半導体ＣＭＰ技術セミナー：2025年11月26日オンライン講座。ICPT2025の速報も。

■本セミナーの受講形式（会場／Zoom両アイコンある場合は受講形式選択可）

zoom ……Zoomオンライン受講

見逃し視聴あり ……見逃し視聴選択可

★2025年10月末より香港で開催されるCMPの国際会議「ICPT2025」の超速報も！
　最新のCMPの研究開発トレンドを理解することが出来ます。
★近年解明されてきたCMP工程の各種メカニズムや、CuCMP等応用工程の実際等、
　網羅的・体系的に、技術部門以外の方も理解できるようわかりやすく解説します！

講師

（株）ISTL　代表取締役　博士(工学)　　礒部晶氏

講師紹介

＊講師ご略歴：
　1984－2002　NECにてLSI多層配線プロセス開発、1991よりCMPの開発、量産化に従事
　2002－2006　東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー
　2006－20013　ニッタハースにて研究開発GM 　
　2013－2015　(株)ディスコにて新規事業開発
　2014　九州大学より博士学位取得
　2015－ (株)ISTL CMP関連を中心に技術開発、事業開発アドバイザー

＜その他関連セミナー＞
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日時・受講料・お申込みフォーム

●日時：2025年11月26日(水)　10:30-16:30　＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 56,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき45,100円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。

●録音・録画行為は固くお断りいたします。

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

お申込みはこちらから

配布資料・講師への質問など

●配布資料はPDFなどのデータで配布いたします。ダウンロード方法などはメールでご案内いたします。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡いたします。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申込みをお願いいたします。
　（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止いたします。
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

オンラインセミナーご受講に関する各種案内（必ずご確認の上、お申込みください。）

PC／タブレット／スマートフォンなど、Zoomが使用できるデバイスをご用意ください。

インターネット回線速度の目安（推奨）　下り：20Mbps以上

開催が近くなりましたら、Zoom入室URL、配布資料、当日の流れなどをメールでご連絡いたします。開催前日（営業日）の12：00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報ください。

⇒よくある事例として「弊社ドメイン（johokiko.co.jp）のメールがスパム扱いとなっている」「メールアドレスのご記載ミス」などがございます。お申込み後にフォームへご記載いただいたメールアドレスへ自動返信メールを送信しますので、こちらのメールが受信できない場合、弊社からのZoom入室URLや配布資料のご案内メールもお届けすることができなくなってしまいます。予め受信できる設定にお願いいたします。
※メールアドレスの記載誤りについては、以下へご連絡お願いいたします。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

受講者側のVPN、セキュリティ設定、通信帯域などのネットワーク環境ならびに使用デバイスの不具合については弊社では対応いたしかねますので予めご了承ください。

Zoom使用に関する注意事項（クリックして展開）

公式サイトから必ず事前のテストミーティングをお試しください。

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→Skype／Teams／LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomで音声が聞こえない、カメラ・マイクが使えないなどの事象が起きる可能性がございます。お手数ですが、これらのアプリは閉じた状態にてZoomにご参加ください。
→音声が聞こえない場合の対処例

Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。

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→一部のブラウザは音声が聞こえないなどの不具合が起きる可能性があります。
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（iOSやAndroidOS ご利用の場合は、アプリインストールが必須となります）

申込み時に（見逃し視聴あり）を選択された方は、見逃し視聴が可能です。（クリックして展開）

見逃し視聴ありでお申込みされた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。

セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。

原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します（一部、編集加工します）。

視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。

ex）2/6（月）開催セミナー → 2/10（金）までに配信開始 → 2/17（金）まで視聴可能
→見逃し視聴について、こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。（テスト視聴動画へ）パスワード「123456」

＜見逃し視聴ご案内の流れ・配信期間詳細＞

メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。

準備出来しだい配信いたしますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。上記例の2/6開催セミナーの場合、2/8から開始となっても2/17まで視聴可能です。

GWや年末年始・お盆期間などを挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。

原則、配信期間の延長はいたしません。

万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、（見逃し視聴あり）の方の受講料は（見逃し視聴なし）の受講料に準じますので、ご了承ください。

セミナーポイント

　CMPが半導体の製造工程に用いられるようになって四半世紀以上が経過しました。当初は「常識外れ」だったCMPも今や何種類もの工程で使用される、なくてはならないプロセスとなりました。また、シリコンウエハはもちろん、サファイアやSiC、GaN、LT/LNなどの様々な基板の製造にも用いられています。さらには、前工程だけでなく、後工程（中工程）での適用も広がりつつあります。
　CMPはその平坦化や材料除去の理論に不明な点もあり、経験に頼っている部分が多かったですが、近年では様々な評価方法や理論に基づき、それらのメカニズムも徐々に明らかにされてきています。
　本講座では、研磨メカニズムから実際のCMP応用工程の具体的中身、用いられる装置や消耗材の構成とそれらの役割について網羅的、体系的に解説します。
　なるべくわかりやすく解説しますので、技術部門の方だけでなく、営業・マーケティング部門の方もぜひご参加ください。
　なお、セミナー内では10月に香港で開催されるCMPの国際会議、ICPT2025の超速報も行います。最新のCMPの研究開発トレンドを理解することが出来ます。

○受講対象：
　・CMP関連の装置、材料開発、営業・マーケティングに携わっている方
　・CMPを用いて半導体、電子デバイス、各種基板製造、開発に携わっている方
　・CMPに関して網羅的、体系的に知識を得たい方

○受講後、習得できること：
　①CMPの理論
　　・材料除去メカニズム
　　・平坦化メカニズム
　②CMPに用いられる装置
　　・装置構成の変遷と研磨方式
　　・ヘッド構造の変遷
　　・研磨量制御方式
　　・CMP後洗浄
　③CMPに用いられる消耗材料
　　・研磨パッドの基礎
　　・スラリーの基礎
　　・パッドコンディショナーの基礎
　④CMPの応用工程
　　・半導体製造工程　ILD、STI、W、Cu、トランジスタ周り
　　・基板製造　シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/LN
　⑤評価方法
　　・パッドの評価方法
　　・スラリーの評価方法
　　・パッドコンディショナーの評価方法

セミナー内容

0．ICPT2025超速報

1．CMPとは
　1）CMPの構成要素
　2）CMP装置
　　a) CMP装置の構成
　　b) 様々なCMP方式
　　c) 研磨ヘッドの構造とエッジプロファイル制御
　　d) APCと終点検出技術
　3）CMP後の洗浄について
　　a) 洗浄ブラシ
　　b) 洗浄に用いられる薬液
　　c) 乾燥方法
　4) CMPの目的～平坦化
　　a) 平坦化の分類
　　b) 平坦化メカニズム

2．消耗材料の基礎及び評価方法
　1) スラリーの基礎及び評価方法
　　a) 砥粒の種類～アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒～
　　b) STI用スラリーの特徴～ノンプレストニアンスラリー
　　c) W用スラリーの特徴～選択比とローカル平坦性
　　d) Cu用スラリーの特徴
　　e) スラリーの評価方法
　2) 研磨パッドの基礎及び評価方法
　　a) 研磨パッドの種類と特徴
　　b) パッド物性と研磨特性の関係
　　c) 研磨パッドの評価・解析方法
　3) パッドコンディショニングとパッド表面状態
　　a) パッドコンディショナーとは
　　b) パッド表面状態と研磨性能の関係

3．CMP応用工程の実際
　1) CuCMP
　　a) Cu配線の必要性
　　b) CuCMPの必要性
　　c) CuCMPのポイント
　　d) CuCMPプロセスの実際と特有の課題
　　e) Cuに代わる配線材料
　2）最新のトランジスタ周りCMP
　　a) トランジスタの性能向上
　　b) HKRMG
　　c) Fin-FET
　　d) BPR、BS-PDN
　3) ウエハ接合技術とCMP工程
　4) CMPのプロセス評価方法
　5) 各種基板の製造工程とCMPの役割
　　a) Si
　　b) サファイア
　　c) SiC
　　d) GaN
　　e) LT／LN

4．CMPの材料除去メカニズム
　1) 砥粒による材料除去メカニズムの変遷
　2) 新しい材料除去モデル
　3) 新しい材料除去モデルの検証
　4) 基板材料別材料除去メカニズムの推定
　5) 材料除去モデルに基づく開発のヒント

　　＜質疑応答＞