……Zoomオンライン受講
……見逃し視聴選択可
○EUVレジスト・リソグラフィの基礎や要求特性から最新ロードマップ・市場動向、最先端の開発動向や現状課題と展望までを包括的に解説。
○トピックスであるEUVメタルドライレジストプロセス、アンダーレイヤー、光分解性クエンチャーなども取り上げます！
講師
Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
講師紹介
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィプロセス、レジスト、微細加工用材料の開発に従事。2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト材料、EUVレジストの研究開発に従事。
2024年からEリソリサーチを設立。レジスト、リソグラフィ、先端パッケージのコンサルティング、技術調査、講演活動を実施。
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日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2025年12月12日(金) 10:30-16:30 ＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円
【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 56,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき45,100円
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
●録音・録画行為は固くお断りいたします。
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配布資料・講師への質問など
●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付いたします。
・お申込みの際にお受け取り可能な住所を必ずご記入ください。
・郵送の都合上、お申込みは4営業日前までを推奨します。（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、その場合、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。ご了承の上お申込みください。
・資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。
●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止いたします。
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）
オンラインセミナーご受講に関する各種案内（必ずご確認の上、お申込みください。）
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→音声が聞こえない場合の対処例
→一部のブラウザは音声が聞こえないなどの不具合が起きる可能性があります。
対応ブラウザをご確認の上、必ず事前のテストミーティング をお願いします。
（iOSやAndroidOS ご利用の場合は、アプリインストールが必須となります）
→見逃し視聴について、 こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。（テスト視聴動画へ）パスワード「123456」
＜見逃し視聴ご案内の流れ・配信期間詳細＞
セミナーポイント
■はじめに：
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在最先端の3nmノードの量産工程でEUVが用いられており、今年度の2nmノード以降その役割は益々増大する。EUVレジストはこのようなEUVリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
本講演では、最新（2024年版）のロードマップ（IRDS）とEUVリソグラフィの概要を紹介した後、EUVレジスト・EUVメタルレジストの基礎と要求特性、課題と対策、最新技術動向を解説する。トピックスとなっている高NA露光装置、アンダーレイヤー、光分解性クエンチャー、EUVメタルドライレジストプロセスについても詳しく述べる。最後に今後のEUVレジストの技術展望、市場動向についてまとめる。
■受講対象者：
・本テーマに興味のある企業の研究者、技術者、製造販売担当、新規事業開発担当、企画担当、特許担当、市場アナリスト、特許アナリストの方
・これらの職種を希望される学生の方
■必要な予備知識：
基本から解説しますので予備知識は不要です。
■本セミナーで習得できること：
・EUVレジスト・EUVメタルレジストの基礎知識・最先端技術
・EUVリソグラフィの基礎知識・最先端技術
・EUVレジスト・EUVメタルレジストの要求特性
・EUVレジスト・EUVメタルレジストの課題と対策
・EUVレジスト・EUVメタルレジストのビジネス動向
など
セミナー内容
１．ロードマップ（IRDS）
1）リソグラフィ技術、レジスト材料への要求特性
2）微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
3）最先端デバイスの動向
２．EUVリソグラフィの概要
1）露光装置
a）高NA露光装置
2）光源
3）マスク
３．EUVレジストの基礎
1）EUVレジストの設計指針
2）化学増幅型EUVレジストの反応機構
3）EUVレジストプロセス
a）アンダーレイヤー
４．EUVレジストの要求特性
1）化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
2）化学増幅型EUVレジスト用酸発生剤・クエンチャー
a）光分解性クエンチャー
５．EUVレジストの課題と対策
1）感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
2）ランダム欠陥（Stochastic Effects）
3）EUVレジストの開発動向
a）ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
b）ネガレジストプロセス
６．EUVメタルレジスト
1）EUVメタルレジスト用材料
2）EUVメタルレジストの反応機構
3）EUVメタルレジストの性能と開発動向
７．EUVメタルドライレジストプロセス
1）EUVメタルドライレジストプロセス用材料
2）EUVメタルドライレジストプロセスの反応機構
3）EUVメタルドライレジストプロセスの性能と開発動向
８．EUVレジストの技術展望、市場動向
＜質疑応答＞
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セミナーコード：AD251214
