*「半導体パッケージ樹脂封止入門」セミナーアーカイブ配信とセットでの申込が可能です。
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★一連の半導体製造フロー解説及び、各プロセスの種類・原理や用いられる装置・材料等について要点・問題点などを解説!
★近年の半導体技術・方式が各製造工程に与える影響についても言及します!
講師
(株)ISTL 代表取締役 博士(工学) 礒部 晶 氏
*講師ご略歴:
1984-2002 NECにてLSI多層配線プロセス開発、1991よりCMPの開発、量産化に従事
2002-2006 東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー
2006-20013 ニッタハースにて研究開発GM
2013-2015 (株)ディスコにて新規事業開発
2014 九州大学より博士学位取得
2015- (株)ISTL CMP関連を中心に技術開発、事業開発アドバイザー
2018 中小企業診断士
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書籍「次世代に向けた半導体パッケージング技術」 詳細はこちら
日時・受講料・お申込みフォーム
●視聴可能期間:2026年7月1日~2026年7月31日(申込締切:7月22日)
*2026年5月21日開催セミナーのアーカイブ配信です。期間中は何度も繰り返しご視聴できます。
*視聴に必要な情報(視聴URL、パスワード、資料のダウンロードリンクなど)は別途メールで送付いたします。
・6月29日の11:30より前にお申込みの方:7月1日に視聴用URLなどを送付予定です。
・6月29日の11:30以降にお申込みの方:お申込み後3日以内(土日祝除く営業日ベース)に視聴用URLを送付します。
→4営業日経過しても視聴用URLがお手元に届かない場合、弊社までご一報ください。
連絡先:joho-lms@*********(*********にはjohokiko.co.jpを入れてください)
●動画時間:約4時間30分
「半導体製造工程入門」のみお申込みの場合:
【アーカイブ配信】:1名 50,600円(税込(消費税10%)、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円
「半導体パッケージ樹脂封止入門」とセットでお申込みの場合::
【アーカイブ配信】:1名 79,200円(税込(消費税10%)、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき68,200円
※「半導体パッケージ樹脂封止・材料技術【入門講座】 セミナー」のアーカイブ配信詳細はこちら
*学校法人割引:学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「LMS・アーカイブ配信申込要領・手順」を確認ください。
*5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
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お申込みいただく前に ※かならずご一読ください。
●ご視聴の流れ:
・視聴に必要な情報(視聴URL、パスワード、資料のダウンロードリンクなど)は別途メールで送付いたします。
6月29日の11:30より前にお申込みの方:7月1日に視聴用URLなどを送付予定です。
6月29日の11:30以降にお申込みの方:お申込み後3日以内(土日祝除く営業日ベース)に視聴用URLを送付します。
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・請求書は、別途郵送で送付いたします。
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・配布資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。
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情報機構テスト用動画へ→
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●本セミナーで使用する資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売およびそれに類する行為を禁止いたします。
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セミナーポイント
半導体の製造工程は、ウエハ上にデバイスを作りこんでいく前工程、個々のチップに個片化してパッケージ化する後工程に分けられます。
本セミナーでは、ウエハからLSIの最終製品までの一連の製造フローを紹介し、それぞれのプロセスの種類や原理、用いられる装置や材料について要点を解説していきます。また、近年では、前工程ではGAAや3DNAND、後工程ではFOWLPやCoWoS、チップレットなどの新しい技術が次々と製品化されていますが、これらの技術についても触れ、そうした最新構造が各製造工程に与える影響についても解説します。
○受講対象:
半導体製造に関して幅広い知識を得たい方、前工程を担当しているが後工程のことを知りたい方やその逆。新入社員や若手技術者、半導体関連の営業担当の方など。
○受講後、習得できること:
半導体製造の全体の流れ、半導体デバイスの基本モジュールと各種メモリ構造、前工程の個別プロセスの詳細、パッケージの種類、後工程の個別プロセスの詳細など。
セミナー内容
1.はじめに
(1)シリコンウエハの製造方法
(2)前工程と後工程とは
(3)デバイスの種類とプロセスの関係
(4)ムーアの法則と微細化の限界
2.半導体デバイスの基本モジュールの構造と製造フロー
(1)デバイス構造作製の基礎~成膜とパターニング
(2)STI~STIの基本工程
(3)トランジスタ~プレーナー型からFin FET、GAAとその関連工程
(4)配線~Al配線からCu配線へ、バリアメタルの進化
3.前工程の個別プロセス詳細
~各工程の原理、要求性能、装置・材料技術、最新の動向、問題点等~
(1)酸化
(2)CVD
①LPCVD
②常圧CVD
③SACVD
④プラズマCVD
⑤ALD
⑥MOCVD
(3)PVD
①スパッタリング
②リフロースパッタリング
③コリメートスパッタリング
④ロングスロースパッタリング
(4)めっき
(5)イオン注入
(6)リソグラフィー
①レジストコーティング
②露光機
③現像
(7)エッチング
①ウエットエッチング
②プラズマエッチング
③RIE
(8)CMP
(9)洗浄
(10)検査装置
4.パッケージの種類とその構造・特徴および最新技術動向
(1)リードフレームを用いるパッケージ
~DIP、QFP
(2)パッケージ基板を用いるパッケージ
~P-BGA、FCBGA
(3)ウエハレベルパッケージ
~WLCSP、FOWLP
(4)最新動向
~SiP、CoWoS、チップレット
5.後工程の個別プロセス詳細
~各工程の原理、要求性能、装置・材料技術~
(1)裏面研削
(2)ダイシング
(3)ダイボンディング
(4)ワイヤボンディング
(5)モールド
(6)バンプ形成
<質疑応答>
商品コード:CD260701


