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★半導体製造におけるクリーン化技術の考え方を体系的に説明し、クリーンルーム技術、ウェハ洗浄技術、局所クリーン化技術などについて、実務上のポイントを交えて解説します。
講師
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 製造基盤技術研究部門 招聘研究員 原 史朗 氏
講師紹介
早稲田大学理工学部助手、理化学研究所基礎科学特別研究員を経て、1993年、電子技術総合研究所入所。ショットキーダイオードの特性ばらつきの根源を追い求め、その原因究明のために、局所クリーン化リサーチシステムを開発。2001~2002年 財団法人 新機能素子研究開発協会 研究開発部統括部長兼企画室長。著書「局所クリーン化の世界」。2007年に、投資額を1/1,000にするリスク分散型半導体生産システム・ミニマルファブ構想を創出。H24年度より3年間、ミニマルファブ開発を国家プロジェクト化し、プロジェクトリーダーを務めた。現在、国立研究開発法人産業技術総合研究所製造基盤技術研究部門・招聘研究員。同機構コンソーシアム・ファブシステム研究会代表。2022年にミニマルファブをビジネスとして推進する(株)Hundred Semiconductorsが設立され、取締役CTO。ミニマルファブ開発とその普及全体を統括し、リードしている。
■専門・得意分野
半導体表面界面物理、半導体産業システム、局所クリーン化、プロジェクトマネージメント、ミニマルファブ、デバイス開発
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日時・受講料・お申込みフォーム
●日時:2026年5月19日(火) 10:30-16:30 *途中、お昼休みや小休憩を挟みます。
●受講料:
【オンライン受講(見逃し視聴なし)】:1名 50,600円(税込(消費税10%)、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円
【オンライン受講(見逃し視聴あり)】:1名 56,100円(税込(消費税10%)、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき45,100円
*学校法人割引:学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
*5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
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配布資料・講師への質問など
●配布資料はPDFなどのデータで配布いたします。ダウンロード方法などはメールでご案内いたします。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前~前日を目安にご連絡いたします。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申込みをお願いいたします。
(土、日、祝日は営業日としてカウントしません。)
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。
●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。(全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。)
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
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<見逃し視聴ご案内の流れ・配信期間詳細>
セミナーポイント
半導体デバイスの歩留まりや信頼性に大きく影響する要因の一つが、製造工程における汚染(コンタミネーション)です。しかし実際の現場では、どのような汚染がどの程度デバイス特性に影響するのかが十分に整理されていない場合も少なくありません。本講義では、半導体デバイスの基本物理を出発点に、微量不純物や界面準位がデバイス特性に与える影響を解説し、微粒子汚染や原子・分子レベルの汚染の実態とその影響を整理します。その上で、半導体製造におけるクリーン化技術の考え方を体系的に説明し、クリーンルーム技術、ウェハ洗浄技術、局所クリーン化技術などについて、実務上のポイントを交えて解説します。
■受講対象
・半導体製造やクリーンルームに携わり、クリーン化技術を基礎から体系的に理解したい方
・クリーンルーム設備や関連装置・材料の提案、設計、営業に携わり、顧客対応に必要な知識を整理しておきたい方
・半導体分野への参入を検討している企業で、まず半導体製造に必須となるクリーン化技術の全体像を把握したい方
・半導体プロセスエンジニアとして、汚染がデバイス特性や歩留まりに与える影響を理解し、プロセス設計や歩留まり改善に役立てたい方
・クリーンルームの維持管理やコストに課題を感じており、局所クリーン化など新しいクリーン化技術に関心のある方
■受講後、習得できること
・半導体デバイス特性と微量不純物・界面準位との関係の理解
・微粒子汚染および原子・分子レベル汚染がデバイス特性や歩留まりに与える影響
・半導体製造における汚染発生メカニズムと汚染制御の基本的考え方
・クリーンルーム技術、製造装置、ウェハ洗浄技術などクリーン化技術の原理と実務ポイント
・局所クリーン化技術およびミニマルファブに代表される新しい半導体製造システムの理解
セミナー内容
1.はじめに~半導体におけるクリーン度の物理~
2.デバイス性能に影響を及ぼす汚染とその実態
2-1. 微粒子の解説:(1) 大気中浮遊微粒子、(2) 装置内発生コンタミ
2-2. 原子レベル汚染物質の解説(イールド劣化要因、ファブ内ウェハへのダメージ):
ボロン、リン、重金属、ナトリウム、塩素、アンモニア、炭素、金、水、酸素
3. クリーン化技術
3-1. クリーンルーム技術
・発塵源としての人
・発塵を抑えるクリーンスーツ
・発塵を抑えるクリーンルーム技術
・発塵を抑える人動作
3-2. クリーン化対応製造装置
3-3. 高純度技術
・ウェハ洗浄技術
・スーパークリーンテクノロジ
3-4. 局所クリーン化技術
・従来局所クリーン化技術との比較
・前工程[微粒子だけ遮断]実例
3-5. ミニマルファブ技術
(1) ミニマルファブの概念と初期経緯
(2) 標準化と権利確保戦略
(3) Fact data
(4) Next stage
4. 参考文献
5. 質疑応答
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セミナーコード:AD2605E1


