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半導体表面に付着する汚染物質を「いかに防止するか」に焦点を当てたセミナーです。カンと経験に頼るのではなく、サイエンスに根差したクリーン化技術を理解し、高歩留まり製造を目指すための実践的な内容です。
講師
服部コンサルティングインターナショナル 代表 工学博士 服部 毅 氏
【略歴】
35年余りソニー株式会社に勤務し、半導体材料基礎研究(中央研究所)からプロセス・デバイス開発（半導体事業本部）歩留まり向上・クリーン化（九州および米国量産ライン）まで広範な業務に従事。ウルトラクリーンテクノロジー研究室長、リサーチフェロー。この間、本社研究開発戦略スタッフ、米国スタンフォ―ド大学留学、同集積回路研究所客員研究員、カリフォルニア州立大学バークレー校工学部非常勤講師、大阪大学基礎工学部大学院非常勤講師なども経験。
2007年に国際技術コンサルタントとして独立し現在に至る。内外の多数の半導体・製造装置・材料メーカーや市場動向調査企業などで技術指導・社員教育・開発戦略・学会発表支援などを担当。韓国漢陽大学工学部客員教授も経験。
2006年、半導体洗浄技術の先駆的研究開発と実用化で「Warner Kern賞」受賞。クリーン化・洗浄技術、半導体製造に関する３つの国際会議の組織・運営・プログラム委員を歴任。
【専門】
半導体工学（マテリアル/プロセス/デバイス/製造技術開発）
国際技術ジャーナリストとして、海外の最先端半導体・ディスプレイ・ナノテク産業技術開発動向をウォッチし、
マイナビニュースTECH+ウェブサイトにほぼ毎日執筆中
https://news.mynavi.jp/author/0001750/
先端半導体技術紹介翻訳記事リスト（https://news.mynavi.jp/author/14344/）
セミコンポータル（執筆ブログリスト：https://www.semiconportal.com/archive/blog/insiders/hattori/）
情報機構ホームページ（講師執筆コラム：https://johokiko.co.jp/column/column_takeshi_hattori20.php）
主な書籍［いずれも共著］
「シリコンウェーハ表面のクリーン化技術」（リアライズ社、1995年、新版2000年、同英語版「Ultraclean Surface Processing of Silicon Wafers-Secrets of VLSI Manufacturing」（独米Springer社、1998年）
「半導体・MEMSのための超臨界流体」（コロナ社、2012年）
「半導体2014-2023年」（日経BP社、2014年）
「表面・界面技術ハンドブック」（NTS社、2016年）
「Developments in Surface Contamination and Cleaning: Methods for Surface Cleaning 」（Elsevier社、2017年）
「半導体製造におけるウエット・ドライエッチング技術」（R&D支援センター、2022年）
「シリコンと化合物半導体の超精密・微細加工プロセス技術」（CMC出版、2024年）
「実用乾燥工学ハンドブック」（CMC出版、2025年）
【本テーマ関連学協会での活動】
The Electrochemical Society (ECS：米国電気化学会) Fellow & Emeritus（終身名誉会員）
同学会半導体洗浄科学技術国際会議（SCST）組織運営委員兼論文査読委員
半導体表面超クリーンプロセス国際会議（UCPSS：ベルギーIMEC主催）運営・プログラム委員
IEEE半導体製造技術国際会議（ISSM）運営委員
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日時・受講料・お申込みフォーム
●日時：2026年9月29日(火) 10:00-16:30 ＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。
●受講料：
【オンライン受講】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円
＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。→「セミナー申込要領・手順」を確認ください。
＊5名以上でのお申込の場合、更なる割引制度もございます。
ご希望の方は、以下より別途お問い合わせ・お申込みください。
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商品コード：AG260999
配布資料・講師への質問など
●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付いたします。
・お申込みの際にお受け取り可能な住所を必ずご記入ください。
・郵送の都合上、お申込みは4営業日前までを推奨します。（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
・それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、その場合、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。ご了承の上お申込みください。
・資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。
●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
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セミナーポイント
■はじめに
ULSI半導体デバイスの微細化に伴い、パーティクル（異物微粒子）や金属不純物、表面吸着化学汚染（ケミカル・コンタミネーション）などの微小汚染物質が、歩留りや信頼性に大きな影響を及ぼすようになっています。半導体プロセスは、そのすべてが汚染の発生源と言っても過言ではなく、全工程にわたり汚染を防止し、Siウェーハ表面をクリーンに保つことの重要性が一段と高まっています。
設計ルールが10nmを切り、5～3nm時代を迎えるなか、ナノパーティクルの計測と防止・除去、さらにイメージセンサにおける金属汚染低減は、重要な課題となっています。これまで超クリーン化技術は、ノウハウとして門外不出の技術領域として扱われてきましたが、今後は半導体表面クリーン化の視点に立った科学的アプローチが求められます。
本セミナーでは、歩留り向上のためのULSI半導体クリーン化技術について、基礎から最先端技術までを、豊富な事例を交えて分かりやすく解説します。米国・台湾・日本の半導体クリーンルームや製造現場（450mm～150mmウェーハライン）の実写ビデオを見て議論しながら、半導体表面クリーン化の重要性と実践上のポイントを学びます。
■本セミナーに参加して修得できること
(1)半導体の教科書に書かれることもなく、誰も語ろうとしなかった半導体製造ラインの汚染の実態、
その汚染とデバイス欠陥・不良の相関の具体例を知ることができます。
(2)半導体ウェーハへの汚染を防止しクリーンに保つための様々なノウハウを知ることができます。
(3)ウェーハ表面クリーン化の視点に立つ歩留り向上に役立つクリーン化技術への科学的アプローチを知ることができます。
(4)現場でのクリーン化・歩留まり向上へのAPC、ビッグデータ、IoT、AIなどの活用についても実例を交えてお話しします。
(5)最先端の技術情報を「ホットトピック」として随所で取り上げることで、最先端技術動向を把握できます。
関連講座のご案内
本セミナーをご受講いただいた方には、11月13日開催予定の「半導体表面精密洗浄・乾燥技術」を特別割引価格にてご案内いたします。
詳細につきましては、本セミナーご受講後に別途ご案内いたします。
あわせてご受講いただくことで、半導体表面汚染への対策を、防止と除去の両面から体系的に理解いただけます。
セミナー内容
0．予備知識
0.1．半導体製造現場・クリーンルーム見学～（講義中に随時上映）
最先端（300/450mmFOUP方式）半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
（米国G450Cの450mmライン、Intel、TSMC、キオクシアなどの300mm最先端ライン）
→講義の合間に随時上映する予定です。
0.2．世界および日本半導体産業の最新動向紹介（参考情報）
1．クリーン化の目的（なぜクリーン化すべきか？）
1.1．歩留向上の重要性
1.2．歩留の定義
1.3．歩留習熟曲線
‐Intelの歩留習熟曲線の紹介
1.4．歩留の低下要因
1.5．ランダム欠陥・固定欠陥
1.6．歩留り予測モデル（歩留の科学）
1.7．歩留の科学を理解するための練習問題
1.8．ホットトピック：チップレットの概念とこれを用いることで歩留向上
2．クリーン化の対象（何をクリーン化すべきか？）
2.1．半導体の最小線幅の年代推移
2.2．半導体製造における空気清浄度の推移
2.3．ウェーハ搬送方式の推移
2.4．汚染発生源の推移
2.5．ミニエンバイロンメント（200mm SMIF/300・450mm FOUP）
2.6．ホットトピック：クリーンルーム不要へ向けて全く新しい概念のクリーンルーム
2.7．半導体製造におけるクリーン化の優先順位
2.8．半導体製造における汚染の実態とそれぞれの汚染によるデバイス不良例
2.9．ウェーハ表面汚染の種類と主なデバイス特性への影響
2.10．半導体製造装置・プロセスの主な発塵源
3．半導体表面クリーン化の手法（汚染をどのように防止すべきか？）
3.1．ウェーハ表面の汚染分析手法
3.2．半導体プロセスにおけるパーティクルの低減・防止対策
‐パーティクルによる様々な不良の実例
‐製造ラインでのパーティクルモニタリング
‐製造ラインでのパーティクル低減手法
‐半導体製造装置の主な発塵減
‐半導体製造プロセスの発塵減と低減防止策
‐パーティクル沈着機構の変遷
‐洗浄によるパーティクル除去メカニズム
3.3．半導体プロセスにおける金属汚染の低減・防止策
‐金属汚染のデバイスへの影響
‐微細化に伴う新金属材料の必要性
‐金属汚染防止策
‐金属汚染ゲッタリング策
‐洗浄による金属汚染除去
3.4．半導体プロセスにおける無機化学汚染の低減・防止策
‐空気中のドーパント起因の不良
‐空気中のアンモニア起因の不良
‐空気中の酸起因の不良
‐空気中の無機化学汚染の低減防止策
3.5．半導体プロセスにおける有機化学汚染の低減・防止策
‐有機汚染のデバイス・プロセスへの影響
‐リソグラフィにおける有機汚染の分解
‐有機汚染によるレンズやミラーの曇り
‐クリーンルームにおける有機汚染の発生源
‐ウェーハ収納ボックスからの有機汚染発生
‐ウェーハ表面有機汚染の低減・防止策
‐洗浄による有機汚染の除去メカニズム
3.6．ホットトピック：
‐発生源が内部にあることを想定しなかったFOUPの問題点とFOUP内の窒素パージによる各種汚染の防止策
3.7．将来に向けたFOUPを用いないオール枚葉搬送・処理方式の提案
4．まとめ
4.1．クリーン化技術のパラダイム転換
4.2．今まで計測できなかったナノパーティクルの課題と展望
4.3．歩留まり向上手法(SPC, APC, FDC,YMSなど)へのビッグデータ、IoT、AI、仮想計測（VM）など最新手法の活用
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