（MOR）および新材料の最新動向を解説するとともに、近年話題となっているPFAS 規制のレジストへの影響に関し解説する。
■想定される主な受講対象者
本テーマにご関心のある化学材料メーカー（特に原材料メーカー）や周辺部材メーカーの方々。
特に、若手研究者やマーケティング担当従事者、新規分野探索担当の方など。
新人教育や新たに担当になった方の導入にも最適です。
■本セミナーに参加して修得できること
リソグラフィの基礎、フォトレジストの歴史、EUVレジストの課題と開発動向
■講演プログラム
1. リソグラフィ微細化の歴史
1） リソグラフィプロセス概要
2） 簡単ではなかった露光波長短波化による微細化の歴史
3） 露光波長短波化をささえるフォトレジスト材料の進化
I-line → KrF → ArF → ArF液浸
4） ArF液浸リソグラフィ延命、Negative Tone Development （NTD） 技術
2. EUVリソグラフィ
1） EUVリソグラフィの歴史、実現のための３つの要素とその重要度の推移
2） 従来と異なる反応機構の特徴
3） EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か
4） リソグラフィ工程におけるストカスティック因子の分析の解決策例
5） 化学増幅型レジストによる高性能化
6） メタルレジストの誕生秘話と歴史
7） メタルレジストの特徴
8） メタルレジストの性能と最新動向（ドライって何？）
9） さらなる進化系、有機分子を蒸着したMolecular Wirer レジストなど最新動向
3. PFAS規制の影響
1） PFAS規制とは？
2） PFAS規制のレジスト材料への影響
3） PFAS freeレジストの開発動向
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セミナーコード：AD251189
