……Zoomオンライン受講
……見逃し視聴選択可
半導体洗浄の基本原理からCMP後洗浄までを対象に、各種汚染の除去メカニズムを体系的に整理。
洗浄剤設計の考え方や表面状態の解析・評価手法について、具体例を交えて解説します。
講師
三菱ケミカル株式会社 情報電子技術開発本部 情電技術部 半導体前工程グループ 主席研究員 竹下 寛 氏
【略歴】
2001年 京都大学大学院理学研究科化学課程修了（理学修士）
同年三菱化学（株）入社
同社分析部門、神奈川科学技術アカデミー派遣研究員、三菱化学メディア（株）を経て、半導体製造プロセス材料の開発に携わる
【専門】
情報電子分野の材料設計および機能評価・解析
【本テーマ関連学協会での活動】
Advanced Metallization Conference（ADMETA） 論文委員
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日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2026年7月9日(木) 13:30-16:30 ＊途中、小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 40,700円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき29,700円
【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 46,200円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき35,200円
＊「見逃し視聴あり」でお申込の場合、当日のご参加が難しい方も後日セミナー動画の視聴が可能です。
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
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商品コード：AD260782
配布資料・講師への質問など
●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付いたします。
・お申込みの際にお受け取り可能な住所を必ずご記入ください。
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・それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、その場合、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。ご了承の上お申込みください。
・資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。
●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
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セミナーポイント
■はじめに
半導体の微細化は、ALDやALEによる原子レベルの成膜・加工に加えて、EUV光源の開発、リソグラフィーへの適用により、nmレベル構造体の製造技術の結集となっています。一方で、欠陥低減のために高機能洗浄プロセスが必須ですが、洗浄は経験・ノウハウに頼ることが多く、体系的に学習しにくい分野の一つです。そのような背景の中、本講座前半では、ウェハ洗浄技術の基礎、汚染および汚染除去方法の概説をします。また後半では、CMP後洗浄の技術に焦点を当て、洗浄剤成分と配合設計の詳細説明、洗浄性能を評価するための検査方法・解析手段について、具体的な例に基づき説明します。
■想定される主な受講対象者
半導体チップメーカ、半導体装置メーカ、材料サプライヤでウェットまたはCMP関連業務に携わる初学者の方、中堅で知識を整理したい方。特に洗浄工程や表面分析に興味のある方。あるいは当該分野で幅広い知識を得たい営業担当の方。
■本セミナーに参加して修得できること
・半導体ウェハ洗浄の基本的な考え方と、前工程における洗浄の位置づけ
・各種汚染の特徴と除去の考え方
・CMP後洗浄における課題と、洗浄剤設計、技術動向
・洗浄性能や表面状態を評価する分析・解析手法
セミナー内容
1．半導体洗浄の基礎
1-1．半導体ロードマップと洗浄対象
1-2．ウェット洗浄に求められる機能と課題
1-3．洗浄プロセスと洗浄装置
2．半導体表面の汚染除去
2-1．序論
2-2．RCA洗浄など典型的な洗浄組成の紹介
2-3．パーティクル汚染と除去
2-4．有機物汚染と除去
2-5．金属（メタル）汚染と除去
3．CMP後洗浄剤技術
3-1．CMPプロセス
3-2．CMP後洗浄とは
3-3．CMP後洗浄におけるトレンド
4．CMP後洗浄剤の機能設計
4-1．洗浄対象
4-2．洗浄課題
4-3．洗浄メカニズム
4-4．洗浄剤成分と配合設計
4-5．酸性洗浄剤とアルカリ性洗浄剤の比較
4-6．先端デバイス向けプロセスにおける特定課題
（次世代配線金属、ハイブリッドボンディングなどの工程）
5．洗浄表面の評価技術
5-1．製造プロセスにおけるウェハ洗浄後検査
5-2．砥粒除去性の評価
5-3．残渣除去性の評価
5-4．腐食評価、表面の酸化状態の解析
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