発刊・体裁・価格
発刊 2025年12月予定
定価 〇書籍版：74,800円（税込（消費税10％））
〇書籍版＋ＰＤＦ版セット：85,800円（税込（消費税10％））
体裁 B5判 約500ページ ISBN 978-4-86502-293-3
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本書のポイント
★EVや再生可能エネルギー発電、データセンター用途に向け益々需要が見込まれる、
SiCウェハ・SiCデバイスの低コスト量産化に向けた大口径化・高品質化等の各種対応や取り組みを詳述！
・SiC 原料粉末から単結晶・エピタキシャル薄膜まで、その特徴・物性
・他半導体材料との比較
○結晶成長プロセス技術と欠陥低減策
・基礎理論から各手法・エピタキシャル薄膜成長技術と欠陥低減に向けた取り組み
・各種の欠陥検出・スクリーニング手法も網羅
○ウェハコストの大半を占める加工工程を深掘！
・切断・研磨・ＣＭＰ・洗浄等各プロセスに求められる要件とは？その取り組みとは？
・加工の影響・ダメージを評価する各種検査法・シミュレーション手法について
・アニール処理やダイシング・接合プロセスなど関連のデバイス加工技術も網羅
○SBD・MOSFET等、SiCパワーデバイス品質に関わる各種特性の制御・評価法
・バイポーラ通電劣化他、様々な劣化メカニズムとその対策
・界面特性や欠陥、キャリア寿命等の測定評価法、各種シミュレーション
・結晶欠陥や加工ダメージ、各種劣化現象が品質に及ぼす影響とは？
○SiC量産・普及拡大に向けた動向・各種取り組み
・SiCウエハの市場・価格動向や今後期待されるアプリケーション
・シリコンウエハ製造加工プロセスとの比較検討
・SiCチップ接合プロセスにおける品質・生産性向上の取り組み
執筆者一覧（敬称略）
初森 智紀 太平洋セメント（株）
大谷 昇 関西学院大学
百瀬 賢治 （株）レゾナック
向出 徳章 Wolfspeed Japan（株）
柿本 浩一 東北大学
吉川 健 大阪大学
川西 咲子 京都大学
児島 一聡 （国）産業技術総合研究所
松畑 洋文 有限責任事業組合アイシーソルーションズ
江藤 数馬 （国）産業技術総合研究所
吉川 潤 日本ガイシ（株）
石川 由加里 （一財）ファインセラミックスセンター
先崎 純寿 （国）産業技術総合研究所
加藤 智久 （国）産業技術総合研究所
乾 義孝 （株）安永
山田 洋平 埼玉大学
池野 順一 埼玉大学
五十嵐 健二 （株）東京精密
河田 研治 （株）斉藤光学製作所
宮下 忠一 不二越機械工業（株）
山口 直宏 Mipox（株）
佐藤 誠 ノリタケ（株）
松井 淳 （株）MTK
藤木 翔太 レーザーテック（株）
小林 健二 （株）日立ハイテク
齋藤 賢一 関西大学
加藤 正史 名古屋工業大学
相場 健 住友重機械イオンテクノロジー（株）
山田 浩 （株）ハイシック
北市 充 三星ダイヤモンド工業（株）
三澤 明日香 三星ダイヤモンド工業（株）
陳 伝彤 大阪大学
内海 淳 九州大学
竹内 和歌奈 愛知工業大学
今泉 昌之 三菱電機（株）
矢野 裕司 筑波大学
寺尾 豊 富士電機（株）
喜多 浩之 東京大学
武井 康平 沖エンジニアリング（株）
大橋 輝之 （株）東芝
武田 亮 キーサイト・テクノロジー・インターナショナル合同会社
三上 拓 （株）富士経済
山本 秀和 グリーンパワー山本研究所
鈴木 悠午 日機装（株）
目次
第1章 SiC 材料の種類・基本構造とその物性・特徴など
第1節 各種SiC の構造および特徴・物性
第1項 昇華再結晶法向けSiC 原料高純度炭化ケイ素（SiC）粉末
1. 高純度SiC 粉末 開発経緯
2. 高純度SiC 粉末の製造方法
2.1 原料混合、焼成、解体
2.2 粉砕、 分級、 洗浄
3. 高純度SiC 粉末の物性
4. 昇華再結晶法に適した高純度SiC 粉末の開発とその特徴
第2項 SiC 単結晶の構造および物性・特徴
第3項 パワー半導体用SiCエピタキシャル薄膜・ウェハの基本特性
1. ポリタイプ制御
2. 純度および不純物の制御
3. SiCエピ起因の表面欠陥制御
3.1 パワーデバイス用エピウェハにおけるエピ起因欠陥低減の重要性
3.2 エピ起因欠陥低減の考え方と装置技術
4. 基板から伝播するキラー欠陥の抑制技術
5. エピウェハの均一性・安定性
第2節 SiC とその他次世代パワー半導体材料との比較
1. パワー半導体デバイスに必要な材料特性の比較
2. バンドギャップ
3. 絶縁破壊電界強度
4. ワイドバンドギャップ半導体が小さいオン抵抗を示す理由
5. SiC のドーピング密度はSi の100 倍
6. SiC は価電子制御が容易で実用性に優れる
7. 電子移動度と飽和ドリフト速度
8. MOSFET のチャネル内の電子移動度とオン抵抗
9. 熱伝導率
10. 半導体材料と応用分野
11. 半導体材料とデバイス構造
第2章 SiC ウェハの結晶成長
第1節 SiC 単結晶成長の基礎理論
第2節 SiC 結晶成長技術
第1項 昇華再結晶法
1. 昇華法
2. 結晶多形（ポリタイプ）制御技術の必要性
3. 今後の課題
4. 結晶成長の数値解析（昇華法のモデル化）
第2項 高温溶液成長法
1. 溶液成長技術
1.1 結晶育成装置ならびに一般的成長法
1.2 溶液成長の高速化と溶媒組成
1.3 メニスカス形成凹面成長法
2. 欠陥制御
2.1 転位制御
2.2 マクロステップ制御
3. 計算科学的アプローチ
4. 成長界面制御と溶媒組成
第3項 4H-SiC のホモエピタキシャル成長の基礎とその応用
1. 4H-SiC のホモエピタキシャル成長の基礎
1.1 成長条件および成長装置
1.2 ステップ制御エピタキシー
1.3 C/Si 比
1.4 面極性
2. SiC のホモエピタキシャル成長技術を応用した埋込成長技術
2.1 埋込成長技術
2.2 埋込成長技術の現状
第3節 SiC の結晶欠陥
1. 4H-SiC の結晶構造
2. 基底面転位
2.1 すべり面
2.2 転位の向きとバーガース・ベクトル
2.3 基底面完全転位と基底面部分転位
3. 貫通刃状転位
4. 貫通らせん転位
5. フランクの刃状転位
6. 貫通混合転位
6.1 b = + c［0001］+ a / 3〈1120〉型の貫通混合転位
6.2 b = + c［0001］+ a〈1100〉型の貫通混合転位
7. マイクロパイプ
8. 4H-SiC の積層欠陥について
8.1 ショックレー型積層欠陥とフランク型積層欠陥
8.2 多層積層欠陥
9. デバイスへの影響
9.1 p-i-n 構造での逆バイアス特性に及ぼす転位の影響
9.2 酸化膜絶縁破壊
9.3 順方向特性劣化
第4節 結晶成長プロセスにおける高品質化・欠陥低減技術
第1項 昇華法と溶液成長を組み合わせた欠陥低減技術
1. 溶液成長によるTSD 変換
2. 低オフ角ハイブリッド成長での課題と成長オフ角による転位の伝播挙動への影響
3. 各成長法でのTSD 変換率とオフ角との関係
第2項 多数枚ウエハ上への同時成長・基底面転位（BPD）密度の低減技術
1. セラミックプロセス技術を用いたSiC 結晶の成長技術
1.1 プロセスの概要
1.2 結晶成長厚さ及び結晶成長速度
2. 得られるSiC 結晶の品質とその制御因子
2.1 BPD 密度
2.2 多形制御
2.3 抵抗率制御
2.4 不純物含有量
3. SiC パワーデバイス製造プロセスにおける本技術の適用形態
第5節 SiC 結晶の測定評価・欠陥スクリーニング技術
第1項 各手法による結晶欠陥検出法とその特徴・使い方
1. 対象とする欠陥種
2. エッチング
2.1 原理
2.2 方法
2.3 適用
3. 透過型電子顕微鏡（TEM, STEM）
3.1 原理
3.2 方法
3.2.1 試料調整
3.2.2 観察
3.3 適用
4. 光学顕微鏡
4.1 微分干渉顕微鏡
4.1.1 原理
4.1.2 方法
4.1.3 適用
4.2 偏光顕微鏡
4.2.1 原理
4.2.2 適用
4.3 位相差顕微鏡
4.3.1 原理
4.3.2 方法
4.3.3 適用
5. PL 顕微鏡
5.1 PL イメージング
5.1.1 原理
5.1.2 適用
5.2 多光子励起顕微鏡
5.2.1 原理
5.2.2 方法
5.2.3 適用
6. XRT
6.1 原理
6.2 方法
6.3 適用
7. 走査型電子顕微鏡
7.1 SEM（走査型電子顕微鏡）
7.2 EBIC（電子ビーム誘起電流法）
7.3 CL
第2項 結晶成長プロセスのその場観察・可視化技術とその評価
1. 高温界面のその場観察の原理
2. 観察方法
3. メルトバック過程のその場観察
4. 成長過程のその場観察
4.1 成長の機構
4.2 ステップフロー成長への転位の影響
4.3 成長界面への微量成分の影響
第3項 エピタキシャル薄膜の欠陥スクリーニング法・測定評価技術
1. SiC エピタキシャル薄膜の欠陥スクリーニング手法
2. SiC エピタキシャル薄膜欠陥の分類
3. ウェハ統合評価プラットフォームによるSiC エピタキシャル薄膜欠陥の評価事例
4. SiC エピタキシャル薄膜欠陥のマルチチャネル解析技術
5. SiC エピタキシャルウェハ品質とデバイス歩留まりの相関
第3章 SiC ウェハ製造のための加工プロセス
第1節 SiC ウエハ加工プロセスの流れとそのポイント
1. SiC のウェハ加工プロセスの変遷
2. SiC 単結晶のウェハ切断までの工程
3. SiC ウェハの平坦化・鏡面化加工工程
4. ウェハエッジのべべリング加工の重要性
5. 仕上げ研磨工程
6. 加工工程における品質管理および評価のポイント
第2節 各工程にかかわる装置・部材技術
第1項 ウェハ切断
（1）切断技術
1. 半導体材料のスライシング概要
1.1 各種工法の説明
1.2 マルチワイヤソー切断の機構
1.3 ワイヤソー切断3 工法（遊離砥粒加工、固定砥粒加工、放電加工）の比較
2. SiC のワイヤソー切断技術
2.1 市場背景と課題
2.2 SiC のワイヤソー切断工法と特徴
2.3 SiC の固定砥粒加工の進化について
3. まとめ
（2）レーザスライシング技術
1. レーザスライシング技術について
2. SiC のレーザスライシング技術の原理
2.1 レーザの選定
2.2 レーザ照射による内部改質とへき開伸展
2.3 へき開の誘導・連結と剥離
3. レーザスライシングの優位点
4. レーザスライシングの課題点
第2項 ウェハ研削
1. ウェハ面取り研削
1.1 面取り研削の目的と市場要求
1.2 面取り研削の種類と特徴
1.3 面取り研削の課題と最新加工技術
1.4 今後の展望
2. ウェハ研削加工
2.1 ウェハ研削加工の目的と市場要求
2.2 従来型研削盤の課題
2.3 高剛性研削盤 HRG シリーズ
2.4 研削加工モード
2.5 ウェハ研削の課題と最新加工技術
2.6 今後の展望
第3項 ウエハ研磨・CMP
（1）研磨・CMP 加工プロセスとその要点
1. SiC 研磨・CMP の基礎
1.1 研磨方法
1.2 SiC 用CMP スラリーの構成
1.3 研磨の最終目的
2. CMP による平坦性の実現
3. 強酸化剤型スラリーと触媒反応型スラリーの研磨性能の比較
4. 二段CMP プロセスの検討
5. CMP プロセスの現状と将来
（2）各種研磨技術と研磨装置
1. SiC ウェハの加工工程の特徴
1.1 粗加工・中間加工工程
1.2 研磨・仕上げ研磨工程
2. SiC ウェハの研磨装置
2.1 両面研磨装置
2.2 バッチ式片面研磨装置
2.3 枚葉式片面研磨装置
2.4 高速高圧研磨装置
3. 高速高圧研磨の加工例
（3）ノッチ・エッジ研磨加工技術
1. ノッチ・エッジ研磨加工の目的
2. ノッチ・エッジ研磨加工方法について（遊離砥粒方式、研磨フィルム方式）
3. SiC ウェハのノッチ・エッジ研磨の難しさについて
4. エッジ部近傍の研磨加工について（トップエッジ研磨）
（4）研磨フィルム
1. 研磨フィルムについて
2. 研磨フィルムの種類について
3. 遊離砥粒方式と砥石研削方式、研磨フィルム方式の違いについて
4. 研磨フィルム方式の特長
5. 研磨フィルム方式ノッチ・エッジ研磨装置について
6. 新しい研磨フィルム、研磨フィルム方式の今後について
（5）CMP パッド
1. SiC ウェハのCMP プロセス
1.1 従来のSiC ウェハのCMP
1.2 過マンガン酸カリウムを援用したSiC ウェハのCMP
2. SiC ウェハのCMP 研磨パッドに求められるもの
3. SiC ウェハのCMP 研磨パッドの種類
4. 遊離砥粒用研磨パッドによるSiC ウェハの研磨
5. 砥粒内包研磨パッドによるSiC ウェハの研磨
5.1 砥粒内包研磨パッドとは？
5.2 砥粒内包研磨パッドによる過マンガン酸カリウム援用研磨
6. SiC ウェハの高能率CMP への対応
第4項 SiC ウエハの洗浄方法
1. SiC ウエハの洗浄方法
1.1 薬液例1：オゾン水を活用した洗浄方法
1.2 薬液例2：Si ウエハと類似な薬液を使用した洗浄方法
2. 洗浄装置
2.1 配線パターン形成前の SiC ウエハとCMP 後洗浄に使用される装置例
2.2 SiC デバイス製造工程に使用される装置例
2.3 SiC ウエハ（デバイス）製造工程に使用される洗浄装置例
3. SiC ウエハ洗浄における課題
3.1 現行の洗浄液・洗浄装置における課題
3.2 パーティクル汚染対策
3.3 反りの大きいSiC ウエハの搬送方法とウエハチャック方法
第3節 加工面の分析・評価技術
第1項 加工面の分析・評価法
1. SiC ウェハの加工プロセスと加工面の特徴
2. 光学的手法によるSiC 表面評価技術
3. 表面近傍層のその他分析・評価手法
第2項 ミラー電子顕微鏡による加工ダメージの非破壊検査
1. SiC ウェーハの欠陥と欠陥検出技術
1.1 SiC ウェーハの特徴と欠陥
1.2 SiC ウェーハ欠陥検査技術
2. ミラー電子顕微鏡技術
2.1 第三の顕微鏡
2.2 ミラー電子顕微鏡の光学系と像形成原理
2.2.1 ミラー電子顕微鏡の光学系
2.2.2 像形成原理
2.3 ミラー電子顕微鏡の特長
3. ミラー電子式検査装置Mirelis（ミレリス）VM1000
4. Mirelis VM1000 によるSiC バルクウェーハ検査の実例
4.1 SiC バルクウェーハ品質管理
4.2 SiC バルクウェーハの加工ダメージ管理
4.2.1 潜傷の非破壊検査
4.2.2 潜傷のSiC エピウェーハ品質への影響
4.2.3 潜傷の解析結果
第4節 SiC 加工に関する塑性変形と破壊挙動の数値シミュレーション
1. SiC 結晶に関する数値シミュレーション
1.1 分子動力学シミュレーションの理論・方法
1.1.1 シミュレーション理論
1.1.2 シミュレーション方法
1.2 SiC の分子動力学モデルの構築
1.2.1 SiC 結晶
1.2.2 SiC のポテンシャル関数
1.3 ペリダイナミックスシミュレーション
2. SiC の塑性変形・破壊挙動のシミュレーション
2.1 分子動力学（MD）によるナノインデンテーション
2.2 ペリダイナミックス（PD）による破壊シミュレーション
第4章 SiC 半導体デバイス加工に向けた関連技術・部材
第1節 イオン注入・アニール処理
第1項 イオン注入・アニール処理
1. 伝導制御
2. オーミック電極形成
3. 結晶欠陥の導入と回復
第2項 各種レーザ照射によるアニール処理の比較・優位性評価
1. レーザアニール技術
1.1 各種レーザと特徴
1.2 SiC 向けレーザアニール装置の目的
1.3 SiC プロセスと装置への要求
1.4 レーザ波長、出力、コストの関係
2. レーザアニール装置の概要
2.1 装置構成
3. 評価レーザと評価項目
3.1 評価レーザ
3.2 評価サンプル
3.3 評価項目
3.4 評価結果
3.4.1 コンタクト抵抗/ シリサイド厚み/ 組成/TEM 観察
3.4.2 非照射面温度
3.4.3 膜剥がれ強度
3.5 代替評価方法
4. 結論（まとめ）
第2節 SiC 基板のエッチング
～ RF マグネトロンプラズマを用いた大面積均一エッチング技術～
1. 外部磁界型平板RF マグネトロンプラズマ装置
1.1 マグネトロン放電の原理
1.1.1 荷電粒子のE × B ドリフト
1.1.2 マグネトロン放電の定義
1.2 装置概要
1.3 平板型マグネトロン放電における放電特性
2. SiC 基板のエッチング特性
2.1 薄板化メカニズム
2.2 加工条件と加工結果
3. SiC 基板加工プロセスへの応用
4. SiC 基板エッチングプロセスの課題
第3節 SiC ウェハの個片化技術およびスクライブ& ブレイク法
1. SiC ウェハの個片化プロセスにおける課題
2. SiC ウェハの新規個片化技術の研究開発動向
3. スクライブ& ブレイク法
3.1 スクライブ& ブレイク法の概説
3.2 SiC ウェハに対するスクライブ& ブレイク法の適用
3.3 スクライブ& ブレイク法によるSiC ウェハの切断品質
3.4 スクライブ& ブレイク法の製造現場への実装
3.5 プロセス開発
第4節 SiC の接着・接合技術
第1項 SiC パワーデバイスの高耐熱・高信頼性接合技術と開発動向
1. Ag 粒子焼結接合技術
1.1 ナノAg ペースト焼結接合
1.2 ミクロンAg ペースト焼結接合
2. Cu 粒子焼結接合技術
2.1 Cu ペースト焼結接合
2.2 Cu ペースト焼結構造の信頼性
3. 複合粒子低温焼結接合技術
3.1 Cu-Ag 複合粒子の焼結接合
3.2 Ag-Si 複合粒子の焼結接合
3.3 Ag-Al 複合粒子の焼結接合
第2項 常温ウェハ接合技術のSiC 接合応用
1. 表面活性化法を用いた常温接合技術
2. 常温接合技術によるSiC 接合応用
2.1 常温接合技術を用いたSiC 直接接合
2.1.1 単結晶SiC 薄膜転写技術による低コストSiC ウェハ
2.1.2 常温接合技術を用いた異種材料との接合
2.2 活性化極薄中間層を用いた常温接合技術によるSiC 接合
第5節 SiC 薄膜コーティング技術
1. SiC 特徴とコーティング応用
1.1 SiC の特徴
1.2 SiC コーティング応用分野
2. SiC 薄膜形成手法
2.1 スパッタリング法
2.2 熱CVD 法
2.3 Cat-CVD 法（触媒CVD 法）
2.4 プラズマCVD 法（PECVD）
2.5 その他の手法
3. SiC のCVD 原料
4. ビニルシランを用いたSiC 薄膜成長
4.1 ビニルシランを用いた熱分解によるSiC 薄膜形成とドーピング
4.2 ナノカーボン材料へのSiC コーティング
4.3 金属基板上へのSiC コーティング
4.4 ペットボトル内壁へのSiCO コーティング
第5章 SiC パワーデバイスの品質・信頼性と性能向上
第1節 SiC パワーSBD
1. デバイス構造、および、作製プロセス
2. デバイス特性
第2節 SiC パワーMOSFET の種類および構造・特性と組立・プロセス技術
1. プレーナ型MOSFET
2. トレンチ型MOSFET
3. SBD 内蔵型MOSFET
4. SiC パワーデバイスとSi パワーデバイスの特性比較
第3節 界面の測定評価法
第1項 界面特性・欠陥の測定評価法
1. パワーMOSFET の界面特性の評価法： 相互コンダクタンスと電界効果移動度
2. パワーMOSFET の界面欠陥の測定法
第2項 機器分析およびシミュレーションを組み合わせた界面解析技術
1. SiC-MOSFET
2. 界面分析・解析の事例
2.1 XPS による分析
2.2 Si スペクトルの解析
2.3 N2O 酸化の窒素スペクトルの解析
2.4 エネルギー損失分光法（EELS）による界面分析
3. 計算による解析
3.1 熱酸化MOS 界面構造の解析
3.2 界面準位の解析
3.3 SiC の酸化反応シミュレーション
4. 今後
第4節 SiC パワー半導体の品質および劣化評価
第1項 SiC パワーMOSFET における各種特性の発現・劣化メカニズム
1. SiC の酸化機構とその電気特性への影響
2. 界面欠陥によるMOSFET 特性劣化の機構
3. 界面窒化プロセスによる界面欠陥の低減技術
4. さらなる界面特性の改善へ向けた課題
第2項 SiC MOSFET 固有の劣化モード（AC-BTI）とその評価
1. AC-BTI とは
2. AC-BTI によるしきい値電圧変動のメカニズム
3. しきい値電圧変動がデバイス性能に与える影響
4. AC-BTI の評価試験
4.1 AC-BTI 試験に関する規格
4.2 試験方法
4.3 試験時間
4.4 しきい値電圧の測定方法
4.5 AC-BTI 試験の注意点
5. 市販SiC MOSFET におけるAC-BTI 試験事例
5.1 試験概要
5.2 試験結果
5.2.1 SiC MOSFET とSi MOSFET の比較
5.2.2 AC-BTI とDC-BTI の比較
5.2.3 製品による比較
5.2.4 試験温度による比較
6. まとめ
第3項 SiC パワーデバイスにおけるバイポーラ通電劣化
1. バイポーラ通電劣化現象とそのメカニズム
2. バイポーラ通電劣化の対策技術
第4項 SiC パワー半導体のキャリア寿命の測定・制御
1. SiC のキャリア寿命測定技術
1.1 光励起によるもの
1.1.1 μ-PCD 法
1.1.2 TR-PL 法
1.1.3 TR-FCA 法
1.2 デバイス電気特性によるもの
2. SiC のキャリア寿命制御技術
2.1 結晶成長条件・不純物
2.2 表面処理
2.3 高エネルギー粒子照射
第5節 SiC パワーデバイスの回路設計・シミュレーション
1. 高精度デバイスモデルとモデルパラメータ用のデバイス特性評価
1.1 IV 特性評価
1.2 CV 特性評価
1.3 S パラメータ評価
1.4 オン状態CV 特性評価
1.5 高出力IV
1.6 動特性評価
2. 正確なSiC パワーデバイス回路シミュレーション
2.1 高精度デバイスモデルによるシミュレーション
2.2 回路基板の電磁界解析
2.3 正確なSiC パワーデバイス回路シミュレーションのソリューション例
第6章 SiC 量産・普及拡大に向けた動向・各種取り組み
第1節 SiC ウエハ市場・価格動向と今後の見通し
1. SiC ウエハ市場動向および価格動向
1.1 SiC ウエハの市場動向
1.2 SiC ウエハの価格動向
2. SiC ウエハ市場における課題・開発動向
2.1 市場拡大に向けた課題
2.2 開発動向と方向性
3. SiC ウエハ市場の今後の見通し
第2節 市場・技術開発動向（国内外）、アプリケーションごとのトレンド
1. SiC 技術開発動向
1.1 SiC ウェハの大口径化
1.2 新しいSiC パワーデバイスの開発
1.3 車載向け新型パワーモジュール
1.4 チップ埋め込み基板
2. SiC が使用されている主なアプリケーション例
2.1 現在SiC が主に使用されているアプリケーション
2.2 将来SiC の使用が期待されるアプリケーション
2.3 SiC 普及への課題と可能性
第3節 SiC ウェハ製造・加工における技術課題への対応・今後
第1項 Si ウエハ製造・加工プロセスとの比較
1. パワーデバイス用Si ウエハの製造方法
1.1 CZ 法によるSi 単結晶育成
1.2 FZ 法によるSi 単結晶育成
1.3 パワーデバイス用Si ウエハの大口径化
1.4 Si ウエハ加工
1.5 Si エピタキシャル成長
2. ウエハ製造におけるSiC とSi の相違
2.1 単結晶育成におけるSiC とSi の相違
2.2 ウエハ加工におけるSiC とSi の相違
2.3 エピタキシャル成長におけるSiC とSi の相違
3. パワーデバイス業界における日本の競争力
第2項 SiC ウエハ製造・加工における大口径化・高速化への課題
1. 普及拡大の進むSiC 半導体とウェハ技術開発の現状と課題
2. 高品質・低コストSiC ウェハの実現に向けた日本国内における技術開発の取り組み
3. 従来のCMP の技術課題を解決する次世代研磨技術の開発
4. 拡大が進むSiC ウェハ産業に対する今後の技術戦略
第3項 SiC チップ接合におけるパワー半導体パッケージの品質・生産性向上の取り組み
1. SiC パワー半導体パッケージにおけるSiC チップ接合プロセス
1.1 チップ接合フローとパッケージ性能に対する重要性
1.2 従来の接合技術におけるSiC パワー半導体パッケージの問題
2. 焼結材
2.1 主な焼結材の種類と特徴
2.2 焼結材を用いた接合プロセスの問題
3. 加圧焼結
3.1 SiC チップ接合における加圧焼結の有効性と要求事項
3.2 メタルプレスによる加圧焼結とパッケージの品質・生産性の両立への課題
4. 新規加圧焼結方式による品質と生産性の両立
4.1 加圧焼結に対する3D プレス技術の応用
4.2 3D シンター
4.3 3DS-300 の特徴
4.4 3D シンターの展望
書籍コード:BC251201
