＜基礎から学べる＞
半導体製造プロセスにおけるドライエッチング

～ドライエッチングの基礎及びプロセス技術、最新の技術動向～

日時・会場・受講料・お申込みフォーム

●日時：2026年1月30日(金)　10:30-16:30　＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

●会場：[東京・大井町]きゅりあん 5階第4講習室　→「セミナー会場へのアクセス」

●受講料：
【会場受講】：1名50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。

●録音・録画行為は固くお断りいたします。

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

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会場（対面）セミナーご受講に関する各種案内（必ずご確認の上、お申込みください。）

●配布資料は、印刷したものを当日会場にてお渡しいたします。

●当日会場でセミナー費用等の現金支払はできません。
●昼食やお飲み物の提供もございませんので、各自ご用意いただけましたら幸いです。
●録音・撮影行為は固くお断りいたします。
●講義中の携帯電話・スマートフォンでの通話や音を発する操作はご遠慮ください。
●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方のご迷惑となる場合がありますので、極力お控えください。場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承ください（パソコン実習講座を除きます。）

セミナーポイント

■はじめに
　半導体デバイスは微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチング技術はその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング技術の進展の歴史、表面反応モデルをベースにした形状制御の考え方と装置への実装について解説する。さらに、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工についての取組みとALE(Atomic Layer etching)技術の応用について解説する。

■想定される主な受講対象者
・半導体加工プロセスに関心のある、デバイスメーカ、装置メーカ、半導体材料メーカの方など。

■必要な予備知識
・半導体製造プロセスに関する一般的な知識

■本セミナーに参加して修得できること
・プラズマエッチングの形状制御メカニズム
・ロジック向け半導体エッチングプロセスの最新動向
・縦方向および横方向のALE(Atomic Layer etching)技術

セミナー内容

1．イントロダクション
　　1-1　半導体デバイスのトレンド
　　1-2　半導体プロセスの概要

2．ドライエッチング装置の概要
　　2-1　プラズマエッチング技術の歴史(概略)
　　2-2　プラズマ源とドライエッチング装置

3．ドライエッチングの反応メカニズム
　　3-1　イオンアシスト反応　エッチング速度のモデル式
　　3-2　エッチング選択比とガス種
　　3-3　CDシフト(寸法変動)のメカニズム
　　3-4　均一性制御技術：ウエハ温度・ガス分布制御
　　3-5　構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用

4．LER、Wiggling、Twisting抑制技術
　　4-1　堆積制御によるLER改善とEUV応用
　　4-2　応力制御によるWiggling抑制
　　4-3　高アスペクト比絶縁膜加工

5．最先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
　　5-1　DTCO採用に伴うエッチングの課題
　　5-2　Si/SiGe fin etching (ALE応用）
　　5-3　SAC対応エッチング技術(ALE応用）
　　5-4　WFM patterning

6．GAA/CFET世代のエッチング技術
　　6-1　GAAのエッチング課題とリセス加工
　　6-2　CFETで求められるエッチング技術

7．コンフォーマルドライエッチング
　　7-1　等方性ドライエッチング技術の概要
　　7-2　熱サイクルALE技術と装置
　　7-3　各膜材料のコンフォーマル加工

8．環境およびデジタル化に向けた取り組み（概略）

9．まとめ