半導体プロセスにおける
ウェット技術（洗浄・研磨）の基礎と極限計測
＜東京会場セミナー＞

日時・会場・受講料・お申込みフォーム

●日時：2026年3月13日(金)　10:30-16:30　＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

●会場：[東京・大井町]きゅりあん 4階研修室　→「セミナー会場へのアクセス」

●受講料：
【会場受講】：1名50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
　ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
　req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

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会場（対面）セミナーご受講に関する各種案内（必ずご確認の上、お申込みください。）

●配布資料は、印刷したものを当日会場にてお渡しいたします。

●当日会場でセミナー費用等の現金支払はできません。
●昼食やお飲み物の提供もございませんので、各自ご用意いただけましたら幸いです。
●講義中の携帯電話・スマートフォンでの通話や音を発する操作はご遠慮ください。
●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方のご迷惑となる場合がありますので、極力お控えください。場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承ください（パソコン実習講座を除きます。）

●講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止いたします。また、申込者以外の受講・動画視聴は固くお断りいたします（代理受講ご希望の際は、開催前日までに弊社までご連絡お願いします）。

セミナーポイント

○講師より
　我が国では近年、半導体産業が再び、大きな盛り上がりを見せています。高い性能や信頼性を持つ半導体デバイスを製造し続けるためには、基板となる半導体の表面状態（汚染や構造）を原子・分子レベルで高度に制御する必要があります。純水や薬液をベースとしたウェット技術は、高品質の半導体表面を安定的に実現する上で、欠かすことができない基盤技術であり、ウェット洗浄を始めとして、その重要性は益々増しています。またウェット技術の性能向上には、固液界面現象を支配するサイエンスの理解が不可欠です。これには、ウェットプロセスを経た半導体表面を原子・分子レベルで分析できる計測・評価技術が必要です。
　加えて今世紀に入り、触媒アシストエッチングと呼ばれる、半導体表面における新たなマイクロ・ナノ加工法が登場しました。腐食現象を積極的に活用する本手法は、ウェットエッチングとドライエッチングに次ぐ、第三のエッチング法として、近年、注目が高まっています。高いアスペクト比を持つ深掘り加工が溶液中で実現できる点が特徴です。
　本講義では、業界の最近の動向に加えて、半導体（シリコン(Si)および半導体新材料）表面におけるウェットプロセスや関連する表面計測法について、基礎から先端研究事例までを丁寧に解説・紹介します。　奮ってご参加下さい！
　尚、本セミナーは対面型としております。個別具体的な質問にも時間の許す限り応じたいと思います。

○主な受講対象者
・半導体ウェットプロセスの研究開発に取り組み始めた方
・電子分光やプローブ顕微鏡技術など、表面分析の基礎を習得したい方
・触媒を援用した微細加工に興味がある方

○主に得られる情報・知見
・ウェット洗浄に関する開発の歴史と学術的背景、半導体製造に関する最近の動向など
・様々な超精密表面計測技術の特徴と動作原理、原子・分子スケールでの適用例
・半導体の深堀り加工が可能なウェットエッチング法の原理と応用
・上記３項目に関する最新の研究事例

セミナー内容

１．はじめに
　1.1 半導体基板と半導体デバイス
　1.2 Siウエハについて
　1.3 半導体デバイスの性能に影響を与える基板表面の諸特性
　　1.3.1 代表的な三つの汚染（微粒子、金属、有機物）
　　1.3.2 表面マイクロラフネス
　　1.3.3 その他
　1.4 我が国における半導体業界の動向

２．半導体表面におけるウェットプロセス
　2.1 Si表面の研磨技術（Chemical Mechanical Polishing：CMP）
　2.2 Si表面の洗浄技術
　　2.2.1 ウェット洗浄とドライ洗浄
　　2.2.2 RCA洗浄
　　2.2.3 洗浄液による汚染除去のメカニズム
　　2.2.4 RCA洗浄からの脱却を目指す新ウェット洗浄の開発状況
　2.3 クリーンルーム技術
　2.4 Si以外の半導体材料（GaAs, SiC, GaNなど）の特長と適用領域

３．ウェットプロセスを経た半導体表面の分析・評価法の基礎
　3.1 表面汚染を検出するための高感度表面分析法
　3.2 表面形状を観察するための測定技術（光干渉法）
　3.3 ナノスケール領域の表面構造に関する評価技術
　　3.3.1 走査型プローブ顕微鏡
　　3.3.2 赤外吸収分光法
　3.4 半導体表面上の薄膜評価技術
　　3.4.1 X線光電子分光法
　　3.4.2 表面濡れ特性

４．ウェットプロセス（研磨・洗浄）を経たH終端化Si表面の極限レベル構造評価
　4.1 Si表面の面方位と原子構造
　4.2 フッ酸浸漬後のH終端化Si(111)表面の原子構造
　4.3 フッ酸浸漬後のH終端化Si(100)表面の原子構造
　4.4 超純水リンスがH終端化Si(100)表面の原子構造に与える影響
　4.5 ウェットプロセスによるSi(110)表面の原子構造制御

５． 触媒アシストエッチングによる半導体表面のマイクロ・ナノ加工
　5.1 半導体プロセスにおける微細加工
　　5.1.1 ドライエッチング
　　5.1.2 ウェットエッチング
　5.2 触媒アシストエッチング
　　5.2.1 金属を触媒とした“金属アシストエッチング”の歴史
　　5.2.2 他のエッチング法との比較
　　5.2.3 Si表面における触媒アシストエッチングの基本原理
　　5.2.4 触媒アシストエッチングで実現できる表面ナノ構造の例
　5.3 電子・光学デバイス分野への触媒アシストエッチングの応用展開例

６．先端事例の紹介
　6.1 プローブ顕微鏡の異なる測定モードに基づくH終端化Si表面の多角的構造評価
　6.2 Siトレンチ溝底部の表面状態観測の試み
　6.3 低真空型X線光電子分光法による半導体表面上の吸着水分子層の観測とその応用
　6.4 その他

＜質疑応答・名刺交換・個別相談＞