CMP装置技術の実践知見オンラインセミナー実務、トラブル対応

■本セミナーの受講形式（会場／Zoom両アイコンある場合は受講形式選択可）

zoom ……Zoomオンライン受講

見逃し視聴あり ……見逃し視聴選択可

・200から300mmへの移行でCMPは大型化・高精度化し、平坦性/欠陥/洗浄まで含めた表面品質の作り込みが鍵に
・研磨パッド、スラリー、終点検知の管理手法……　その実務を学ぶ
・膜厚問題、スクラッチ問題、メンテナンス頻度など、トラブルシューティングも

講師

ETSC Consulting　代表　奥山林明氏

講師紹介

2005年にマイクロンメモリジャパン株式会社に入社し、約20年間WET/CMP Equipment技術者として従事。DRAM半導体製造装置の管理・最適化において豊富な実績を持ち、2025年9月独立、コンサルティング事業を開始。

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日時・受講料・お申込みフォーム

●日時：2026年7月14日(火) 13:00-16:30　＊途中、小休憩を挟みます。

●受講料：
【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 45,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき34,100円

【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円
＊「見逃し視聴あり」でお申込の場合、当日のご参加が難しい方も後日セミナー動画の視聴が可能です。

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
　ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
　req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

■ セミナーお申込手順からセミナー当日の主な流れ　→

お申込みはこちらから

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配布資料・講師への質問など

●配布資料はPDFなどのデータで配布いたします。ダウンロード方法などはメールでご案内いたします。
・配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡いたします。
・準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申込みをお願いいたします。
　（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●ご受講に際しご質問・要望などございましたら、下記メールアドレス宛にお問い合わせください。
req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
　ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
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オンラインセミナーご受講に関する各種案内（必ずご確認の上、お申込みください。）

PC／タブレット／スマートフォンなど、Zoomが使用できるデバイスをご用意ください。

インターネット回線速度の目安（推奨）　下り：20Mbps以上

開催が近くなりましたら、Zoom入室URL、配布資料、当日の流れなどをメールでご連絡いたします。開催前日（営業日）の12：00までにメールが届かない場合は必ず弊社までご一報ください。

⇒よくある事例として「弊社ドメイン（johokiko.co.jp）のメールがスパム扱いとなっている」「メールアドレスのご記載ミス」などがございます。お申込み後にフォームへご記載いただいたメールアドレスへ自動返信メールを送信しますので、こちらのメールが受信できない場合、弊社からのZoom入室URLや配布資料のご案内メールもお届けすることができなくなってしまいます。予め受信できる設定にお願いいたします。
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req@*********（*********にはjohokiko.co.jpを入れてください）

受講者側のVPN、セキュリティ設定、通信帯域などのネットワーク環境ならびに使用デバイスの不具合については弊社では対応いたしかねますので予めご了承ください。

講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止いたします。また、申込者以外の受講・動画視聴は固くお断りいたします（代理受講ご希望の際は、開催前日までに弊社までご連絡お願いします）。

Zoom使用に関する注意事項（クリックして展開）

公式サイトから必ず事前のテストミーティングをお試しください。

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→Skype／Teams／LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomで音声が聞こえない、カメラ・マイクが使えないなどの事象が起きる可能性がございます。お手数ですが、これらのアプリは閉じた状態にてZoomにご参加ください。
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Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。

→参加方法はこちら
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（iOSやAndroidOS ご利用の場合は、アプリインストールが必須となります）

申込み時に（見逃し視聴あり）を選択された方は、見逃し視聴が可能です。（クリックして展開）

見逃し視聴ありでお申込みされた方は、セミナーの録画動画を一定期間視聴可能です。

セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。

原則、遅くとも開催4営業日後までに録画動画の配信を開始します（一部、編集加工します）。

視聴期間はセミナー開催日から4営業日後を起点に1週間となります。

ex）2/6（月）開催セミナー → 2/10（金）までに配信開始 → 2/17（金）まで視聴可能
→見逃し視聴について、こちらから問題なく視聴できるかご確認ください。（テスト視聴動画へ）パスワード「123456」

＜見逃し視聴ご案内の流れ・配信期間詳細＞

メールにて視聴用URL・パスワードを配信します。配信開始日を過ぎてもメールが届かない場合は必ず弊社までご連絡ください。

準備出来しだい配信いたしますので開始日が早まる可能性もございます。その場合でも終了日は変わりません。上記例の2/6開催セミナーの場合、2/8から開始となっても2/17まで視聴可能です。

GWや年末年始・お盆期間などを挟む場合、それに応じて弊社の標準配信期間設定を延長します。

原則、配信期間の延長はいたしません。

万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、（見逃し視聴あり）の方の受講料は（見逃し視聴なし）の受講料に準じますので、ご了承ください。

セミナーポイント

○講師より／本セミナーのポイント
　CMP（化学機械研磨）工程は、半導体デバイスの多層配線形成において不可欠な平坦化プロセスです。200mm時代から300mm時代への移行に伴い、装置の大型化・高精度化が進み、研磨パッドやスラリー管理、終点検知技術など各要素が飛躍的に進化しました。特にCu配線プロセスの普及により、Cu CMPおよびCMP後洗浄の重要性が増し、欠陥低減と歩留まり向上が製造現場における最重要課題となっています。
　本セミナーでは、200mm装置から300mm装置への技術的進化を実務視点で解説するとともに、DISCO製装置を例にBonding関連プロセスの変遷も取り上げます。CMP装置の基礎から研磨メカニズム、パッド・スラリー管理、トラブル対策、CMP後洗浄設計まで、約20年のDRAM製造現場での実践知見をもとに体系的に解説します。

○受講後、習得できること
・200mm/300mm時代のCMP装置構成の違いと技術進化のポイントを説明できる
・研磨パッド・スラリー・終点検知の管理手法と実務上のトラブル対策を習得できる
・CMP後洗浄の設計思想とパーティクル・Cu腐食防止の実務対策を習得できる
・Wafer Bonding技術（Fusion Bonding・Hybrid Bonding）の種類と装置構成の概要を理解できる

セミナー内容

1. CMP工程の基礎と200mm→300mm装置進化
　1.1 CMP（化学機械研磨）とは何か：平坦化の目的と多層配線における役割
　1.2 半導体製造におけるCMPの位置づけ：STI・W・Cu各プロセスでの役割
　1.3 200mm時代の製造現場の実態：組織構成（ME/PEE/ATE）と交替制勤務・生産管理
　1.4 200mm→300mm装置の具体的な比較：研磨機構・プラテン数・HEAD構造の進化
　1.5 大口径化がもたらした技術課題：研磨均一性・スラリー供給設計・装置精度の変化

2. CMP成立のコア技術（パッド・スラリー・EPD）
　2.1 研磨パッドの状態管理：コンディショニング・立上げ・パッド寿命の見極め
　2.2 スラリー設計と選定ロジック：BPSG・STI・Cu・W各膜種ごとの使い分け
　2.3 EPD（終点検知）の原理と実務：Stop on Film / Stop in Film の使い分け
　2.4 膜種別EPD検出方法の違い：Cu膜（電流値変化）vs 酸化膜（光学式干渉）vs W膜
　2.5 研磨ヘッド（メンブレン・リテーナリング）の構造と圧力分布制御

3. CMPトラブルシューティング実践（事例中心）
　3.1 EPD・膜厚問題：研磨レート変動の要因（パッド寿命・ドレッサー・スラリー）と対策
　3.2 スクラッチ問題：研磨エリアでの発生メカニズム（パッド・スラリー・コンディショナー起因）
　3.3 スクラッチ改善事例：実務での原因特定プロセスと対策実績
　3.4 メンテナンス頻度問題：パッド・ドレッサー・リテーナリング交換サイクルと稼働率最適化

4. CMP後洗浄の設計と実務
　4.1 CMP後洗浄の設計思想：汚染除去機構と薬液設計
　4.2 異物除去（酸・アルカリ条件）とCu腐食防止の両立
　4.3 パーティクル問題：後洗浄不足を起因とした発生メカニズムと対策

5. Bonding技術の概要とBonding関連装置
　5.1 Bonding技術の種類と概要：Fusion BondingとHybrid Bondingの違い
　5.2 Bonding関連装置の役割：Edge Trim・バックグラインド装置の概要
　5.3.Hybrid Bondingプロセスの流れ：活性化・洗浄・接合の各工程

＜質疑応答＞