次世代パワー半導体における最新の結晶評価
～パワーデバイスの性能と信頼性における欠陥の影響について～

日時・会場・受講料・お申込みフォーム

●日時：2026年6月5日(金)　10:30-16:30　＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

●会場：[東京・大井町]きゅりあん 5階第1講習室　→「セミナー会場へのアクセス」

●受講料：
【会場受講】：1名50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
　ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
　req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

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会場（対面）セミナーご受講に関する各種案内（必ずご確認の上、お申込みください。）

●配布資料は、印刷したものを当日会場にてお渡しいたします。

●当日会場でセミナー費用等の現金支払はできません。
●昼食やお飲み物の提供もございませんので、各自ご用意いただけましたら幸いです。
●講義中の携帯電話・スマートフォンでの通話や音を発する操作はご遠慮ください。
●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方のご迷惑となる場合がありますので、極力お控えください。場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承ください（パソコン実習講座を除きます。）

●講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止いたします。また、申込者以外の受講・動画視聴は固くお断りいたします（代理受講ご希望の際は、開催前日までに弊社までご連絡お願いします）。

セミナーポイント

■はじめに
・ワイドギャップ半導体における結晶欠陥評価の重要性を体系的に理解すること
・各種評価技術の原理・適用範囲・限界を基礎から整理すること
・デバイス性能を大きく低下させるキラー欠陥の特定と成長・プロセスへのフィードバック戦略を考える視点を提供すること

■ご講演中のキーワード：
パワーデバイス、ワイドギャップ半導体、結晶欠陥、転位、X線トポグラフィー、選択的化学エッチング、透過型電子顕微鏡、オペランド観測

■受講対象者：
ワイドギャップパワー半導体の結晶成長と評価に携わる若手研究者・技術者

■必要な予備知識や事前に目を通しておくと理解が深まる文献、サイトなど：
・半導体の基礎知識。高校卒業レベルの物理の知識。
・この分野に興味のある方なら、特に高度な予備知識は必要ない。

■本セミナーで習得できること：
・ワイドギャップ半導体（4H-SiC、GaN、β-Ga₂O₃、AlN）に特有の格子欠陥の種類と発生メカニズムの理解
・転位・積層欠陥・点欠陥などがデバイス特性・信頼性に与える影響の本質的理解
・放射光X線トポグラフィー、エッチピット法、TEM、多光子励起顕微鏡など各評価手法の原理と特徴
・目的に応じた評価手法の適切な選択・組み合わせ戦略
・デバイス特性と結晶欠陥を結びつけるキラー欠陥特定の考え方
・欠陥評価結果を結晶成長・プロセス開発へフィードバックするための実践的視点

セミナー内容

1. はじめに
1-1 パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
1-2 結晶中の欠陥
1-3 欠陥評価手法とその適用範囲

2. 結晶評価手法
2-1 選択性化学エッチング（エッチピット法）
　① SiCの溶融KOH+Na2O2エッチング
　② GaNのエッチピットおよびTEMによる検証
　③ Ga2O3のKOH+NaOH共晶エッチングと熱リン酸処理
2-2 透過型電子顕微鏡
　① gb解析による転位バーガースベクトルの判定
　② LACBED法
2-3 多光子励起顕微鏡
　① 多光子励起顕微鏡の原理
　② GaN結晶中の転位の多光子励起顕微鏡観察と3D可視化
2-4 X線回折とX線トポグラフィー
　① X線回折
　② X線トポグラフィーの原理
　③ 反射配置と透過配置
　④ SiCのX線トポグラフィーの評価例
　⑤ GaNのX線トポグラフィーの評価例
　⑥ Ga2O3のX線トポグラフィーの評価例
　⑦ AlNのX線トポグラフィーの評価例
2-5 その他の手法

3. 最新の研究内容
3-1 異常透過および転位の動力学コントラスト
3-2 X線トポグラフィーを用いたデバイスの評価
3-3 リアルタイムX線トポグラフィー観察と4D欠陥情報
3-4 動作中のデバイスのオペランド観測