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酸化物半導体(IGZOなど)トランジスタ│基礎と三次元集積応用│セミナー2026

酸化物半導体(IGZOなど)トランジスタ技術の基礎と三次元集積応用

~モノリシック三次元集積化、三次元DRAM/NANDなどの開発動向~

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○材料・プロセス・デバイス技術など酸化物半導体の基礎から、ディスプレイの“次の応用”として期待の三次元集積化技術の最新開発動向まで徹底解説!

講師

東京大学 生産技術研究所 教授 小林 正治 氏


講師紹介

2010年 米国スタンフォード大学博士課程修了
2010年-2014年 米国IBMワトソン研究所 プロパー研究員
2014年-2019年 東京大学生産技術研究所 准教授
2019年-2025年 東京大学大学院工学系研究科附属d.lab 准教授
2025年より 東京大学生産技術研究所 教授

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日時・受講料・お申込みフォーム

●日時:2026年2月13日(金) 13:00-16:30 *途中、小休憩を挟みます。

●受講料:
【オンライン受講(見逃し視聴なし)】:1名 45,100円(税込(消費税10%)、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき34,100円

【オンライン受講(見逃し視聴あり)】:1名 50,600円(税込(消費税10%)、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

学校法人割引:学生、教員のご参加は受講料50%割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
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配布資料・講師への質問など

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 (土、日、祝日は営業日としてカウントしません。)
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。(全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。)
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
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  • 原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します(一部、編集加工します)。
  • 視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。
  • ex)2/6(月)開催 セミナー → 2/10(金)までに配信開始 → 2/17(金)まで視聴可能
    →見逃し視聴について、 こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。(テスト視聴動画へ)パスワード「123456」

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  • メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。
  • 準備出来しだい配信いたしますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。上記例の2/6開催セミナーの場合、2/8から開始となっても2/17まで視聴可能です。
  • GWや年末年始・お盆期間などを挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。
  • 原則、配信期間の延長はいたしません。
  • 万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、(見逃し視聴あり)の方の受講料は(見逃し視聴なし)の受講料に準じますので、ご了承ください。
  • セミナーポイント

    ■はじめに:
     酸化物半導体(IGZOなど)トランジスタ技術は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産化された。現在、大規模集積回路応用への期待が高まってきている。プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用への期待が高まっており、半導体メーカーでの研究開発も活発化してきている。このような状況をふまえて本講演では酸化物半導体トランジスタ技術の基礎を解説するとともに、その三次元集積応用に向けた研究開発動向を解説する。

    ■受講対象者:
    ・酸化物半導体の材料およびデバイス研究開発を始めたばかりの方から、ある程度の研究経験を経た方。
    ・酸化物半導体について、フラットパネルディスプレイの次の応用先を検討されている方

    ■必要な予備知識:
    半導体の材料・プロセス・デバイスのいずれかに関する一般的な基礎知識を有していることが望ましい。

    ■本セミナーで習得できること:
    ・酸化物半導体の材料物性・プロセス技術・デバイス技術に関する基礎
    ・三次元集積デバイス応用に向けた最近の酸化物半導体デバイスの研究開発動向
    など

    セミナー内容

    1.背景
     1)酸化物半導体のニーズ

    2.酸化物半導体の基礎
     1)酸化物半導体の材料物性
      a)シリコンとの違い
     2)酸化物半導体のプロセス技術
      a)薄膜形成技術
      b)トランジスタ形成技術
     3)酸化物半導体のデバイス技術
      a)トランジスタの性能
      b)トランジスタの信頼性

    3.三次元集積デバイス応用の研究開発動向
     1)集積デバイスの現状
      a)シリコンの限界
     2)モノリシック三次元集積化技術
      a)混載メモリ
     3)酸化物半導体の微細化
     4)三次元構造メモリデバイス
      a)三次元DRAM
      b)三次元NAND

    4.まとめ

    <質疑応答>


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    セミナーコード:AD260208

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