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シリコンフォトニクスによる集積光デバイスセミナー

シリコンフォトニクスによる集積光デバイスの基礎と最新動向

~波長可変レーザ、光回路モニタリング、LiDAR、THz波応用まで~

■本セミナーの受講形式(会場/Zoom両アイコンある場合は受講形式選択可)

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見逃し視聴あり……見逃し視聴選択可


シリコンフォトニクスによる集積光デバイスを対象に、光導波路や変調器の動作原理を体系的に整理。
ヘテロジニアス集積やLiDAR、THz波応用について解説します。

講師

早稲田大学 理工学術院 教授 博士(材料科学) 北 智洋 氏

講師プロフィール(クリック・タップして展開ください)

【略歴】
早稲田大学理工学術院教授。シリコンフォトニクスおよび光集積回路の研究に従事。
ヘテロジニアス集積レーザや高速光変調デバイスの開発を中心に、光通信・センシング分野への応用研究を推進し、現在に至る。

【専門】
半導体工学

【本テーマ関連学協会での活動】
応用物理学会 微小光学研究会 実行委員
電子情報通信学会 光集積及びシリコンフォトニクス特別研究専門員会 委員

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日時・受講料・お申込みフォーム

●日時:2026年7月16日(木) 10:30-16:30 *途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

●受講料:
【オンライン受講(見逃し視聴なし)】:1名 50,600円(税込(消費税10%)、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

【オンライン受講(見逃し視聴あり)】:1名 56,100円(税込(消費税10%)、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき45,100円
*「見逃し視聴あり」でお申込の場合、当日のご参加が難しい方も後日セミナー動画の視聴が可能です。

学校法人割引:学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
 ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
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・資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。(全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。)
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
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  • 見逃し視聴ありでお申込みされた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。
  • セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
  • 原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します(一部、編集加工します)。
  • 視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。
  • ex)2/6(月)開催 セミナー → 2/10(金)までに配信開始 → 2/17(金)まで視聴可能
    →見逃し視聴について、 こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。(テスト視聴動画へ)パスワード「123456」

    <見逃し視聴ご案内の流れ・配信期間詳細>
  • メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
  • 準備出来しだい配信いたしますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。上記例の2/6開催セミナーの場合、2/8から開始となっても2/17まで視聴可能です。
  • GWや年末年始・お盆期間などを挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
  • 原則、配信期間の延長はいたしません。
  • 万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、(見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承ください。
  • セミナーポイント

    ■はじめに
     近年、データセンターやAIインフラの高度化に伴い、高速・低消費電力な情報伝送技術としてシリコンフォトニクスの重要性が急速に高まっています。本講座では、シリコンフォトニクスの基盤となる光導波路の原理から、光回路を構成する代表的なデバイスの動作までを体系的に解説します。さらに、波長可変レーザやヘテロジニアス集積技術といった最新の研究開発動向に加え、LiDARやTHz波センシングなどの新規応用についても紹介し、実際のデバイス開発やシステム応用への展開を見据えた理解を深めることを目的とします。

    ■想定される主な受講対象者
    ・シリコンフォトニクスや光集積回路の技術動向を把握したい方
    ・光通信、データセンター関連機器の開発・設計に携わる技術者
    ・光デバイス(レーザ、変調器、検出器等)の開発に関わる方
    ・LiDAR、センシング、THz波応用に関心のある研究・開発担当者
    ・電子デバイス、半導体デバイス分野から光技術への展開を検討されている方

    ■必要な予備知識
    大学工学部レベルの数学および物理(特に電磁気学)の基礎知識があると理解が深まりますが、必要に応じて基本事項から説明するため、光デバイス分野に初めて触れる方でも受講可能です。

    ■本セミナーに参加して修得できること
    ・シリコンフォトニクスおよび光集積回路の基本原理と全体像の理解
    ・光導波路、干渉・共振デバイスなど主要な光回路要素の動作原理
    ・光変調器、光検出器、波長可変レーザなどアクティブデバイスの基礎と特性
    ・ヘテロジニアス集積技術および光トランシーバへの応用の理解
    ・LiDARやTHz波センシングなど新規応用分野と今後の技術動向の把握

    セミナー内容

    1.シリコンフォトニクスの概要と技術背景
      1)データセンター・AI時代における要求
      2)電気配線の限界と光配線の優位性
      3)シリコンフォトニクスの基本構成
        a)光源・導波路・変調器・検出器
        b)電子回路との対応関係
      4)代表的な光トランシーバ構成
        a)IM/DD方式
        b)コヒーレント方式

    2.光導波路と光伝搬の基礎
      1)電磁波としての光の記述
      2)全反射と導波条件
      3)導波モードの形成
        a)定在波としての理解
        b)モードの離散化
      4)シリコン導波路の特徴
        a)高屈折率コントラスト
        b)小型化・高集積化

    3.パッシブ光デバイス
      1)光合分波器
        a)方向性結合器
        b)MMIカプラ
      2)干渉デバイス
        a)マッハ・ツェンダー干渉計(MZI)
        b)位相制御と特性設計
      3)共振デバイス
        a)リング共振器
        b)波長フィルタとFSR設計
      4)偏波制御デバイス
        a)偏波分離器
        b)偏波回転器

    4.アクティブ光デバイス
      1)光変調器
        a)キャリア注入型・空乏型
        b)高速化と帯域特性
      2)光スイッチングデバイス
        a)動作原理
        b)応答速度と損失
      3)光検出器
        a)Geフォトダイオード
        b)受光特性と帯域
      4)シリコンフォトニクスの制約
        a)発光素子の不在
        b)温度依存性・損失

    5.ヘテロジニアス集積技術
      1)異種材料集積の必要性
        a)III-V族半導体との集積
        b)SiN・LiNbO3との融合
      2)ヘテロジニアス光源
        a)波長可変レーザ
        b)狭線幅化技術
      3)光回路モニタリング技術
        a)インラインモニタ
        b)フィードバック制御
      4)ヘテロジニアストランスミッタ
        a)レーザ・変調器集積
        b)高速動作と低消費電力

    6.応用分野とシステム展開
      1)光通信応用
        a)データセンター光インターコネクト
        b)コヒーレント通信
      2)センシング応用
        a)LiDAR
        b)FMCW方式の原理
      3)THz波応用
        a)二波長レーザによるTHz生成
        b)センシング・通信応用
      4)産業動向と今後の展望
        a)ファウンドリーとエコシステム
        b)今後の技術課題と展望


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