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★現在の先端半導体で使用されているCu/Low-k配線の基礎から、2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造や新プロセスの最新研究開発動向を解説します！
講師
芝浦工業大学 名誉教授 工学博士 上野 和良 氏
＊ご略歴：
日本電気（株）、NECエレクトロニクスにて集積回路配線の研究開発に従事。その後、芝浦工業大学工学部教授としてナノエレクトロニクス分野の教育と研究に従事。退職後、名誉教授となり現在に至る。
＊ご専門および得意な分野・研究：
集積回路配線プロセス／配線信頼性／先端配線材料・プロセス／グラフェンデバイス・プロセス
＊本テーマ関連のご活動
・Advanced Metallization Conference, Asian session (ADMETA2011)委員長、IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC2021)General Chair等、配線に関する国際学会の委員長を歴任。
・応用物理学会シリコンテクノロジー分科会副幹事長、電気化学会電子材料委員会委員長、電気学会電子デバイス技術委員会委員長、JEITA半導体技術ロードマップ委員会配線WGリーダなどを歴任
・応用物理学会フェロー表彰「集積回路用の銅配線技術に関する先駆的研究」
・著書：新宮原 正三，粟屋 信義，上野 和良，三沢 信裕 編「Cu配線技術の最新の展開」（リアライズ理工センター，1998） 分担執筆、pp.201-206、上野 和良「金属微細配線におけるマイグレーションのメカニズムと対策（新宮原正三監修）」（S&T出版, 2006年12月） 第11章分担執筆、pp.139‐149他
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日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2026年1月16日(金) 13:00-16:30 ＊途中、小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 45,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき34,100円
【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
●録音・録画行為は固くお断りいたします。
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配布資料・講師への質問など
●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付いたします。
・お申込みの際にお受け取り可能な住所を必ずご記入ください。
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・それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、その場合、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。ご了承の上お申込みください。
・資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。
●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止いたします。
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セミナーポイント
近年、AIの急速な進展と応用の拡がりによって、それを支える先端半導体が世界的に注目されている。先端半導体では、さらなる集積度の向上が求められているが、2nm世代以降の微細配線では、従来のCu/Low-k配線による限界が見え始め、Ru/Airgapなどの新材料/新構造、裏面配線等の研究開発が盛んに行われている。
本セミナーでは、現在使われているCu/Low-k配線の基礎から、2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造や新プロセスの最新研究開発動向を解説する。
○受講対象：
半導体の材料、プロセス、製造装置等の研究開発に携わっている方・集積回路配線プロセスの歴史や概要を知りたい方・先端配線の最新研究動向や課題を知りたい方、新材料を集積回路に適用するために必要な評価について知りたい方、集積回路配線の信頼性について知りたい方
○受講後、習得できること：
・集積回路配線の歴史と基礎知識
・Cu/Low-k配線の製造工程の基礎知識
・配線信頼性の基礎知識（EM, SIV, TDDBなど）
・Cuに代わる先端配線材料の研究開発の進め方の要点
セミナー内容
1.集積回路配線の基礎知識
1）配線の微細化と3D化が求められる背景
2）配線の役割と性能指標
a) 配線の役割
b) 階層化された多層配線構造
c) 配線の性能指標
d) 各配線層の役割に応じた要求性能
3）配線信頼性の基礎知識
a) 微細化に伴う配線信頼性の重要性
b) デバイスの故障と信頼性予測の手順
c）エレクトロマイグレーション（EM）
d) ストレス誘起ボイド（SIV）
e) 耐湿信頼性
4）Cu/Low-k配線プロセス
a) Cu/Low-kダマシンプロセスと課題
b) Low-k絶縁膜と課題
c) ダマシン法に用いる要素プロセス（バリア・ライナ、めっき、リフロー、CMP）
2.2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
1）2nm以降半導体に向けた配線の課題
a) 新材料への切り替え時期予測とロードマップ
b) 2nm以降の微細パターンの形成方法（Self-Aligned Double Patterning）
2）Cu配線の延命
a) Advanced Low-k膜（高プラズマ耐性Low-k膜）
b) バリア/ライナーの薄膜化
c) Cu埋め込み法の改善
d) グラフェンキャップによる改善
e) ビア抵抗低減のための新構造とプロセス
3）Cu代替配線配線材料
a) 代替配線材料の選択基準
b) 代替配線材料をしぼり込む流れ（どういう評価が必要か）
c) ルテニウム/エアギャップ配線(Ru/AG)
d) モリブデン
e) グラフェン
f) その他の代替配線材料
4）2nm以降の配線信頼性
a) Ru/AG配線のEM信頼性とジュール発熱
b) Ru/AG配線のTDDB信頼性
5）新構造とプロセス
a) 配線とビアのセルフアライン接続構造とプロセス
b) 裏面電源配線（Backside Power Delivery Network）と3D集積
＜質疑応答＞
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セミナーコード：AD2601L2
